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chips CI electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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16CTQ100 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Cátodo común de array de diodos 100 V 8A de 1 par a través del agujero TO-220-3
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VISHAY
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IRLU024NPBF existencias nuevas y originales |
Canal N 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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SIRA04DP-T1-GE3 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Canal N 30 V 40A (Tc) 5W (TA), soporte PowerPAK® SO-8 de la superficie 62.5W (Tc)
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VISHAY
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APT15DQ100KG existencias nuevas y originales |
Diodo 1000 V 15A a través del agujero TO-220 [K]
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Microchip
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SIHG20N50C-E3 HISTORÍA NUEVA y original |
Canal N 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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VISHAY
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IRFR220NTRPBF existencias nuevas y originales |
Soporte D-Pak de la superficie 43W (Tc) del canal N 200 V 5A (Tc)
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Infineon
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IRFR9024NTRPBF existencias nuevas y originales |
Soporte D-Pak de la superficie 38W (Tc) del P-canal 55 V 11A (Tc)
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Infineon
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IRFB4137PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 300 V 38A (Tc) 341W (Tc) a través del agujero TO-220
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Infineon
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IRFR120NTRPBF BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte D-Pak de la superficie 48W (Tc) del canal N 100 V 9.4A (Tc)
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Infineon
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IRFR3910TRPBF existencias nuevas y originales |
Soporte D-Pak de la superficie 79W (Tc) del canal N 100 V 16A (Tc)
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Infineon
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IRFU024NPBF ALCANZAS nuevas y originales |
Canal N 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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FOD2712AR2 IC de memoria flash nuevo y original |
El transistor del aislador óptico hizo salir 2500Vrms 1 el canal 8-SOIC
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Semi / Semi catalizador
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FOD2712 IC de memoria flash nuevo y original |
El transistor del aislador óptico hizo salir 2500Vrms 1 el canal 8-SOIC
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Semi / Semi catalizador
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FOD2742B IC de memoria flash nuevo y original |
El transistor del aislador óptico hizo salir 2500Vrms 1 el canal 8-SOIC
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Semi / Semi catalizador
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8ETH06 memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC |
Diodo 600 V 8A Orificio Pasante TO-220AC
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VISHAY
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Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de IRF7807ZTRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del canal N 30 V 11A (TA)
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Infineon
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Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de IRF7473PBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del canal N 100 V 6.9A (TA)
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Infineon
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Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de IRFZ44NPBF |
Canal N 55 V 49A (Tc) 94W (Tc) Orificio pasante TO-220AB
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Infineon
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Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de IRF7853TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del canal N 100 V 8.3A (TA)
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Infineon
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IRF7233 memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del P-canal 12 V 9.5A (TA)
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Infineon
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2SC2712-Y, memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de LXHF |
Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz soporte superficial de 200 mW S-mini
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Fabricante
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3296W-1-500 condensador de ajuste 3/8" potenciómetro de SMD Chip Resistor Square Trimpot Trimming |
50 ohmios de 0.5W, pernos de la PC 1/2W con el ajuste del top de la vuelta del cerametal 25,0 del po
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Fabricante
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MOV-14D471KTR ZOV Chip Resistor de alto voltaje, varistor dependiente del voltaje en el agujero |
470 circuito del varistor 1 de ka de V 4,5 a través del disco 14m m del agujero
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Fabricante
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Original a estrenar planar epitaxial del silicio SANKEN del transistor de 2SA1295 PNP |
Transistor bipolar (BJT) PNP 230 V 17 un 35MHz 200 W a través del agujero MT-200
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Fabricante
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Poder del silicio NPN del transistor C5200 A1943 del amplificador audio de 2SC5200 2SA1943 |
Transistor bipolar (BJT) NPN 230 V 15 un 30MHz 150 W a través del agujero TO-264
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STMicroelectronics
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Sistema nórdico del RF del semiconductor de los componentes electrónicos de NRF52840 QIAA R IC |
IC RF TxRx + MCU 802.15.4, filas duales de Bluetooth Bluetooth v5.0 2.4GHz 73-VFQFN, cojín expuesto
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Fabricante
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Sistema nórdico del RF del semiconductor NRF52832-QFAA-R7 en una modulación del microprocesador GFSK |
IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.3 2.4GHz 48-VFQFN expuso el cojín
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Fabricante
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Semiconductor nórdico ASA de los ICs del transmisor-receptor de NRF52832-QFAA-R GFSK RF |
IC RF TxRx + MCU Bluetooth, ISMO general > 1GHz Bluetooth v5.3 2.4GHz 48-VFQFN expuso el cojín
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Fabricante
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Sistema del RF de los componentes electrónicos de NRF52832-CIAA-R IC en un microprocesador |
General ISMO > 1GHz Bluetooth v5.3 2.4GHz 50-XFBGA, WLCSP de IC RF TxRx + de MCU
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Fabricante
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Sistema nórdico del RF del semiconductor de los componentes electrónicos de NRF51822-QFAA-R7 IC |
IC RF TxRx + MCU Bluetooth, ISMO general > 1GHz Bluetooth v4.0 2.4GHz 48-VFQFN expuso el cojín
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Fabricante
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Sensor MPX5010DP de la presión |
Varón diferenciado del sensor 1.45PSI (10kPa) de la presión - 0,19" tubo (de 4.93m m), se dobla 0,2
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NXP
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Sensor de temperatura infrarrojo sin contacto remoto original de la fuente de alimentación de la acción MLX90614ESF-BAA-000-TU 3V MLX90614ESFBAA |
Sensor de temperatura Digital, (IR) -40°C infrarrojo ~ 85°C 16 b TO-39
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Fabricante
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(Nueva original) componentes electrónicos con mejores ventas de IC MCR100-6G |
Puerta sensible del SCR 400 V 800 mA a través del agujero TO-92 (TO-226)
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Semi / Semi catalizador
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nuevos y originales mejores del precio del transistor BZT52C4V7-E3-08 componentes electrónicos del circuito integrado |
Soporte superficial SOD-123 del diodo Zener 4,7 V 410 mW el ±5%
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VISHAY
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Piezas DFLS1100-7 del componente electrónico |
Soporte superficial PowerDI™ 123 del diodo 100 V 1A
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Fabricante
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M5Stack ESP32-CAM WiFi BT BLE con el tablero del desarrollo del tablero ESP32 de base de WIFI del módulo de la cámara OV2640 |
ESP32, OV2640 - Comité de Evaluación de sensor del sensor de la imagen
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Fabricante
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Nuevo Photocoupler de alta velocidad f de IC o impulsión del MOS-FET/de IGBT (8-pin SMD) PC923L0YSZ0F |
canal 8-DIP de Optical Coupling 5000Vrms 1 del conductor de la puerta 600mA
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Fabricante
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Transmisor-receptor electrónico del RF del poder de Chips Single Chip Very Low del circuito integrado de CC1000PW |
ISMO general de IC RF TxRx solamente < 1GHz 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz 28-TSSOP (0,173", anchura
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Las acciones de Texas Instruments
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Sensores de temperatura centígrados de la precisión electrónica del circuito integrado de LM35DM |
Análogo del sensor de temperatura, 0°C local ~ 100°C 10mV/°C 8-SOIC
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Las acciones de Texas Instruments
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Casquillo de cerámica de múltiples capas del microprocesador del tantalio del ic del condensador de C2012X7S2A224K085AE SMD0805 |
0,22 µF ±10 % Condensador cerámico de 100 V X7S 0805 (2012 métrico)
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Fabricante
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INDUCTORES del PODER del PERFIL BAJO de la gota de ferrita de SRN4018-150M SMD |
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico SPW47N60C3FKSA1 |
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico de 1SV305, de L3F |
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico 1SV323 |
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico de 1SV325, de H3F |
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico de CL10C391JB8NNNC |
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SAMSUNG
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico de CL10C680JB8NNNC |
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SAMSUNG
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico de CL21A106KOQNNNE |
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SAMSUNG
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico de CL21A226KQQNNNE |
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SAMSUNG
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico de CL21C151JBANNNC |
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SAMSUNG
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