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chips CI electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Transistor de efecto de campo BAV70W nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 75 V 300 mA Montaje en superficie SC-70, SOT-323
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DIODOS
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Transistor de efecto de campo BAV70W nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 75 V 150 mA Montaje en superficie SC-70, SOT-323
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Infineon
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Transistor de efecto de campo BAV99 nuevo y original |
Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la conexión de serie de 1 par 70
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Fabricante
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BAV99S_R1_00001 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos Conexión en serie de 2 pares 75 V 150 mA Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-
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Fabricante
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BAV99S,135 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos Conexión en serie de 2 pares 100 V 200 mA (CC) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88
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Nexperia
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BAV99S,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos Conexión en serie de 2 pares 100 V 200 mA (CC) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88
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Nexperia
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Transistor de efecto de campo BAV99W nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Conexión en serie 75 V 150 mA Montaje en superficie SC-70, SOT-323
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BAW56 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
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Fabricante
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BAW56 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Ánodo común 85 V 200 mA Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Fairchild
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BAW56 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Ánodo común 70 V 200 mA Montaje en superficie
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Fabricante
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BAW56S,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos Ánodo común de 2 pares 90 V 250 mA (CC) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-3
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Nexperia
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Transistor de efecto de campo BAV99W nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Conexión en serie 75 V 150 mA Montaje en superficie SC-70, SOT-323
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Semiconductor de buen arco
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BAW56 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Ánodo común 70 V 200 mA Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Semiconductor de buen arco
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Transistor de efecto de campo BC807RAZ nuevo y original |
Matriz de transistores bipolares (BJT) 2 PNP (doble) 45 V 500 mA 80 MHz 350 mW Montaje en superficie
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Nexperia
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BC807-16 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC807-16 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 800 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 310 mW
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Infineon
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BC807-16W Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 80 MHz 200 mW Montaje en superficie SOT-323
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC807-25 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC807-25 BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 800 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 310 mW
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Infineon
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BC807-40 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
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Fabricante
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BC807-40 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC807-40 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
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Semiconductor de buen arco
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BC817RAZ Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Conjunto de transistores bipolares (BJT) 2 NPN (doble) 45 V 500 mA 100 MHz 350 mW Montaje en superfi
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Nexperia
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BC817-16 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC817-16W Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100 MHz 200 mW Montaje en superficie SOT-323
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC817-25 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
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Fabricante
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BC817-16 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 800 mA 100 MHz 310 mW Montaje en superficie SOT23-3 (TO-236)
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Infineon
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BC817-16W Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT)
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Infineon
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BC817-25 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC817-40 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC846B Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 65 V 100 mA 300MHz soporte superficial SOT-23-3 de 350 mW
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Semiconductor de buen arco
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BC846B Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC846BPN,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Arsenal bipolar NPN, soporte superficial 6-TSSOP del transistor (BJT) de PNP 65V 100mA 100MHz 300mW
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Nexperia
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BCP53-10 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 120MHz 1,3 W
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Semiconductor de Diotec
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BCP53-10 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 120MHz 1,3 W
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Semiconductor de Diotec
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BCP53-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 120MHz 1,3 W
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Semiconductor de Diotec
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BCP53-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 50MHz 1,6 W
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STMicroelectronics
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BCP54 ACTUALIZACIÓN de las existencias nuevas y originales |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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Fairchild
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BCP54 ACTUALIZACIÓN de las existencias nuevas y originales |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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Semi / Semi catalizador
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IRFL4310TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 100 V 1,6 A (Ta) 1 W (Ta) Montaje en superficie SOT-223
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Infineon
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IRFL024NTRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte SOT-223 de la superficie 1W (TA) del canal N 55 V 2.8A (TA)
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Infineon
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BCP53 ACTUALIZACIÓN de las existencias nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1,2 A 1,5 W Montaje en superficie SOT-223-4
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Semi / Semi catalizador
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IRF540NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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BK/GMT-7-1/2A Chip de fusible nuevo y original |
7.5A 125 VAC fusible de 60 VDC que indica el fusible requiere el tenedor
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Fabricante
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BCP54-16,135 HISTORÍA NUEVA y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 1 un 180MHz soporte superficial SOT-223 de 960 mW
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Nexperia
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BCP54-16,115 ALCANZAS NUEVAS y originales |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 1 un 180MHz soporte superficial SOT-223 de 960 mW
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Nexperia
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BCP55 ACTUALIZACIÓN de las existencias nuevas y originales |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
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Fairchild
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BCP55-10 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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Semiconductor de Diotec
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BCP55-10 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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Semiconductor de Diotec
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BCP55 ACTUALIZACIÓN de las existencias nuevas y originales |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
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Semi / Semi catalizador
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