Diodos Zener de vidrio de silicio pasivados de 1,0 Watt Diodos Zener de vidrio pasivados de unión Diodo Zener de silicio 1n4733A
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
1N4728A ~ 1N4764A
Diodo Zener de silicio de unión pasivada de vidrio
Características
• Paquete de bajo perfil
• Disminución de la tensión
• Baja inductancia
• Soldadura a alta temperatura: 260°C / 10 segundos en las terminales
• Los envases de plástico tienen una clasificación de inflamabilidad de laboratorio de Underwriters 94V-O
• Se dispone de productos normales y libres de Pb:
Normalmente: 80 a 95% de Sn, 5 a 20% de Pb
Libre de Pb: 98,5% Sn por encima
Datos mecánicos
• Cuadro: Vidrio moldeado DO-41G / Plástico moldeado DO-41
• Epoxi: UL 94V-O retardador de llama
• terminales: cables axiales, soldables de acuerdo con MIL-STD-202,
• Método 208 garantizado • Polaridad: la banda de color indica el extremo positivo
• Posición de montaje: Cualquier
• Peso: 0.012 onzas, 0.3 gramos
• Información sobre el pedido: Suffijo: -G para pedir Envase de vidrio moldeado Suffijo: -P para pedir Envase de plástico moldeado
• Información de embalaje B - 1K por caja a granel T/R - 5K por caja de papel de 13 pulgadas Rollo T/B - 2.5K por caja de cinta horizontal y munición
Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto invernadero
Calificaciones a temperatura ambiente de 25 °C, salvo especificación en contrario.
| Parámetro | el símbolo | Valor | Unidad |
| Potencia D de estabilización en TAM b = 25O C | PTO T | 1 | 1 W * |
| Temperatura de las uniones | TJ, el Sr. | 150 | O C |
| Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 hasta + 150 | O C |
MT4producción de productos agrícolas
AR0330CS1C12SPKA0-CP IC de memoria flash nuevo y original
BAT54HT1G Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original
BAT54SLT1G Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original
BAT54A Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original
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Diodo rectificador de tipo puente 1N4007 de 50 a 1000 voltios 1,0 amperes
NDT456P Transistor de efecto de campo con diodo rectificador de modo de mejora de canal P
TIP127 ALCANZAS nuevas y originales
| Imagen | parte # | Descripción | |
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MT4producción de productos agrícolas |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
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AR0330CS1C12SPKA0-CP IC de memoria flash nuevo y original |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
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BAT54HT1G Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
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BAT54SLT1G Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BAT54A Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TIL117M Componentes electrónicos Chip de circuito integrado y memoria de programación |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
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Diodo rectificador de tipo puente 1N4007 de 50 a 1000 voltios 1,0 amperes |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
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NDT456P Transistor de efecto de campo con diodo rectificador de modo de mejora de canal P |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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TIP127 ALCANZAS nuevas y originales |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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