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Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > MT29F64G08CBABAWP: Memoria masiva plástica del chip de memoria 8GX8 PBF TSOP 3.3V de B Nand Flash IC

MT29F64G08CBABAWP: Memoria masiva plástica del chip de memoria 8GX8 PBF TSOP 3.3V de B Nand Flash IC

MT29F64G08CBABAWP: Memoria masiva plástica del chip de memoria 8GX8 PBF TSOP 3.3V de B Nand Flash IC
MT29F64G08CBABAWP: Memoria masiva plástica del chip de memoria 8GX8 PBF TSOP 3.3V de B Nand Flash IC
fabricante:
Micrón
Descripción:
DE DESTELLO - NAND Memory IC 64Gbit 48-TSOP paralelo I
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Tipo de la memoria:
Permanente
Formato de la memoria:
FLASH
Tecnología:
FLASH - NAND
Tamaño de la memoria:
64Gb (8G x 8)
Voltaje - fuente:
2,7 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento:
0°C ~ 70°C (TA)
Punto culminante:

serial flash chip

,

circuit board chips

Introducción

MT29F64G08CBABAWP:B Chip de memoria IC NAND FLASH 8GX8 PBF PLÁSTICO TSOP 3,3 V Almacenamiento masivo

Características

• Open NAND Flash Interface (ONFI) compatible con la norma 1.01

• Tecnología de células de un solo nivel (SLC)

• Organización tamaño de página x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes) tamaño de página x16: 1056 palabras (1024 + 32 palabras) tamaño del bloque: 64 páginas (128K + 4K bytes) tamaño del plano:2 planos x 2048 bloques por plano ¢ Tamaño del dispositivo: 4Gb: 4096 bloques; 8Gb: 8192 bloques 16Gb: 16.384 bloques

• Rendimiento de E/S asíncrono ¥ tRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)

• Desempeño de la matriz Lectura de página: 25μs 3 Página del programa: 200μs (TYP: 1.8V, 3.3V) 3 Bloqueo de borrado: 700μs (TYP)

• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash

• Conjunto de comandos avanzados ️ Modo de caché de la página del programa4 ️ Modo de caché de la página de lectura4 ️ Modo programable de una sola vez (OTP) ️ Comandos de dos planos 4 ️ Operaciones de matriz entrelazada (LUN) ️ Identificador único de lectura ️ Bloqueo de bloqueo (1.8V solamente)

• El byte de estado de operación proporciona un método de software para detectar                                                                                                                       

• La señal Ready/Busy# (R/B#) proporciona un método de hardware para detectar la finalización de la operación

• WP# señal: Escribir proteger todo el dispositivo

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías Circuitos integrados (CI)
　 Memoria
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Serie -
Estado de las partes Actividad
Tipo de memoria No volátiles
Formato de memoria El flash.
Tecnología Las condiciones de los datos de las unidades de control
Tamaño de la memoria 64Gb (8G x 8)
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página -
Interfaz de memoria En paralelo
Voltagem - Suministro 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)

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