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chips CI electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IXTQ130N10T |
Canal N 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) a través del agujero TO-3P
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo 6N137 |
Canal abierto 1kV/µs CMTI 8-DIP del dren 5300Vrms 1 del aislador óptico 10MBd de la salida de la lóg
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de VS-85CNQ015APBF |
Soporte común de array de diodos D-61-8 del chasis del cátodo 15 V 40A de 1 par
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de VS-HFA16PA60CPBF |
Cátodo común de array de diodos 600 V 8A (DC) de 1 par a través del agujero TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de HFA08TB60PBF |
Diodo 600 V 8A Orificio Pasante TO-220AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1405PBF |
Canal N 55 V 169A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo HFA08PB60 |
El diodo 600 V 8A a través del agujero TO-247AC se modificó
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de VS-HFA08SD60STRPBF |
Soporte superficial D-PAK (TO-252AA) del diodo 600 V 8A
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo 80CNQ045ASM |
Cátodo común de array de diodos 45 V 40A de 1 par a través del agujero D-61-8-SM
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1010EPBF |
Canal N 60 V 84A (Tc) 200W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1018EPBF |
Canal N 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo IRF100B201 |
Canal N 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1407STRLPBF |
Canal N 75 V 100A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 200W (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo IRF135S203 |
Soporte PG-TO263-3-2 de la superficie 441W (Tc) del canal N 135 V 129A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1404ZPBF |
Canal N 40 V 180A (Tc) 200W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1324S-7PPBF |
Soporte D2PAK (7-Lead) de la superficie 300W (Tc) del canal N 24 V 240A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1312PBF |
Canal N 80 V 95A (Tc) 3.8W (TA), 210W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1404ZSTRLPBF |
Soporte PG-TO263-3 de la superficie 200W (Tc) del canal N 40 V 180A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1404LPBF |
Canal N 40 V 162A (Tc) 3.8W (TA), 200W (Tc) a través del agujero TO-262
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1404STRLPBF |
Canal N 40 V 162A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 200W (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRLB3034PBF |
Canal N 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Orificio pasante TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRLB3036PBF |
Canal N 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRLB4132PBF |
Canal N 30 V 78A (Tc) 140W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRLB3813PBF |
Canal N 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFD120PBF |
Canal N 100 V 1.3A (TA) 1.3W (TA) a través del agujero 4-HVMDIP
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFD110PBF |
Canal N 100 V 1A (TA) 1.3W (TA) a través del agujero 4-HVMDIP
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRL8113PBF |
Canal N 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Semi / Semi catalizador
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de V30100C-E3/4W |
Cátodo común de array de diodos 100 V 15A de 1 par a través del agujero TO-220-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR7540TRPBF |
Soporte D-PAK (TO-252AA) de la superficie 140W (Tc) del canal N 60 V 90A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR3806TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 71W (Tc) del canal N 60 V 43A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR5305TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 110W (Tc) del P-canal 55 V 31A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU220NPBF |
Canal N 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR3709ZTRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 79W (Tc) del canal N 30 V 86A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR1018ETRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 110W (Tc) del canal N 60 V 56A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU5410PBF |
P-canal 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU9120NPBF |
P-canal 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU9024NPBF |
P-canal 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU3910PBF |
Canal N 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 2W10G-E4/51 |
Estándar la monofásico del puente rectificador 1 kilovoltio a través del EXTRANJERO del agujero
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFZ34NPBF |
Canal N 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFZ44VPBF |
Canal N 60 V 55A (Tc) 115W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFZ24NPBF |
Canal N 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFZ44NSTRLPBF |
Canal N 55 V 49A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 94W (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFZ48NSTRLPBF |
Canal N 55 V 64A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 130W (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFZ44E |
Canal N 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE APC-817C1-SL |
El transistor del aislador óptico hizo salir 5000Vrms 1 el canal 4-SMD
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 1N4148WS-E3-08 |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 75 V 150mA
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-12CWQ10FNTRPBF |
Matriz de diodos 1 par de cátodo común 100 V 6 A Montaje en superficie TO-252-3, DPak (2 conductores
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 25CTQ045 |
Cátodo común de array de diodos 45 V de 1 par a través del agujero TO-220-3
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LVR055S |
Fusible restaurable polimérico 240V (265V internacional) del PTC 550 mA Ih a través de la parte radi
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Fabricante
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