VISHAY
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Diodo de transferencia rápido del caso de RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08 |
Soporte superficial SOD-123 del diodo 75 V 150mA
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CÉSPED de LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodos de Schottky de la señal |
Soporte superficial SOD-80 MiniMELF del diodo 30 V 200mA
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VISHAY
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Voltaje VISHAY del pilar del poder de pulso máximo SMBJ170A-E3/52 600W 17V |
275V soporte superficial DO-214AA (SMBJ) del diodo de la abrazadera 2.2A Ipp TV
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IRFP9240 Rectificador de propósito general Diodo P canal con 150W a través del agujero |
P-canal 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Canal IRFP9240PBF del Mosfet 12A 200V P del poder de TO-247 VISHAY |
P-canal 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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VO1400AEFTR Transistor de efecto de campo nuevo y original |
SPST-NO de estado sólido (1 forma A) 4-SOP (0,173", 4.40m m)
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VISHAY
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VS-60CPQ150PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Cátodo común de array de diodos 150 V 30A de 1 par a través del agujero TO-247-3
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VS-36MB160A Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Estándar la monofásico del puente rectificador terminal D-34 del control de calidad de 1,6 kilovolti
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IRF640PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-canal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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IRF620PBF Transistor de efecto de campo NUEVO Y ORIGINAL |
N-canal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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MBRB10100-E3/8W Nuevo y original |
Diodo 100 V 10A montado en la superficie TO-263AB (D2PAK)
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-HFA25PB60PBF |
El diodo 600 V 25A a través del agujero TO-247AC se modificó
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE TCMT1107 |
El transistor del aislador óptico hizo salir 3750Vrms 1 el canal 4-SOP
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 1N5245B-TAP |
Diodo Zener 15 V 500 mW el ±5% a través del agujero DO-35 (DO-204AH)
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SUD17N25-165-E3 |
Canal N 250 V 17A (Tc) 3W (TA), soporte TO-252AA de la superficie 136W (Tc)
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IRF620PBF Transistor de efecto de campo NUEVO Y ORIGINAL |
N-canal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VS-63CPQ100PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Diodo 1 par de cátodo común 100 V 30A a través del agujero TO-247-3
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IRF9540PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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IRF9640STRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 200 V 11A (Tc) 3W (TA), 125W (Tc) ² PAK (TO-263) del soporte D de la superficie
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IRF9630PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VS-ETH1506S-M3 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial TO-263AB (² PAK del diodo 600 V 15A de D)
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VO0630T Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Optoisolador de salida lógica de 10 MBd de drenaje abierto 4000Vrms 2 canales 1kV/μs CMTI 8-SOIC
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IRF640PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-canal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-HFA25TB60PBF |
Diodo 600 V 25A a través del agujero TO-220AC
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PDTC144ET Diodo de chip nuevo y original |
Transistores bipolares prebiasados (BJT)
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V40150C-E3/4W Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Cátodo común de array de diodos 150 V 20A de 1 par a través del agujero TO-220-3
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRF830BPBF |
Canal N 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S3D-E3/57T |
Soporte superficial DO-214AB (SMC) del diodo 200 V 3A
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SI3456DDV-T1-GE3 |
Canal N 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (TA), soporte 6-TSOP de la superficie 2.7W (Tc)
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SUP85N03-04P-E3 |
Canal N 30 V 85A (Tc) 3.75W (TA), 166W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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SIR688DP-T1-GE3 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 60 V 60A (Tc) 5.4W (TA), soporte PowerPAK® SO-8 de la superficie 83W (Tc)
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BYG10M-E3/TR Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial DO-214AC (SMA) del diodo 1000 V 1.5A
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SMAJ48A-E3/61 |
77.4V soporte superficial DO-214AC (SMA) del diodo de la abrazadera 5.2A Ipp TV
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE P6SMB24A-E3/52 |
Pinza 33.2V 18.1A Ipp Tvs Diodo Montaje Superficial DO-214AA (SMB)
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VS-EPH3006-F3 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Diodo 600 V 30A Agujero Pasante TO-247AC Modificado
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 43CTQ100 |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 100 V 20A Orificio pasante TO-220-3
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-30CPQ100PBF |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 100 V 15 A Orificio pasante TO-247-3
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-30CPH03PBF |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 300 V 15A Orificio pasante TO-247-3
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo SI7615ADN-T1-GE3 |
P-canal 20 V 35A (Tc) 3.7W (TA), soporte superficial 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP264PBF |
Canal N 250 V 38A (Tc) 280W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP460LCPBF |
Canal N 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP22N50APBF |
Canal N 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRF840STRLPBF |
Canal N 500 V 8A (Tc) 3.1W (TA), 125W (Tc) ² PAK (TO-263) del soporte D de la superficie
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-ETX0806FP-M3 |
Diodo 600 V 8A a través del paquete completo del agujero TO-220-2
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-ETU1506FP-M3 |
Diodo 600 V 15A a través del paquete completo del agujero TO-220-2
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resistores MMB02070C1802FB200 de 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms el ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-azufre, película fina automotriz AEC-Q200
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MMB02070C1004FB200 situación activa de la pieza de la película anti del azufre SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin |
1 MOhms el ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-azufre, película fina automotriz AEC-Q200
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Resistor de película metálica de KOhms el ±1% MELF 0207 del resistor de película fina MMB02070C1503FB200 150 |
150 kOhms el ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-azufre, película fina automotriz AEC-Q200
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Resistor del ohmio 390k de SMM02040C3903FB300 MELF 0204, resistor de lastre automotriz del azufre anti |
390 kOhms el ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-azufre, AEC-Q200 automotriz, pulso que so
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Azufre anti 2/5W de MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W 0204 2,2 KOhms |
2,2 kOhms el ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-azufre, película fina automotriz AEC-Q200
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