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Componentes electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU9024NPBF |
P-canal 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de VS-HFA08SD60STRPBF |
Soporte superficial D-PAK (TO-252AA) del diodo 600 V 8A
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo 80CNQ045ASM |
Cátodo común de array de diodos 45 V 40A de 1 par a través del agujero D-61-8-SM
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1018EPBF |
Canal N 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo IRF100B201 |
Canal N 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1405PBF |
Canal N 55 V 169A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1407STRLPBF |
Canal N 75 V 100A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 200W (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1312PBF |
Canal N 80 V 95A (Tc) 3.8W (TA), 210W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF1404ZSTRLPBF |
Soporte PG-TO263-3 de la superficie 200W (Tc) del canal N 40 V 180A (Tc)
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Infineon
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IRLB3034PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Orificio pasante TO-220AB
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRLB3036PBF |
Canal N 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRLB3813PBF |
Canal N 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFD120PBF |
Canal N 100 V 1.3A (TA) 1.3W (TA) a través del agujero 4-HVMDIP
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR3709ZTRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 79W (Tc) del canal N 30 V 86A (Tc)
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Infineon
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2SC2712-GR,LF IC de memoria flash nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Montado de superficie S-Mini
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TOSHIBA
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2SC2712-Y,LF IC de memoria flash nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Montado de superficie S-Mini
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TOSHIBA
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TIP127 ALCANZAS nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W a través del agujero TO-220
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Semi / Semi catalizador
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TIP31C ALCANZA NUEVA Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 100 V 3 A 2 W a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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8ETH06 IC de memoria flash nuevo y original |
Diodo 600 V 8A Orificio Pasante TO-220AC
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VISHAY
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BCM846SH6327XTSA1 IC de memoria flash nuevo y original |
Conjunto de transistores bipolares (BJT) 2 NPN (doble) 65 V 100 mA 250 MHz 250 mW Montaje en superfi
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Infineon
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GRM033R71A122KA01D existencias nuevas y originales |
1200 condensador de cerámica del PF el ±10% 16V X7R 0201 (0603 métricos)
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Murata
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GRM155R61C105KA12D condensador de alta temperatura nuevo y original |
1 µF ±10 % Condensador cerámico de 16 V X5R 0402 (1005 métrico)
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Murata
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