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Componentes electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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IRG4IBC20UDPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
IGBT 600 V A 11,4 34 W a través del agujero TO-220AB Lleno-Pak
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Infineon
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IRLML2502TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte Micro3™/SOT-23 de la superficie 1.25W (TA) del canal N 20 V 4.2A (TA)
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Infineon
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VS-ETH1506S-M3 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial TO-263AB (² PAK del diodo 600 V 15A de D)
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VISHAY
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IRG4PC50UDPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
IGBT 600 V 55 A 200 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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IRG4PF50WPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
IGBT 900 V 51 A 200 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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IRF3710STRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte D2PAK de la superficie 200W (Tc) del canal N 100 V 57A (Tc)
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Infineon
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IRLML0060TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte Micro3™/SOT-23 de la superficie 1.25W (TA) del canal N 60 V 2.7A (TA)
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Infineon
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IRG4PC50KDPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
IGBT 600 V 52 A 200 W a través del agujero TO-247AC
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Fabricante
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IRF640PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-canal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VISHAY
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CDSOT23-SM712 Placa de circuito de programación de chips IC RS-485 Protección de puertos |
26V, 14V Clamp 17A (8/20μs) Ipp Tvs Diodo de superficie montado SOT-23-3
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BOURNS
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TIL117M Componentes electrónicos Chip de circuito integrado y memoria de programación |
Transistor de aislamiento óptico con salida de base 7500Vpk 1 canal 6-DIP
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Semi / Semi catalizador
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BT2154 - - - - - - - - - |
SCR 500 V 4 Puerta sensible a través del agujero TO-220AB
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hecho en China
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-HFA25TB60PBF |
Diodo 600 V 25A a través del agujero TO-220AC
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VISHAY
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PDTC144ET Diodo de chip nuevo y original |
Transistores bipolares prebiasados (BJT)
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VISHAY
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IRFS4115TRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte D2PAK de la superficie 375W (Tc) del canal N 150 V 195A (Tc)
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Infineon
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V40150C-E3/4W Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Cátodo común de array de diodos 150 V 20A de 1 par a través del agujero TO-220-3
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VISHAY
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IRLML0030TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte Micro3™/SOT-23 de la superficie 1.3W (TA) del canal N 30 V 5.3A (TA)
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Infineon
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2N7002BKS,115 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial 295mW 6-TSSOP del arsenal 60V 300mA (TA) del Mosfet
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Nexperia
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRF830BPBF |
Canal N 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S3D-E3/57T |
Soporte superficial DO-214AB (SMC) del diodo 200 V 3A
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SI3456DDV-T1-GE3 |
Canal N 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (TA), soporte 6-TSOP de la superficie 2.7W (Tc)
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SUP85N03-04P-E3 |
Canal N 30 V 85A (Tc) 3.75W (TA), 166W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRF8736TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del canal N 30 V 18A (TA)
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Infineon
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BAS516 ALCANZAS NUEVAS y originales |
Soporte superficial SOD-523 del diodo 75 V 250mA
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Semiconductor de buen arco
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SIR688DP-T1-GE3 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 60 V 60A (Tc) 5.4W (TA), soporte PowerPAK® SO-8 de la superficie 83W (Tc)
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VISHAY
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IRF3205ZPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF3205PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF3710ZPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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BYG10M-E3/TR Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial DO-214AC (SMA) del diodo 1000 V 1.5A
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VISHAY
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IRF2807PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 75 V 82A (Tc) 230W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF2804STRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte D2PAK de la superficie 300W (Tc) del canal N 40 V 75A (Tc)
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Infineon
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IRF2805STRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte D2PAK de la superficie 200W (Tc) del canal N 55 V 135A (Tc)
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Infineon
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IRF2804PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 40 V 75A (Tc) 300W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRFS4310ZTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte D2PAK de la superficie 250W (Tc) del canal N 100 V 120A (Tc)
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Infineon
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IRFS7530TRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte PG-TO263-2 de la superficie 375W (Tc) del canal N 60 V 195A (Tc)
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Infineon
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IRFS4127TRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte D2PAK de la superficie 375W (Tc) del canal N 200 V 72A (Tc)
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Infineon
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Transistor de efecto de campo IRFS38N20DTRLP nuevo y original |
Canal N 200 V 43A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 300W (Tc)
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Infineon
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IRFS3607TRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte D2PAK de la superficie 140W (Tc) del canal N 75 V 80A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE DMG3415U-7 |
Soporte SOT-23-3 de la superficie 900mW (TA) del P-canal 20 V 4A (TA)
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DIODOS
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SMAJ48A-E3/61 |
77.4V soporte superficial DO-214AC (SMA) del diodo de la abrazadera 5.2A Ipp TV
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE P6SMB24A-E3/52 |
Pinza 33.2V 18.1A Ipp Tvs Diodo Montaje Superficial DO-214AA (SMB)
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VISHAY
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VS-EPH3006-F3 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Diodo 600 V 30A Agujero Pasante TO-247AC Modificado
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 43CTQ100 |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 100 V 20A Orificio pasante TO-220-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFH5215TRPBF |
Canal N 150 V 5 A (Ta), 27 A (Tc) 3,6 W (Ta), 104 W (Tc) Montaje en superficie PQFN (5x6)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFHM830TRPBF |
Canal N 30 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,7 W (Ta), 37 W (Tc) Montaje en superficie 8-PQFN-Dual (3,3x3,3)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7301TRPBF |
Soporte superficial 8-SO del arsenal 20V 5.2A 2W del Mosfet
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7451TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del canal N 150 V 3.6A (TA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFH5015TRPBF |
Canal N 150 V 10 A (Ta), 56 A (Tc) 3,6 W (Ta), 156 W (Tc) Montaje en superficie 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFH4253DTRPBF |
Matriz Mosfet 25V 64A, 145A 31W, 50W Montaje en superficie PQFN (5x6)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-30CPQ100PBF |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 100 V 15 A Orificio pasante TO-247-3
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VISHAY
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