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chips CI electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Transistor de efecto de campo BAV70 nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 100 V 215 mA (CC) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-
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Fabricante
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BCV46TC HISTORIA NUEVA y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz soporte superficial SOT-23-3 de 330 mW
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DIODOS
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BCV47QTC existencias nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 170 MHz 310 mW Montaje en superficie SOT-23-3
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DIODOS
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BCV47TC HISTORIA NUEVA y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 170MHz soporte superficial SOT-23-3 de 330 mW
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DIODOS
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BCV47 TR PBFREE Las existencias nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 220 MHz 350 mW Montaje en superficie SOT-23
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Fabricante
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BCX51-10F HISTORÍA NUEVA Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 A 145 MHz 500 mW Montaje en superficie SOT-89
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Nexperia
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX51,115 |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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NXP
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX5116TA |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 un soporte superficial SOT-89-3 de 150MHz 1 W
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DIODOS
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX51-16TF |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 A soporte superficial SOT-89 de 500 mW
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Nexperia
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX51-16,135 |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX52-10-TP |
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 1 un 50MHz soporte superficial SOT-89 de 500 mW
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX52-10TF |
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 1 A soporte superficial SOT-89 de 500 mW
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Nexperia
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BCX5210TA ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 1 un soporte superficial SOT-89-3 de 150MHz 1 W
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DIODOS
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX51-16,115 |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX52-10,115 |
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo KBU8M-E4/51 |
Estándar la monofásico del puente rectificador 1 kilovoltio a través del agujero KBU
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRL2203NPBF |
Canal N 30 V 116A (Tc) 180W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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CONTRA - 40 la ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de TPS 12 mañana 3 |
SCR 1,2 kilovoltio 55 una recuperación estándar a través del agujero TO-247AC
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo KSC2073 |
Transistor bipolar (BJT) NPN 150 V 1,5 un 4MHz 25 W a través del agujero TO-220-3
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Semi / Semi catalizador
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRLL110TRPBF |
Canal N 100 V 1.5A (Tc) 2W (TA), soporte SOT-223 de la superficie 3.1W (Tc)
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7309TRPBF |
Arsenal 30V 4A, soporte superficial 8-SO del Mosfet de 3A 1.4W
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7205TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (Tc) del P-canal 30 V 4.6A (TA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7493TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (Tc) del canal N 80 V 9.3A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7424TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del P-canal 30 V 11A (TA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7416TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del P-canal 30 V 10A (TA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7504TRPBF |
Soporte superficial Micro8™ del arsenal 20V 1.7A 1.25W del Mosfet
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7317TRPBF |
Arsenal 20V 6.6A, soporte superficial 8-SO del Mosfet de 5.3A 2W
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-40CPQ100-N3 |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 100 V 40 A Orificio pasante TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-40CPQ060PBF |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 60 V 20 A Orificio pasante TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-40CPQ100PBF |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 100 V 20A Orificio pasante TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR3410TRPBF |
Canal N 100 V 17 A (Tc) 79 W (Tc) D-Pak de montaje en superficie
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR8729TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 55W (Tc) del canal N 30 V 58A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR7843TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 140W (Tc) del canal N 30 V 161A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR2905TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 110W (Tc) del canal N 55 V 42A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR8743TRPBF |
Canal N 30 V 160 A (Tc) 135 W (Tc) Montaje en superficie D-Pak
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR9343TRPBF |
Soporte PG-TO252-3 de la superficie 79W (Tc) del P-canal 55 V 20A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR3114ZTRPBF |
Canal N 40 V 42 A (Tc) 140 W (Tc) Montaje en superficie D-Pak
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR8726TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 75W (Tc) del canal N 30 V 86A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR3636TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 143W (Tc) del canal N 60 V 50A (Tc)
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Infineon
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IRLR2905ZTRPBF existencias nuevas y originales |
Soporte D-Pak de la superficie 110W (Tc) del canal N 55 V 42A (Tc)
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Infineon
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Transistor de efecto de campo BAV21 nuevo y original |
Diodo 250 V 250mA Orificio Pasante DO-35
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Fairchild
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Transistor de efecto de campo BAV23CLT1G |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 250 V 400 mA Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Semi / Semi catalizador
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BAV23A,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Ánodo común 200 V 225 mA (CC) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Nexperia
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Transistor de efecto de campo BAV23A-7-F |
Matriz de diodos 1 par Ánodo común 200 V 400 mA (CC) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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DIODOS
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BAV23S Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la conexión de serie de 1 par 25
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Semiconductor de buen arco
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Transistor de efecto de campo BAV70 nuevo y original |
Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del cátodo 75 V 215mA del campo com
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Fairchild
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Transistor de efecto de campo BAV70 nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 100 V 215 mA (CC) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-
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Fabricante
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Transistor de efecto de campo BAV70 nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 70 V 200 mA Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Semiconductor de buen arco
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Transistor de efecto de campo BAV70 nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 70 V 200 mA Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Infineon
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BAV70S,135 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos 2 pares Cátodo común 100 V 250 mA (CC) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-36
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Nexperia
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