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El transistor del Mosfet del poder de MGW12N120D aisló el transistor bipolar de la puerta con el diodo antiparalelo

fabricante:
Fabricante
Descripción:
IGBT
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje del Colector-emisor:
1200 VDC
Voltaje de la Colector-puerta (RGE = 1,0 MΩ):
1200 VDC
Voltaje del Puerta-emisor — Continuo:
± 20 VDC
Disipación de poder total @ TC = 25°C:
125 vatios
Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento:
– °C 55 a 150
El cortocircuito soporta tiempo:
10 μs
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introducción


Transistor bipolar aislado de la puerta con el diodo antiparalelo
Puerta de silicio del Aumento-modo del canal N

IGBT Y DIODO EN TO-247
12 A @ 90°C
20 A @ 25°C
1200 VOLTIOS
CORTOCIRCUITO CLASIFICADO

Este transistor bipolar aislado de la puerta (IGBT) co-se empaqueta con un rectificador ultrarrápido de la recuperación suave y utiliza un esquema de la terminación avanzada para proporcionar alta una capacidad de voltaje-bloqueo aumentada y confiable. El cortocircuito valoró IGBT se adapta específicamente para los usos que requerían un cortocircuito garantizado soportar tiempo tal como impulsiones del control de motor. Las características que cambian rápidas dan lugar a la operación eficiente en los de alta frecuencia. el espacio de la reserva de IGBT Co-embalado, reduce tiempo de montaje y coste.

• Paquete del poder más elevado TO-247 del estándar industrial con el agujero de montaje aislado
• Eoff de alta velocidad: ¿150? J/A típico en 125°C
• ¿Alta capacidad del cortocircuito – 10? mínimo de s
• El diodo que rueda libre de la recuperación suave se incluye en el paquete
• Terminación de alto voltaje robusta
• RBSOA robusto

GRADOS MÁXIMOS (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Grado Símbolo Valor Unidad
Voltaje del Colector-emisor VCES 1200 VDC
Voltaje de la Colector-puerta (RGE = 1,0 MΩ) VCGR 1200 VDC
Voltaje del Puerta-emisor — Continuo VGE ± 20 VDC

Corriente de colector — Continuo @ TC = 25°C

— Continuo @ TC = 90°C

— (1) actual pulsado repetidor

IC25

IC90

ICM

20

12

40

VDC

Apk

Disipación de poder total @ TC = 25°C

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

Paladio

125

0,98

Vatios

W/°C

Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento TJ, Tstg – 55 a 150 °C

El cortocircuito soporta tiempo

(VCC = 720 VDC, VGE = 15 VDC, TJ = 125°C, RG = Ω 20)

CAC 10 ¿? μs

Resistencia termal — Empalme para encajonar – IGBT

— Empalme para encajonar – el diodo

— Empalme a ambiente

RθJC

RθJC

RθJA

1,0

1,4

45

°C/W
Temperatura máxima para los propósitos que sueldan, 1/8 ″ de la ventaja del caso por 5 segundos TL 260 °C
Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el tornillo M3 ¿lbf* 10? ¿en (N 1,13? *m)

(1) la anchura de pulso es limitada por temperatura de empalme máxima. Grado repetidor.

DIMENSIONES DEL PAQUETE



Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
L9616D 3785 ST 15+ SOP8
LM7818CT 7181 NSC 14+ TO-220
2MBI100N-060 418 FUJI 12+ MÓDULO
PMBS3904 60000 14+ SOT-23
MT41K128M16JT-125: K 7044 MICRÓN 14+ BGA
P80C31BH-1 9620 INTEL 16+ INMERSIÓN
LXT906PC 4933 LEVELONE 16+ PLCC
LTC3440EMS 6740 LT 16+ MSOP
MAX3232EIPWR 11650 TI 14+ TSSOP
BTA24-600BW 10000 ST 15+ TO-220
MSP430G2231IPW14R 6841 TI 16+ TSSOP
MJF15031G 86000 EN 16+ TO-220
MC7805ABD2TR4G 4072 EN 14+ TO-263
MCP73871-2CCI/ML 5626 MICROCHIP 16+ QFN
MCP1702-5002E/TO 5050 MICROCHIP 16+ TO-92
NCT3941S-A 14560 NUVOTON 11+ SOP-8
LM308H 500 NSC 11+ CAN-8
M27256-2F1 4179 ST 16+ INMERSIÓN
LM75AD 5432 14+ SOP-8
MAX6369KA+T 4625 MÁXIMA 14+ BORRACHÍN
PIC16F76T-I/SO 4988 MICROCHIP 14+ COMPENSACIÓN




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