Filtros
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Chip CI de memoria Flash
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE GRM0335C1E6R2DA01D |
6,2 condensador de cerámica C0G, NP0 0201 (0603 del PF ±0.5pF 25V métricos)
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Fabricante
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MT47H32M16NF-187E: ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE H |
SDRAM - DDR2 la memoria IC 512Mbit es paralelo a 533 megaciclos 350 picosegundos 84-FBGA (8x12.5)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE PZ28F032M29EWBA |
FLASH - NI memoria IC 32Mbit 60 paralelos ns 48-BGA (6x8)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE PZ28F032M29EWHA |
FLASH - NI memoria IC 32Mbit 60 paralelos ns 48-BGA (6x8)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE PZ28F064M29EWBA |
FLASH - NI memoria IC 64Mbit 60 paralelos ns 48-BGA (6x8)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE PZ28F064M29EWHA |
FLASH - NI memoria IC 64Mbit 60 paralelos ns 48-BGA (6x8)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE PZ28F064M29EWTA |
FLASH - NI memoria IC 64Mbit 60 paralelos ns 48-BGA (6x8)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE RC28F00AM29EWLA |
FLASH - NI memoria IC 1Gbit 100 paralelos ns 64-FBGA (11x13)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE PZ28F064M29EWLA |
FLASH - NI memoria IC 64Mbit 60 paralelos ns 48-BGA (6x8)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE RC28F00AM29EWHA |
FLASH - NI memoria IC 1Gbit 100 paralelos ns 64-FBGA (11x13)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE RC28F00BM29EWHA |
FLASH - NI memoria IC 2Gbit 100 paralelos ns 64-FBGA (11x13)
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Micrón
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RC28F128J3F75B ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DEL TR |
FLASH - NOR Memoria IC 128Mbit Paralelo 75 ns 64-EasyBGA (10x13)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE RC28F128M29EWHF |
FLASH - NI memoria IC 128Mbit 60 paralelos ns 64-FBGA (11x13)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE RC28F128P30BF65A |
FLASH - NOR Memoria IC 128Mbit Paralelo 52 MHz 65 ns 64-EasyBGA (10x13)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE RC28F128P30TF65A |
FLASH - NOR Memoria IC 128Mbit Paralelo 52 MHz 65 ns 64-EasyBGA (10x13)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE RC28F128P33TF60A |
FLASH - NOR Memoria IC 128Mbit Paralelo 52 MHz 60 ns 64-EasyBGA (10x13)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE RC28F256M29EWLA |
FLASH - NI memoria IC 256Mbit 100 paralelos ns 64-FBGA (11x13)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE RC28F256M29EWHA |
FLASH - NI memoria IC 256Mbit 100 paralelos ns 64-FBGA (11x13)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE RC28F320J3D75A |
FLASH - NI paralelo 75 ns 64-EasyBGA (10x13) de IC 32Mbit de la memoria
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S34ML08G201TFI000 |
DE DESTELLO - NAND Memory IC 8Gbit 48-TSOP paralelo I
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S34ML08G101TFI000 |
DE DESTELLO - NAND Memory IC 8Gbit 48-TSOP paralelo I
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S34ML04G200TFI000 |
DE DESTELLO - NAND Memory IC 4Gbit 48-TSOP paralelo
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S34ML04G200BHI000 |
DE DESTELLO - NAND Memory IC 4Gbit 63-BGA paralelo (11x9)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S34ML04G100TFI000 |
DE DESTELLO - NAND Memory IC 4Gbit 48-TSOP paralelo
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S34ML02G200TFI000 |
DE DESTELLO - NAND Memory IC 2Gbit 48-TSOP paralelo
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S34ML02G100BHI000 |
DE DESTELLO - NAND Memory IC 2Gbit 63-BGA paralelo (11x9)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S34ML01G200TFI000 |
DE DESTELLO - NAND Memory IC 1Gbit 48-TSOP paralelo
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S34ML02G100TFI00 |
DE DESTELLO - NAND Memory IC 2Gbit 48-TSOP paralelo
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S34ML01G100TFI000 |
DE DESTELLO - NAND Memory IC 1Gbit 48-TSOP paralelo
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S34ML02G200BHI000 |
DE DESTELLO - NAND Memory IC 2Gbit 63-BGA paralelo (11x9)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S34ML02G100TFI000 |
DE DESTELLO - NAND Memory IC 2Gbit 48-TSOP paralelo
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S29JL032J70TFI320 |
FLASH - NOR Memoria IC 32Mbit Paralelo 70 ns 48-TSOP
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Infineon
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RC28F256P30TFF ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DEL TR |
FLASH - NOR Memoria IC 256Mbit Paralelo 52 MHz 100 ns 64-EasyBGA (10x13)
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Micrón
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE W9725G6KB-25 |
SDRAM - DDR2 la memoria IC 256Mbit es paralelo a 400 megaciclos 57,5 ns 84-WBGA (8x12.5)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE W9751G6KB-25 |
SDRAM - DDR2 la memoria IC 512Mbit es paralelo a 400 megaciclos 57,5 ns 84-WBGA (8x12.5)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE W9812G6JH-6I |
La memoria IC 128Mbit de SDRAM es paralelo a 166 megaciclos 5 ns 54-TSOP II
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE W9812G6KH-6 |
La memoria IC 128Mbit de SDRAM es paralelo a 166 megaciclos 5 ns 54-TSOP II
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE W9825G6KH-6 |
La memoria IC 256Mbit de SDRAM es paralelo a 166 megaciclos 5 ns 54-TSOP II
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Fabricante
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ADUC842BSZ62-5 ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico |
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ADUC812BSZ ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico |
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ADUC7061BCPZ32 ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico |
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ADT75BRMZ ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico |
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ADT75ARZ ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico |
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ADT75ARMZ ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico |
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ADT7310TRZ ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico |
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ADT4-1T ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico |
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ADT1-1WT+ ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico |
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ADSP-TS201SYBPZ050 ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico |
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ADSP-TS201SABPZ060 ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico |
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ADSP-21065LKSZ-240 ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico |
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