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Módulo de potencia IGBT
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Transistor de efecto de campo IRG4PC40WPBF STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
IGBT 600 V 40 A 160 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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Transistor de efecto de campo IRG4BC40UPBF STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
IGBT 600 V 40 A 160 W Orificio pasante TO-220AB
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Infineon
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IRG4PH40UDPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
IGBT 1200 V 41 A 160 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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IRG4PH50UDPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
IGBT 1200 V 45 A 200 W a través del agujero TO-247AC
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Fabricante
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Transistor de efecto de campo IRG4PC50UPBF STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
IGBT 600 V 55 A 200 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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IRG4PC50WPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
IGBT 600 V 55 A 200 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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IRG4PF50WDPBF Transistor de efecto de campo STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
IGBT 900 V 51 A 200 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGP35B60PDPBF |
IGBT NPT 600 V 60 A 308 W a través del agujero TO-247AC
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRG4IBC20UDPBF |
IGBT 600 V A 11,4 34 W a través del agujero TO-220AB Lleno-Pak
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRG4PC50KDPBF |
IGBT 600 V 52 A 200 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRG4PC50UDPBF |
IGBT 600 V 55 A 200 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRG4PF50WPBF |
IGBT 900 V 51 A 200 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRG4PH50UDPBF |
IGBT 1200 V 45 A 200 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRG4PC50UPBF |
IGBT 600 V 55 A 200 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGIB10B60KD1P |
IGBT NPT 600 V 16 A 44 W a través del agujero TO-220AB Lleno-Pak
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGP50B60PDPBF |
IGBT NPT 600 V 75 A 370 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGP50B60PD1PBF |
IGBT NPT 600 V 75 A 390 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGP20B60PDPBF |
IGBT NPT 600 V 40 A 220 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGP35B60PDPBF |
IGBT NPT 600 V 60 A 308 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGB6B60KDPBF |
IGBT NPT 600 V 13 A 90 W a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGS10B60KDTRRP |
Soporte superficial D2PAK de IGBT NPT 600 V 22 A 156 W
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGP4660D-EPBF |
IGBT 600 V 100 A 330 W a través del agujero TO-247AD
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGP4062DPBF |
Foso 600 V 48 A 250 W de IGBT a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGP4068DPBF |
Foso 600 V 96 A 330 W de IGBT a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGI4061DPBF |
Foso 600 V 20 A 43 W de IGBT a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRAM136-1061A2 |
La fase 600 V 12 de Module IGBT 3 del conductor del poder 29-PowerSSIP un módulo, 21 ventajas, formó
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGB4061DPBF |
Foso 600 V 36 A 206 W de IGBT a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGB4062DPBF |
Foso 600 V 48 A 250 W de IGBT a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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TPS51916EVM-746 DDR2 completo dólar síncrono GRM32ER60J107ME20L de la solución del poder de la memoria DDR3L y DDR4 de DDR3 |
TPS51916 D-CAP™, propósito especial DC/DC, fuente 1, Comité de D-CAP2™ de la memoria de RDA de Evalu
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Las acciones de Texas Instruments
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MPX5010DP IC integró el sensor de la presión del silicio en Chip Signal Conditioned |
Varón diferenciado del sensor 1.45PSI (10kPa) de la presión - 0,19" tubo (de 4.93m m), se dobla 0,2
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NXP
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PTH04070WAZ 3-A, 3.3/5-V ENTRÓ el tablero de microprocesador electrónico AJUSTABLE del RECORTE REGULADOR |
El convertidor sin aislar 1 de PoL Module DC DC hizo salir 0,9 ~ 3.6V 3A 3V - entrada 5.5V
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Las acciones de Texas Instruments
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El proveedor de IC Chips Electronics China Golden IC del sensor de la presión de MPX5100AP de alta velocidad PUEDE transmisor-receptor |
Sensor 2.18PSI ~ 16.68PSI (varón absoluto 15kPa ~ 115kPa) - 0,19" de la presión tubo 0,2 V ~ 4,7 mód
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NXP
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Programa ic Chip Memory IC del diodo de rectificador de IC del sensor de la presión de S3B-PH-SM4-TB (SI) (SN) |
Soporte superficial del jefe del conector, 3 posición de ángulo recto 0,079" (2.00m m)
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Fabricante
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Electrónica ICs Chip Integarted Circuts del módulo de poder de 0878321420 Mosfet |
Posición superficial 0,079" del soporte 14 del jefe del conector (2.00m m)
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Fabricante
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Transistores de poder complementarios del silicio del módulo de poder del Mosfet de FGL40N120ANDTU |
IGBT
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Fabricante
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Módulo de poder elegante del diodo del tiristor del módulo de poder del Mosfet de FSBB30CH60F |
Fase 600 V 30 de Module IGBT 3 del conductor del poder un módulo 27-PowerDIP (1,205", 30.60m m)
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Semi / Semi catalizador
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MOSFET del canal N del módulo del diodo del tiristor del módulo de poder del Mosfet IXFN38N100Q2 |
Soporte SOT-227B del chasis 890W (Tc) del canal N 1000 V 38A (Tc)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de BSM50GP120BOSA1 IGBT |
Módulo IGBT Inversor trifásico 1200 V 80 A Módulo de montaje en chasis
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de VS-40HFL60S05 IGBT |
Diodo 600 V 40A Chasis, montaje con perno DO-203AB (DO-5)
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de VS-T70HFL60S05 IGBT |
Diodo 600 V 70A Montaje en chasis D-55
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de FF200R17KE3HOSA1 IGBT |
Módulo IGBT Semipuente de parada de campo de trinchera 1700 V 310 A 1250 W Módulo de montaje en chas
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de KWD10-1212 IGBT |
Convertidores de CA CC en gabinete 2 Salida 12V 450mA, 450mA 85 ~ 265 VAC Entrada
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de VS-160MT160KPBF IGBT |
Puente rectificador trifásico estándar 1,6 kV montaje en chasis MT-K
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de DDB6U144N16RBPSA1 IGBT |
Puente rectificador trifásico estándar 1,6 kV montaje en chasis AG-ECONO2A
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de PS21767 IGBT |
Módulo controlador de alimentación IGBT trifásico 600 V 30 A Módulo 38-PowerDIP (1,413", 35,90 mm)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de PS21765 IGBT |
Módulo controlador de alimentación IGBT trifásico 600 V 20 A Módulo 38-PowerDIP (1,413", 35,90 mm)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de CS241250 IGBT |
Diodo 1200 V 50A Montaje en chasis Módulo POW-R-BLOK™
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de PH150S280-5 IGBT |
Módulo Aislado Convertidor DC DC 1 Salida 5V 30A Entrada 200V - 400V
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de PH100S280-5 IGBT |
Módulo Aislado Convertidor DC DC 1 Salida 5V 20A 200V - 400V Entrada
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del módulo de poder de PF500A-360 IGBT |
Convertidores CA CC en gabinete 1 Salida 360V 1.4A 85 ~ 265 VAC Entrada
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Fabricante
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