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resistor equipped transistor

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palabras claves   [ resistor equipped transistor ]  Partido 51 productos.
PIMN31,115 Transistores equipados con resistencia NPN / PNP 500 MA 50V Transistores de doble puerta

PIMN31,115 Transistores equipados con resistencia NPN / PNP 500 MA 50V Transistores de doble puerta

Transistores bipolares pre-biasados (BJT) 2 NPN - Pre-biasados (doble) 50V 500mA 420mW Monte de supe
Transistor de poder de BFS505,115 15V RF, transistor superficial del soporte de 18mA 9GHz 150mW

Transistor de poder de BFS505,115 15V RF, transistor superficial del soporte de 18mA 9GHz 150mW

Soporte superficial SC-70 del transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW del RF
Tipo de fines generales sola configuración del transistor NPN de 2SD2227STPW 50V DC 0.15A

Tipo de fines generales sola configuración del transistor NPN de 2SD2227STPW 50V DC 0.15A

Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 mW a través del agujero SPT
El agrupar actual bipolar del poder 65W HFE de los transistores 100V 6A de TIP42C NPN PNP

El agrupar actual bipolar del poder 65W HFE de los transistores 100V 6A de TIP42C NPN PNP

Transistor bipolar (BJT) PNP 100 V 6 A 65 W a través del agujero TO-220
Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB

Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB

Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W a través del agujero TO-220
BORRACHÍN superficial 23 del soporte de los transistores 140MHz 625mW de FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

BORRACHÍN superficial 23 del soporte de los transistores 140MHz 625mW de FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

Transistor bipolar (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz soporte superficial SOT-23-3 de 6
Soporte superficial 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201,215 NPN PNP

Soporte superficial 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201,215 NPN PNP

Soporte TO-236AB de la superficie 417mW (TA) del P-canal 60 V 300mA (TA)
2N7002PW canal N superficial 60V 310mA (TA) 260mW de los transistores del soporte NPN PNP

2N7002PW canal N superficial 60V 310mA (TA) 260mW de los transistores del soporte NPN PNP

Soporte SOT-323 de la superficie 260mW (TA) del canal N 60 V 315mA (TA)
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 3 un soporte superficial D-Pak de 50MHz 1 W
Original a estrenar planar epitaxial del silicio SANKEN del transistor de 2SA1295 PNP

Original a estrenar planar epitaxial del silicio SANKEN del transistor de 2SA1295 PNP

Transistor bipolar (BJT) PNP 230 V 17 un 35MHz 200 W a través del agujero MT-200
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Chip de circuito integrado L293B CONTROLADORES DE CUATRO CANALES PUSH PULL

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Conductor bipolar Parallel 16-DIP del motor
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