parte #	Descripción	fabricante
IGBT 600V 22A 156W aisló el transistor bipolar IRGB10B60KDPBF de la puerta	IGBT NPT 600 V 22 A 156 W a través del agujero TO-220AB	Infineon
El transistor del Mosfet del poder de MGW12N120D aisló el transistor bipolar de la puerta con el diodo antiparalelo	IGBT	Fabricante
IRG4BC30UD AISLADOS BLOQUEAN el mosfet BIPOLAR de la energía baja del TRANSISTOR	IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB	Fabricante
IRG4BC20KDPBF AISLADOS BLOQUEAN el mosfet BIPOLAR de la energía baja del TRANSISTOR	IGBT 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB	Fabricante
Alto transistor de la conductancia IGBT/voltaje de alta velocidad 75V del diodo que cambia BAV99	Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la conexión de serie de 1 par 75	Fabricante
Transistor de efecto de campo de alta precisión MBR20100CTP Transistor bipolar de puerta aislada	Cátodo común de array de diodos 100 V de 1 par a través del agujero TO-220-3	Fabricante
Controladores MOSFET de alta velocidad con chip de circuito integrado TC4421AVOA 9A	IC de controlador de puerta de lado bajo que invierte 8-SOIC	Microchip