Filtros
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chips CI electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFH5215TRPBF |
Canal N 150 V 5 A (Ta), 27 A (Tc) 3,6 W (Ta), 104 W (Tc) Montaje en superficie PQFN (5x6)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFHM830TRPBF |
Canal N 30 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,7 W (Ta), 37 W (Tc) Montaje en superficie 8-PQFN-Dual (3,3x3,3)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFH5015TRPBF |
Canal N 150 V 10 A (Ta), 56 A (Tc) 3,6 W (Ta), 156 W (Tc) Montaje en superficie 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFH4253DTRPBF |
Matriz Mosfet 25V 64A, 145A 31W, 50W Montaje en superficie PQFN (5x6)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-20CTQ150PBF |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 150 V 10A Orificio pasante TO-220-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-30CPQ100PBF |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 100 V 15 A Orificio pasante TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFH5010TRPBF |
Canal N 100 V 13 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6 W (Ta), 250 W (Tc) Montaje en superficie 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-30CPH03PBF |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 300 V 15A Orificio pasante TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-30CPQ150PBF |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 150 V 15A Orificio pasante TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRF4905STRLPBF |
Soporte D2PAK de la superficie 170W (Tc) del P-canal 55 V 42A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRF4905PBF |
P-canal 55 V 74A (Tc) 200W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRF4104SPBF |
Canal N 40 V 75 A (Tc) 140 W (Tc) Montaje en superficie D2PAK
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFH7440TRPBF |
Canal N 40 V 85 A (Tc) 104 W (Tc) Montaje en superficie 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFBC20PBF |
Canal N 600 V 2.2A (Tc) 50W (Tc) Orificio pasante TO-220AB
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFP90N20DPBF |
Canal N 200 V 94A (Tc) 580W (Tc) Orificio pasante TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFB42N20DPBF |
Canal N 200 V 44A (Tc) 2.4W (TA), 330W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SI4166DY-T1-GE3 |
Canal N 30 V 30,5 A (Tc) 3 W (Ta), 6,5 W (Tc) Montaje en superficie 8-SOIC
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFH5300TRPBF |
Canal N 30 V 40 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6 W (Ta), 250 W (Tc) Montaje en superficie 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SI5855CDC-T1-E3 |
Canal P 20 V 3,7 A (Tc) 1,3 W (Ta), 2,8 W (Tc) Montaje en superficie 1206-8 ChipFET™
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-40CPQ100PBF |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 100 V 20A Orificio pasante TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-40CPQ060PBF |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 60 V 20 A Orificio pasante TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-40CPQ100-N3 |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 100 V 40 A Orificio pasante TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR8729TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 55W (Tc) del canal N 30 V 58A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR8743TRPBF |
Canal N 30 V 160 A (Tc) 135 W (Tc) Montaje en superficie D-Pak
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR3410TRPBF |
Canal N 100 V 17 A (Tc) 79 W (Tc) D-Pak de montaje en superficie
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR7843TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 140W (Tc) del canal N 30 V 161A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR2905TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 110W (Tc) del canal N 55 V 42A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR3114ZTRPBF |
Canal N 40 V 42 A (Tc) 140 W (Tc) Montaje en superficie D-Pak
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR8726TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 75W (Tc) del canal N 30 V 86A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR2905ZTRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 110W (Tc) del canal N 55 V 42A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRLR9343TRPBF |
Soporte PG-TO252-3 de la superficie 79W (Tc) del P-canal 55 V 20A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQG15HSR22J02D |
Inductor multicapa sin blindaje de 220 nH 120 mA 3,77 ohmios máx. 0402 (1005 métrico)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH2MCN100K02L |
Núcleo de tambor sin blindaje de 10 µH, inductor bobinado 225 mA 1,56 ohmios máx. 0806 (2016 métrico
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH2MCN220K02L |
Núcleo de tambor sin blindaje de 22 µH, inductor bobinado 185 mA 2,73 ohmios máx. 0806 (2016 métrico
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH2MCN4R7M02L |
Núcleo de tambor sin blindaje de 4,7 µH, inductor bobinado 300 mA 1,04 ohmios máx. 0806 (2016 métric
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH32CN100K23L |
Núcleo de tambor sin blindaje de 10 µH, inductor bobinado 300 mA 572 mOhm máx. No estándar
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH32CN1R0M23L |
Núcleo de tambor sin blindaje de 1 µH, inductor bobinado 800 mA 117 mOhm máx. No estándar
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH32CN1R0M33L |
Núcleo de tambor sin blindaje de 1 µH, inductor bobinado 1 A 78 mOhm máx. No estándar
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH32CN221K23L |
Núcleo de tambor sin blindaje de 220 µH, inductor bobinado 70 mA 10,92 ohmios máx. No estándar
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH32CN4R7M23L |
Núcleo de tambor sin blindaje de 4,7 µH, inductor bobinado 450 mA 260 mOhm máx. No estándar
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH32MN1R0M23L |
Núcleo de tambor sin blindaje de 1 µH, inductor bobinado 445 mA 500 mOhm máx. No estándar
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH32PN100MN0L |
Núcleo de tambor blindado de 10 µH, inductor bobinado 700 mA 456 mOhm máx. No estándar
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH32CN470K53L |
Núcleo de tambor sin blindaje de 47 µH, inductor bobinado 170 mA 1,69 ohmios máx. No estándar
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH32CN4R7M33L |
Núcleo de tambor sin blindaje de 4,7 µH, inductor bobinado 650 mA 195 mOhm máx. No estándar
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH32MN101J23L |
Núcleo de tambor sin blindaje de 100 µH, inductor bobinado 80 mA 7 ohmios máx. No estándar
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH32PN2R2NN0L |
Núcleo de tambor blindado de 2,2 µH, inductor bobinado 1,6 A 91,2 mOhm máx. No estándar
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH32PN4R7NN0L |
Núcleo de tambor blindado de 4,7 µH, inductor bobinado 1 A 180 mOhm No estándar
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH3NPN100MM0L |
Núcleo de tambor blindado de 10 µH, inductor bobinado 870 mA 312 mOhm Máx. 1212 (3030 métrico)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH3NPN1R0NG0L |
Núcleo de tambor blindado de 1 µH, inductor bobinado 1,525 A 96 mOhm Máx. 1212 (3030 métrico)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE LQH3NPN4R7MM0L |
Núcleo de tambor blindado de 4,7 µH, inductor bobinado 1,25 A 156 mOhm Máx. 1212 (3030 métrico)
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Fabricante
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