Filtros
Filtros
chips CI electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAT120C,115 NUEVO Y ORIGINAL DE EXISTENCIA |
Soporte común de array de diodos TO-261-4, TO-261AA de la superficie del cátodo 25 V 1A (DC) de 1 pa
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BAT54A NUEVO Y ORIGINAL DE EXISTENCIA |
Soporte común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie del ánodo 30 V 200mA (DC
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BAT54A NUEVO Y ORIGINAL DE EXISTENCIA |
Soporte superficial común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del ánodo 30 V 200mA de 1 par
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC857C,235 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial TO-236AB de 250 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC856W,115 EXISTENCIAS NUEVAS Y ORIGINALES |
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC856W STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Inductor de montaje en superficie BC847W Stock nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Transistor de alto voltaje BC848B Stock nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 300MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Transistor de efecto de campo BC847C STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Transistor de efecto de campo BC847W STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Transistor de potencia BC856B Stock nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Transistor de alto voltaje BC856B Stock nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Transistor de alta frecuencia BC848B Stock nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Transistor de efecto de campo BC847BW STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Transistor de potencia BC856B Stock nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC847BPN,125 Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Arsenal bipolar NPN, soporte superficial 6-TSSOP del transistor (BJT) de PNP 45V 100mA 100MHz 300mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Transistor de efecto de campo BC847BW STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Inductor de montaje en superficie BC856W-QF Stock nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Inductor ajustable BC856W-QX Stock nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
Inductor ajustable BC856S Stock nuevo y original |
Soporte superficial bipolar SOT-363 del arsenal 2 PNP 65V 100mA 100MHz 200mW del transistor (BJT)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC857A STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC857BW STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC857BW STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC857BW STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC857C STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 150MHz soporte superficial SOT-23 de 350 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC857C STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC857W,135 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC857W STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BCM857BS,115 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial hecho juego (dual) bipolar 6-TSSOP de los pares 45V 100mA 175MHz 300mW del arsen
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BC858B STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 30 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BCM857BS-7-F STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial bipolar SOT-363 del arsenal 2 PNP 45V (dual) 100mA 100MHz 200mW del transistor (
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BCP51 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) PNP 45 V 1,5 A 1 W
|
Fabricante
|
|
|
|
|
|
BCP51 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) PNP 45 V 1,5 A 1 W
|
Semi / Semi catalizador
|
|
|
|
|
|
SM8S33AHE3/2D STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
53.3V soporte superficial DO-218AB del diodo de la abrazadera 124A Ipp TV
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFH7085TRPBF STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte PQFN (5x6) de la superficie 156W (Tc) del canal N 60 V 100A (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SIR468DP-T1-GE3 |
Canal N 30 V 40A (Tc) 5W (TA), soporte PowerPAK® SO-8 de la superficie 50W (Tc)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU024NPBF |
Canal N 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR3910TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 79W (Tc) del canal N 100 V 16A (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR24N15DTRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 140W (Tc) del canal N 150 V 24A (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR9024NTRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 38W (Tc) del P-canal 55 V 11A (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR120NTRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 48W (Tc) del canal N 100 V 9.4A (Tc)
|
Microchip
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR220NTRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 43W (Tc) del canal N 200 V 5A (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SIHG20N50C-E3 |
Canal N 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) a través del agujero TO-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLU024NPBF |
Canal N 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 40L15CTPBF |
Cátodo común de array de diodos 15 V 20A de 1 par a través del agujero TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE APT15DQ100KG |
Diodo 1000 V 15A a través del agujero TO-220 [K]
|
Microchip
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SIRA04DP-T1-GE3 |
Canal N 30 V 40A (Tc) 5W (TA), soporte PowerPAK® SO-8 de la superficie 62.5W (Tc)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 16CTQ100 |
Cátodo común de array de diodos 100 V 8A de 1 par a través del agujero TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de VS-16CTU04STRLPBF |
Soporte superficial común de array de diodos TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) del cátodo 400
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFR3410TRPBF |
Canal N 100 V 31A (Tc) 3W (TA), soporte D-Pak de la superficie 110W (Tc)
|
Infineon
|
|
|