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IRG4BC30UD AISLADOS BLOQUEAN el mosfet BIPOLAR de la energía baja del TRANSISTOR

IRG4BC30UD AISLADOS BLOQUEAN el mosfet BIPOLAR de la energía baja del TRANSISTOR
IRG4BC30UD AISLADOS BLOQUEAN el mosfet BIPOLAR de la energía baja del TRANSISTOR
fabricante:
Fabricante
Descripción:
IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Collector-to-Emitter Voltage:
600 V
Continuous Collector Current:
12 A
Pulsed Collector Current :
92 A
Clamped Inductive Load Current:
92 A
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Lista COMÚN

PBL3764 1040 ERICSSON 16+ PLCC
OB2268CCPA 5560 ON-BRIGHT 16+ SOP-8
LM5071MT-50 1794 NSC 14+ TSSOP-16
MAX14840EASA+T 5600 MÁXIMA 14+ COMPENSACIÓN
LT1372HVIS8 9466 LINEAR 15+ SOP-8
LTC2209CUP 506 LINEAR 14+ QFN
XCS05-3VQG100C 420 XILINX 12+ QFP100
LP2951CN 10000 NSC 15+ DIP-8
CS8967G 1376 MYSON 16+ QFP
LS1240A 10000 UTC 16+ DIP-8
BTS442E2 2100 14+ TO-220-5
ATMEGA8A-MU 6560 ATMEL 15+ QFN32
ATMEGA8A-MU 2500 ATMEL 15+ QFN-32
ICE1HS01G 2460 14+ SOP-8
AT93C86A-10PU-2.7 2500 ATMEL 13+ DIP-8
FW82801AA SL3Z2 3460 INTEL 16+ BGA
LM4040EIM3X-2.5 10000 NSC 15+ SOT-23
LTC1144CS8#PBF 15010 LINEAR 15+ COMPENSACIÓN
L9829 2201 ST 16+ SOP-36
74HC595D 7500 15+ COMPENSACIÓN
FDS4935A 2200 FSC 15+ SOP-8
ADR5041ARTZ-REEL7 2000 ANUNCIO 16+ SOT-23
CM1200HB-66H 170 MITSUBISH 14+ MÓDULO
FQPF6N80 3460 FAIRCHILD 15+ TO-220
L9929 3136 ST 15+ HSSOP24
74HC4051D 7500 15+ COMPENSACIÓN
MAX280CPA 8800 MÁXIMA 16+ INMERSIÓN
BQ24075RGTR 1560 TI 15+ QFN16
IRG4BC20KD-S 1500 IR 13+ TO-263
1SV149 3000 TOSHIBA 15+ TO-92S
74HC4046AD 7500 16+ COMPENSACIÓN
MC14070BDR2G 38000 EN 16+ COMPENSACIÓN
NPCD378HAKFX 3620 MUVOTON 16+ QFP
HCNW3120 3460 AVAGO 15+ SOP-8/DIP-8
AD8227ARZ 2450 ANUNCIO 14+ COMPENSACIÓN
MC68HC908GZ48CFA 3760 MOT 14+ QFP
BD534 5500 ST 16+ TO-220
MC68HC908GZ60CFA 3766 MOT 14+ QFP
MC1458DT 9317 ST 10+ COMPENSACIÓN
PH1819-60 2050 PHILIPS 14+ TO-63

IRG4BC30UD

Mosfet BIPOLAR AISLADO de la energía baja del TRANSISTOR de la PUERTA

Características

• Ultrarrápido: Optimizado para las altas frecuencias de funcionamiento 8-40 kilociclos en la transferencia dura, >200 kilociclo en modo resonante

• El diseño de la generación 4 IGBT proporciona una distribución más apretada del parámetro y una eficacia más alta que la generación 3

• IGBT co-empaquetó con HEXFREDTM ultrarrápido, diodos antiparalelos de la ultra-suave-recuperación para el uso en configuraciones del puente • Paquete del estándar industrial TO-220AB

Ventajas

• Las eficacias más altas de la oferta de la generación -4 IGBT disponibles

• IGBTs optimizó para las condiciones específicas del uso

• Los diodos de HEXFRED optimizaron para el funcionamiento con IGBTs. Las características minimizadas de la recuperación requieren less/no que rechaza

• Diseñó ser un reemplazo de la “reunión informal” para la generación equivalente 3 IR IGBTs del estándar industrial

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