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Componentes electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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NT1capacidad de producción NT1capacidad de producción |
SCR 650 V 12 A montura de superficie de recuperación estándar DPAK
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hecho en China
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BAT54C Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Soporte común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie del cátodo 30 V 200mA (D
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BAT54HT1G Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 30 V 200mA
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Semi / Semi catalizador
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BAT54SLT1G Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Soporte de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie de la conexión de serie de 1 p
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Semi / Semi catalizador
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BA595E6327 Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
PIN de diodo de RF - 50V único de 50 mA PG-SOD323-2-1
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Infineon
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BAS316 Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 100 V 250mA
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BAS40TW-7-F Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Diodo 3 independiente de 40 V 200 mA (DC) Montaje de superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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DIODOS
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BAT46W-7-F Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Soporte superficial SOD-123 del diodo 100 V 150mA
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DIODOS
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BAT54A Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Soporte superficial común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del ánodo 30 V 200mA de 1 par
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Semi / Semi catalizador
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EMH4T2R IC de memoria flash nuevo y original |
Transistor bipolar Pre-en polarización negativa (BJT) 2 NPN - soporte superficial (dual) Pre-en pola
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Semiconductores de Rohm
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2N7002W-7-F Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
N-canal 60 V 115mA (Ta) 200 mW (Ta) Montado de superficie SOT-323
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DIODOS
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2SC2713-BL,LF Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Monte de superficie TO-236
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TOSHIBA
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-HFA25PB60PBF |
El diodo 600 V 25A a través del agujero TO-247AC se modificó
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRL1404PBF |
Canal N 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGI4061DPBF |
Foso 600 V 20 A 43 W de IGBT a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE AUIRFS4010-7TRL |
Soporte D2PAK (7-Lead) de la superficie 380W (Tc) del canal N 100 V 190A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE TCMT1107 |
El transistor del aislador óptico hizo salir 3750Vrms 1 el canal 4-SOP
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 1N5245B-TAP |
Diodo Zener 15 V 500 mW el ±5% a través del agujero DO-35 (DO-204AH)
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SUD17N25-165-E3 |
Canal N 250 V 17A (Tc) 3W (TA), soporte TO-252AA de la superficie 136W (Tc)
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VISHAY
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BC848B Inductor variable nuevo y de stock original Certificación ROHS |
Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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UPA1793G-E1 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Mosfet Array 20V 3A 2W Montaje de superficie 8-PSOP
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RENESAS
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B340Q-13-F Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Diodo 40 V 3A Montaje en superficie SMC
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DIODOS
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B160-13-F Chip de circuito integrado electrónico NUEVO Y ORIGINAL |
Diodo de 60 V 1A montado en superficie SMA
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DIODOS
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IRF6638TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Se aplican las siguientes medidas:
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Infineon
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IRF6620TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará para determinar e
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Infineon
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IRF630NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF620PBF Transistor de efecto de campo NUEVO Y ORIGINAL |
N-canal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VISHAY
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IRF630NSTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-canal 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Montaje de superficie D2PAK
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Infineon
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IRF6665TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-Canal 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Montaje de superficie DIRECTFETTM SH
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Infineon
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IRF6216TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-Canal 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Montado de superficie 8-SO
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Infineon
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IRF6218STRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em
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Infineon
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VS-63CPQ100PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Diodo 1 par de cátodo común 100 V 30A a través del agujero TO-247-3
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VISHAY
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IRF640NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF9530NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 100 V 14A (Tc) 79W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF9540NSTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 100 V 23A (Tc) 3.1W (TA), soporte D2PAK de la superficie 110W (Tc)
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Infineon
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IRF9362TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial 8-SO del arsenal 30V 8A 2W del Mosfet
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Infineon
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IRF9540PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VISHAY
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IRF9640STRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 200 V 11A (Tc) 3W (TA), 125W (Tc) ² PAK (TO-263) del soporte D de la superficie
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VISHAY
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IRF9640PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF9358TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial 8-SO del arsenal 30V 9.2A 2W del Mosfet
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Infineon
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IRF9Z24NSTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 55 V 12A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 45W (Tc)
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Infineon
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IRF9630PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VISHAY
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IRF9Z34NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF9530NSTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 100 V 14A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 79W (Tc)
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Infineon
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IRF9Z24NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 55 V 12A (Tc) 45W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF9310TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del P-canal 30 V 20A (Tc)
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Infineon
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IRG4BC30KDPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
IGBT 600 V 28 A 100 W a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRG4BC30KDSTRRP Transistor de efecto de campo nuevo y original |
El sistema de control de velocidad de la unidad IGBT 600 V 28 A 100 W
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Infineon
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IRF9540NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF9321TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del P-canal 30 V 15A (TA)
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Infineon
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