Infineon
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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300W-500W interruptor del amplificador TO-220 IRFB4227PBF PDP |
Canal N 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IGBT 600V 22A 156W aisló el transistor bipolar IRGB10B60KDPBF de la puerta |
IGBT NPT 600 V 22 A 156 W a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGIB10B60KD1P |
IGBT NPT 600 V 16 A 44 W a través del agujero TO-220AB Lleno-Pak
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Infineon
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IRGP35B60PDPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
IGBT NPT 600 V 60 A 308 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGP20B60PDPBF |
IGBT NPT 600 V 40 A 220 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGB6B60KDPBF |
IGBT NPT 600 V 13 A 90 W a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGP50B60PD1PBF |
IGBT NPT 600 V 75 A 390 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGP50B60PDPBF |
IGBT NPT 600 V 75 A 370 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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IRG4BC30KDSTRRP Transistor de efecto de campo nuevo y original |
El sistema de control de velocidad de la unidad IGBT 600 V 28 A 100 W
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFH5300TRPBF |
Canal N 30 V 40 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6 W (Ta), 250 W (Tc) Montaje en superficie 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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IRFIZ44NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 55 V 31A (Tc) 45W (Tc) a través del agujero TO-220AB Lleno-Pak
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Infineon
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IRF640NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF6665TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-Canal 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Montaje de superficie DIRECTFETTM SH
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Infineon
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IRF6216TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-Canal 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Montado de superficie 8-SO
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Infineon
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IRF6638TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Se aplican las siguientes medidas:
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Infineon
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IRF6218STRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em
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Infineon
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IRF630NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF6620TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará para determinar e
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Infineon
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IRF630NSTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-canal 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Montaje de superficie D2PAK
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Infineon
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IRF640NSTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte D2PAK de la superficie 150W (Tc) del canal N 200 V 18A (Tc)
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Infineon
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XC161CJ16F40FBBKXUMA1 nuevo y original |
C166SV2 XC16x Microcontrolador IC de 16 bits 40MHz 128KB (128K x 8) FLASH PG-TQFP-144-7
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Infineon
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BA595E6327 Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
PIN de diodo de RF - 50V único de 50 mA PG-SOD323-2-1
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE AUIR3200STR |
Conductor IC Non-Inverting PG-DSO-8-904 de la puerta del Alto-lado
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2011STRPBF |
Conductor IC Inverting 8-SOIC del Alto-lado o de la puerta del Bajo-lado
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2085STRPBF |
El conductor IC RC de la puerta del semipuente entró el circuito 8-SOIC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2010STRPBF |
Conductor IC Non-Inverting 16-SOIC de la puerta del semipuente
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRL1404PBF |
Canal N 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGI4061DPBF |
Foso 600 V 20 A 43 W de IGBT a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE AUIRFS4010-7TRL |
Soporte D2PAK (7-Lead) de la superficie 380W (Tc) del canal N 100 V 190A (Tc)
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Infineon
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IRF6638TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Se aplican las siguientes medidas:
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Infineon
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IRF6620TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará para determinar e
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Infineon
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IRF630NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF630NSTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-canal 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Montaje de superficie D2PAK
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Infineon
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IRF6665TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-Canal 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Montaje de superficie DIRECTFETTM SH
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Infineon
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IRF6216TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-Canal 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Montado de superficie 8-SO
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Infineon
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IRF6218STRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em
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Infineon
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IRF640NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF9530NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 100 V 14A (Tc) 79W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF9540NSTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 100 V 23A (Tc) 3.1W (TA), soporte D2PAK de la superficie 110W (Tc)
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Infineon
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IRF9362TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial 8-SO del arsenal 30V 8A 2W del Mosfet
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Infineon
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IRF9640PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF9358TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial 8-SO del arsenal 30V 9.2A 2W del Mosfet
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IRF9Z24NSTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 55 V 12A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 45W (Tc)
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Infineon
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IRF9Z34NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF9530NSTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 100 V 14A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 79W (Tc)
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Infineon
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IRF9Z24NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 55 V 12A (Tc) 45W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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IRF9310TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del P-canal 30 V 20A (Tc)
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IRS2113PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Conductor IC Non-Inverting 14-DIP de la puerta del semipuente
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IRS2110PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Conductor IC Non-Inverting 14-DIP de la puerta del semipuente
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IRG4BC30KDPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
IGBT 600 V 28 A 100 W a través del agujero TO-220AB
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