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chips CI electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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IRF3710PBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Canal N 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Fabricante
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IRF3808PBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Canal N 75 V 140A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Fabricante
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IRF3808SPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte D2PAK de la superficie 200W (Tc) del canal N 75 V 106A (Tc)
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Fabricante
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2SB1184TLP Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 50 V 3 un soporte superficial CPT3 de 70MHz 1 W
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Fabricante
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Transistor de efecto de campo IRF2805PBF STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Canal N 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Fabricante
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IRF2907ZPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
IRF2907 - PRISIONERO DE GUERRA DEL CANAL N 12V-300V
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Fabricante
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CYRF69103-40LTXC Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
El general ISMO > 1GHz 2.4GHz 40-VFQFN de IC RF TxRx + de MCU expuso el cojín
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Fabricante
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IRFS4321PBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte D2PAK de la superficie 350W (Tc) del canal N 150 V 85A (Tc)
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Fabricante
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IRFS4610TRLPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte D2PAK de la superficie 190W (Tc) del canal N 100 V 73A (Tc)
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Infineon
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IRFS4227TRLPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte D2PAK de la superficie 330W (Tc) del canal N 200 V 62A (Tc)
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Fabricante
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IRFS4410ZTRLPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte PG-TO263-3 de la superficie 230W (Tc) del canal N 100 V 97A (Tc)
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Infineon
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IRFS4010TRLPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte D2PA de la superficie 375W (Tc) del canal N 100 V 180A (Tc)
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Infineon
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IRFS4010-7PPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte D2PAK de la superficie 380W (Tc) del canal N 100 V 190A (Tc)
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Infineon
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SMBJ20A-E3/52 Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
32.4V soporte superficial DO-214AA (SMBJ) del diodo de la abrazadera 18.5A Ipp TV
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VISHAY
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SMBJ11CA-E3/52 Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
18.2V soporte superficial DO-214AA (SMBJ) del diodo de la abrazadera 33A Ipp TV
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VISHAY
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SMBJ18CA-E3/52 Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
29.2V soporte superficial DO-214AA (SMBJ) del diodo de la abrazadera 20.5A Ipp TV
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VISHAY
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VS-30ETH06SPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial TO-263AB (² PAK del diodo 600 V 30A de D)
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VISHAY
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BC847BPN,165 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Arsenal bipolar NPN, soporte superficial 6-TSSOP del transistor (BJT) de PNP 45V 100mA 100MHz 300mW
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Fabricante
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PMBS3904,215 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 40 V 100 mA 180MHz soporte superficial TO-236AB de 250 mW
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Fabricante
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PHKD6N02LT,518 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial 8-SO del arsenal 20V 10.9A 4.17W del Mosfet
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Fabricante
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BC817-40 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 800 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 310 mW
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Fabricante
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BAS316 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 100 V 250mA
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Fabricante
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BSS123 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte SOT-23-3 de la superficie del canal N 100 V 200mA 350mW (TA)
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Semi / Semi catalizador
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PMBT3906YS, 115 Chip Diodo NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial bipolar 6-TSSOP del arsenal 2 PNP 40V (dual) 200mA 250MHz 350mW del transistor (
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Fabricante
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Diodo de chip PBSS5350D STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 50 V 3 un 100MHz soporte superficial 6-TSOP de 750 mW
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Fabricante
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PMBT4403,235 Chip de diodo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 40 V 600 mA 200MHz soporte superficial TO-236AB de 250 mW
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Fabricante
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Diodo de chip BCX56-16,135 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 80 V 1 un soporte superficial 1,25 de 180MHz W SOT-89
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Fabricante
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PESD12VS1UL, 315 Chip Diodo NUEVO Y ORIGINAL |
35V soporte superficial DFN1006-2 del diodo de la abrazadera 5A (8/20µs) Ipp TV
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Fabricante
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Diodo de chip BZX79-B10,113 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Diodo Zener 10 V 400 mW el ±2% a través del agujero ALF2
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Fabricante
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Diodo de chip BCP56 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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Semi / Semi catalizador
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BT139-800G, 127 Chip de diodo NUEVO Y ORIGINAL |
Estándar 800 V 16 A del TRIAC a través del agujero TO-220AB
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Fabricante
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Diodo de chip BSS123 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte SOT-23 de la superficie 350mW (TA) del canal N 100 V 200mA (TA)
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Fabricante
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Diodo de chip RUSBF110-2 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Fusible restaurable polimérico 16V 1,1 del PTC un Ih a través de la parte radial del agujero, disco
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Fabricante
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Diodo de chip PESD1CAN-UX STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
50V soporte superficial SOT-323 del diodo de la abrazadera 3A (8/20µs) Ipp TV
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Fabricante
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Diodo de chip PUMD3,125 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar Pre-en polarización negativa (BJT) 1 NPN, 1 PNP - soporte superficial (dual) Pre-
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Fabricante
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PSMN7R0-100PS, 127 Chip Diodo NUEVO Y ORIGINAL |
Canal N 100 V 100A (Tc) 269W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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NXP
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Diodo de chip BC817-40-7-F STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 de 310 mW
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Fabricante
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PDTC114YE,135 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar Pre-en polarización negativa (BJT) NPN - 50 V Pre-en polarización negativa 100 mA
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NXP
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Diodo de chip BAV170 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie del cátodo 85 V 125mA (D
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Fabricante
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Diodo de chip BCX51-10,115 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Fabricante
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Diodo de chip PMBT2907AYSX STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial bipolar 6-TSSOP del arsenal 2 NPN 60V (dual) 600mA 200MHz 550mW del transistor (
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Fabricante
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Diodo de chip BAV23S STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la conexión de serie de 1 par 25
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Fabricante
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Diodo de chip PESD3V3L1BA STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
24V soporte superficial SOD-323 del diodo de la abrazadera 20A (8/20µs) Ipp TV
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Fabricante
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Diodo de chip PUMD3,135 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar Pre-en polarización negativa (BJT) 1 NPN, 1 PNP - soporte superficial (dual) Pre-
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Fabricante
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Diodo de chip BCX55-10,115 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 1 un soporte superficial 1,25 de 180MHz W SOT-89
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Fabricante
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PMEG4005AEA, 115 Chip Diodo NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 40 V 500mA
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Fabricante
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Diodo de chip BCP53-16 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 50MHz 1,6 W
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STMicroelectronics
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Diodo de chip PUMD9 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar Pre-en polarización negativa (BJT) 1 NPN, 1 PNP - soporte superficial (dual) Pre-
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Fabricante
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Diodo de chip BC817-40 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 800 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 310 mW
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Fabricante
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Diodo de chip BAT54 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial SOT-23 del diodo 30 V 200mA
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Fabricante
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