Enviar mensaje
Hogar > productos > Componentes electrónicos

Componentes electrónicos

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
VS-85CNQ015APBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

VS-85CNQ015APBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

Soporte común de array de diodos D-61-8 del chasis del cátodo 15 V 40A de 1 par
VISHAY
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de VS-HFA16PA60CPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de VS-HFA16PA60CPBF

Cátodo común de array de diodos 600 V 8A (DC) de 1 par a través del agujero TO-247-3
VISHAY
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo HFA08PB60

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo HFA08PB60

El diodo 600 V 8A a través del agujero TO-247AC se modificó
VISHAY
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU220NPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU220NPBF

Canal N 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1404LPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1404LPBF

Canal N 40 V 162A (Tc) 3.8W (TA), 200W (Tc) a través del agujero TO-262
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU3910PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU3910PBF

Canal N 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU9024NPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU9024NPBF

P-canal 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de VS-HFA08SD60STRPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de VS-HFA08SD60STRPBF

Soporte superficial D-PAK (TO-252AA) del diodo 600 V 8A
VISHAY
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo 80CNQ045ASM

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo 80CNQ045ASM

Cátodo común de array de diodos 45 V 40A de 1 par a través del agujero D-61-8-SM
VISHAY
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1018EPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1018EPBF

Canal N 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) a través del agujero TO-220AB
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo IRF100B201

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo IRF100B201

Canal N 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) a través del agujero TO-220AB
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1405PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1405PBF

Canal N 55 V 169A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero TO-220AB
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1407STRLPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1407STRLPBF

Canal N 75 V 100A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 200W (Tc)
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1312PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1312PBF

Canal N 80 V 95A (Tc) 3.8W (TA), 210W (Tc) a través del agujero TO-220AB
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1404ZSTRLPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1404ZSTRLPBF

Soporte PG-TO263-3 de la superficie 200W (Tc) del canal N 40 V 180A (Tc)
Infineon
IRLB3034PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

IRLB3034PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

Canal N 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Orificio pasante TO-220AB
Fabricante
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRLB3036PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRLB3036PBF

Canal N 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) a través del agujero TO-220AB
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRLB3813PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRLB3813PBF

Canal N 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) a través del agujero TO-220AB
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFD120PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFD120PBF

Canal N 100 V 1.3A (TA) 1.3W (TA) a través del agujero 4-HVMDIP
VISHAY
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR3709ZTRPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR3709ZTRPBF

Soporte D-Pak de la superficie 79W (Tc) del canal N 30 V 86A (Tc)
Infineon
Rectificador sincrónico de circuito de diodos de alta tolerancia ESD PTZTE2518B Tipo de molde de pequeña potencia

Rectificador sincrónico de circuito de diodos de alta tolerancia ESD PTZTE2518B Tipo de molde de pequeña potencia

Soporte superficial PMDS del diodo Zener 18 V 1 W el ±6%
Semiconductores de Rohm
2SC2712-GR,LF IC de memoria flash nuevo y original

2SC2712-GR,LF IC de memoria flash nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Montado de superficie S-Mini
TOSHIBA
2SC2712-Y,LF IC de memoria flash nuevo y original

2SC2712-Y,LF IC de memoria flash nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Montado de superficie S-Mini
TOSHIBA
TIP127 ALCANZAS nuevas y originales

TIP127 ALCANZAS nuevas y originales

Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W a través del agujero TO-220
Semi / Semi catalizador
TIP31C ALCANZA NUEVA Y ORIGINAL

TIP31C ALCANZA NUEVA Y ORIGINAL

Transistor bipolar (BJT) NPN 100 V 3 A 2 W a través del agujero TO-220
STMicroelectronics
8ETH06 IC de memoria flash nuevo y original

8ETH06 IC de memoria flash nuevo y original

Diodo 600 V 8A Orificio Pasante TO-220AC
VISHAY
BCM846SH6327XTSA1 IC de memoria flash nuevo y original

BCM846SH6327XTSA1 IC de memoria flash nuevo y original

Conjunto de transistores bipolares (BJT) 2 NPN (doble) 65 V 100 mA 250 MHz 250 mW Montaje en superfi
Infineon
GRM033R71A122KA01D existencias nuevas y originales

GRM033R71A122KA01D existencias nuevas y originales

1200 condensador de cerámica del PF el ±10% 16V X7R 0201 (0603 métricos)
Murata
GRM155R61C105KA12D condensador de alta temperatura nuevo y original

GRM155R61C105KA12D condensador de alta temperatura nuevo y original

1 µF ±10 % Condensador cerámico de 16 V X5R 0402 (1005 métrico)
Murata
2 3 4 5 6