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chips CI electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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BCP55-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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Semiconductor de Diotec
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BCP55-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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Semiconductor de Diotec
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BCP56 ALCANZAS NUEVAS y originales |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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Semi / Semi catalizador
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BCP56 ALCANZAS NUEVAS y originales |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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Semi / Semi catalizador
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BCP56-16 ALCANZAS nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) NPN 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 2 W
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Semiconductor de Diotec
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BCP56-16 ALCANZAS nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) NPN 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 2 W
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Semiconductor de Diotec
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BCP56-16 ALCANZAS nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) NPN 80 V 1 A 1,6 W Montaje en superficie SOT-223
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Anbón Semi
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BCP56-16 ALCANZAS nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) NPN 80 V 1 A 1,6 W Montaje en superficie SOT-223
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STMicroelectronics
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BCP69 ALCANZAS nuevas y originales |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) PNP 20 V 1,5 A 1 W
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Fairchild
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BCP69-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) 20 V 1 un soporte superficial PG-SOT223-4 de 100MHz 3W
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Infineon
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BCV46QTA BANCO NUEVO y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz soporte superficial SOT-23-3 de 310 mW
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DIODOS
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BCV46-QR BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 mA soporte superficial TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BCV46TA BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz soporte superficial SOT-23-3 de 330 mW
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DIODOS
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BCV47,235 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 220MHz soporte superficial TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BCV47,215 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 220MHz soporte superficial TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BCV46,215 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 mA 220MHz soporte superficial TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BCV47TA BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 170MHz soporte superficial SOT-23-3 de 330 mW
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DIODOS
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IRFP2907PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 75 V 209A (Tc) 470W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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IRFP4868PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Orificio pasante TO-247AC
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Infineon
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Transistor de efecto de campo IRFP450LC nuevo y original |
Canal N 500 V 14A (Tc) 190W (Tc) Orificio pasante TO-247AC
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VISHAY
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IRFP250MPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Orificio pasante TO-247AC
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Infineon
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IRFPE40PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 800 V 5.4A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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VISHAY
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IRG4BC40UPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
IGBT 600 V 40 A 160 W Orificio pasante TO-220AB
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Infineon
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LH1525AABTR Transistor de efecto de campo nuevo y original |
SPST-NO de estado sólido (1 forma A) 6-SMD (0,300", 7.62m m)
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VISHAY
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IRFL014NTRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte SOT-223 de la superficie 1W (TA) del canal N 55 V 1.9A (TA)
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Infineon
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BC847BS Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial bipolar SC-88 (SC-70-6) del arsenal 2 NPN 45V (dual) 100mA 210mW del transistor
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Semi / Semi catalizador
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BC847BW Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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Semiconductor de Diotec
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BC847W,135 Inductor de montaje de superficie nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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NXP
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BC848B Transistor de alta frecuencia nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC856B Transistor de alta tensión nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC856B Transistor de potencia nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 150MHz soporte superficial SOT-23 de 350 mW
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Semiconductor de buen arco
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BC856BW Transistor de potencia nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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Semiconductor de Diotec
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BC856W-QX Inductor ajustable nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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Nexperia
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BC856S Inductor ajustable nuevo y original |
Soporte superficial bipolar SOT-363 del arsenal 2 PNP 65V (dual) 100mA 100MHz 250mW del transistor (
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Semiconductor de Diotec
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BC856W-QF existencias nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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Nexperia
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BC856W/ZL115 existencias nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT)
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NXP
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BC857,215 HISTORIA NUEVA y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BC857A BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC857BS HISTORÍA NUEVA y original |
Soporte superficial bipolar SOT-363 del arsenal 2 PNP 45V (dual) 100mA 200MHz 300mW del transistor (
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Fabricante
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BC857BW ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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Semiconductor de Diotec
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BC857C ALCANCE NUEVA y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 150MHz soporte superficial SOT-23 de 350 mW
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Semiconductor de buen arco
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BC857BW ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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Semiconductor de Diotec
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BC857C ALCANCE NUEVA y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC857W,135 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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Nexperia
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BC857W,115 ALCANZAS nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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Nexperia
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BC858B HISTORIA NUEVA y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 30 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC858B HISTORIA NUEVA y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 30 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
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Infineon
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BCM857BS,115 HISTORIA NUEVA y original |
Soporte superficial hecho juego (dual) bipolar 6-TSSOP de los pares 45V 100mA 175MHz 300mW del arsen
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Nexperia
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BCM857BS-7-F El stock nuevo y original |
Soporte superficial bipolar SOT-363 del arsenal 2 PNP 45V (dual) 100mA 100MHz 200mW del transistor (
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DIODOS
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BCP51 ACTUALIZACIÓN de las existencias nuevas y originales |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) PNP 45 V 1,5 A 1 W
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Semi / Semi catalizador
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