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chips CI electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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IRFS4127TRLPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte D2PAK de la superficie 375W (Tc) del canal N 200 V 72A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFS4321PBF |
Soporte D2PAK de la superficie 350W (Tc) del canal N 150 V 85A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFS4310ZTRLPBF |
Soporte D2PAK de la superficie 250W (Tc) del canal N 100 V 120A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFS38N20DTRLP |
Canal N 200 V 43A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 300W (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFS3607TRLPBF |
Soporte D2PAK de la superficie 140W (Tc) del canal N 75 V 80A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFS4227TRLPBF |
Soporte D2PAK de la superficie 330W (Tc) del canal N 200 V 62A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFS4115TRLPBF |
Soporte D2PAK de la superficie 375W (Tc) del canal N 150 V 195A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX51-TP |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 un 50MHz soporte superficial SOT-89 de 500 mW
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX51,115 |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX5116TA |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 un soporte superficial SOT-89-3 de 150MHz 1 W
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX51-16TF |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 A soporte superficial SOT-89 de 500 mW
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX51-16,135 |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX52-10-TP |
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 1 un 50MHz soporte superficial SOT-89 de 500 mW
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX51-16,115 |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX52-10TF |
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 1 A soporte superficial SOT-89 de 500 mW
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX5210TA |
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 1 un soporte superficial SOT-89-3 de 150MHz 1 W
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX52-10,115 |
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo KBU8M-E4/51 |
Estándar la monofásico del puente rectificador 1 kilovoltio a través del agujero KBU
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VISHAY
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CONTRA - 40 la ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de TPS 12 mañana 3 |
SCR 1,2 kilovoltio 55 una recuperación estándar a través del agujero TO-247AC
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRLL110TRPBF |
Canal N 100 V 1.5A (Tc) 2W (TA), soporte SOT-223 de la superficie 3.1W (Tc)
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRL2203NPBF |
Canal N 30 V 116A (Tc) 180W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo KSC2073 |
Transistor bipolar (BJT) NPN 150 V 1,5 un 4MHz 25 W a través del agujero TO-220-3
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Semi / Semi catalizador
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7309TRPBF |
Arsenal 30V 4A, soporte superficial 8-SO del Mosfet de 3A 1.4W
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7205TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (Tc) del P-canal 30 V 4.6A (TA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7493TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (Tc) del canal N 80 V 9.3A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7424TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del P-canal 30 V 11A (TA)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7416TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del P-canal 30 V 10A (TA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7504TRPBF |
Soporte superficial Micro8™ del arsenal 20V 1.7A 1.25W del Mosfet
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7301TRPBF |
Soporte superficial 8-SO del arsenal 20V 5.2A 2W del Mosfet
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7240TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del P-canal 40 V 10.5A (TA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7317TRPBF |
Arsenal 20V 6.6A, soporte superficial 8-SO del Mosfet de 5.3A 2W
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7495TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del canal N 100 V 7.3A (TA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7324TRPBF |
Soporte superficial 8-SO del arsenal 20V 9A 2W del Mosfet
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7451TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del canal N 150 V 3.6A (TA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7316TRPBF |
Soporte superficial 8-SO del arsenal 30V 4.9A 2W del Mosfet
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo SFH615A-2 |
El transistor del aislador óptico hizo salir 5300Vrms 1 el canal 4-DIP
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7105TRPBF |
Arsenal 25V 3.5A, soporte superficial 8-SO del Mosfet de 2.3A 2W
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7842TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del canal N 40 V 18A (TA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo SI7615ADN-T1-GE3 |
P-canal 20 V 35A (Tc) 3.7W (TA), soporte superficial 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP264PBF |
Canal N 250 V 38A (Tc) 280W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP460LCPBF |
Canal N 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP064NPBF |
Canal N 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP4568PBF |
Canal N 150 V 171A (Tc) 517W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP4368PBF |
Canal N 75 V 195A (Tc) 520W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFPG50PBF |
Canal N 1000 V 6.1A (Tc) 190W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP3206PBF |
Canal N 60 V 120A (Tc) 280W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP4710PBF |
Canal N 100 V 72A (Tc) 190W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP7430PBF |
Canal N 40 V 195A (Tc) 366W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP22N50APBF |
Canal N 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP064VPBF |
Canal N 60 V 130A (Tc) 250W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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