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Programa ic Chip Memory IC de los componentes de la electrónica de IC del diodo Zener de PVT322S

fabricante:
Fabricante
Descripción:
SPST-NO de estado sólido (1 forma A) x 2 8-SMD (0,300", 7.62m m)
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Gama de temperaturas:
– 40°C a +100°C
término del pago:
T/T, Paypal, Western Union
Voltaje:
7.0v
Actual:
2,0 a 25mA
Paquete:
SOP-8
Paquete de la fábrica:
Carrete
Punto culminante:

chip in electronics

,

integrated components

Introducción

Serie PVT322

Retransmisión fotovoltaica poste dual, 0-250V normalmente abierto, 170mA AC/DC del MOSFET del poder del poder microelectrónico de IC HEXFET®

Descripción general

La retransmisión fotovoltaica de la serie PVT322 es un dualpole, la retransmisión de estado sólido normalmente abierta que puede substituir las retransmisiones electromecánicas en muchos usos.

Utiliza el MOSFET del poder del HEXFET del rectificador internacional como el interruptor de salida, conducido por un generador fotovoltaico del circuito integrado de la construcción nueva.

El interruptor de salida es controlado por la radiación de un diodo electroluminoso de GaAlAs (LED) que ópticamente se aísle del generador fotovoltaico.

Las retransmisiones de la serie PVT322 se empaquetan en 8 un perno, paquete moldeado de la INMERSIÓN con los terminales del soporte del por-agujero o de la superficie (gaviota-ala).

Está disponible en tubos de envío plásticos estándar o en la cinta-andreel. Refiera por favor al contrario de la información de la identificación de la parte.

Característica

Salida del MOSFET del poder de HEXFET

operación Despedida-libre

Aislamiento de la entrada-salida de 4.000 VRMS

Operación linear de AC/DC

Confiabilidad de estado sólido

La UL reconoció y BABT certificado

¿Usos???

¿Interruptor con./desc. del gancho? ¿Transferencia de la extremidad y de Ring Line?

PA general de la transferencia

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (1)

Corriente mínima del control (véase figure1) 2,0 mA

Control máximo actual para la resistencia @TA=+25°C del Apagado-estado 0,4 mA

Gama actual del control (precaución: la entrada actual LED del límite, véase el cuadro 5) 2,0 a 25 mA

Voltaje reverso máximo 7,0 V

Fuerza dieléctrica mínima, entrada-salida 4000 VRMS

Fuerza dieléctrica mínima, Poste-a-poste 1000 VDC

Resistencia de aislamiento mínima, entrada-salida, @TA=+25°C, 50%RH, Ω 100VDC 1012

Capacitancia máxima, Pin máximo de la entrada-salida 1,0 PF

Temperatura que suelda (10 segundos de máximo) +260

Gama de temperaturas ambiente: Actuando el almacenamiento -40 a +100 de -40 a +85 °C


PARTE DE LA ACCIÓN

Transporte. FDS9435A 1500 FSC 15+ SOP-8
DIODO MMBD4148,215 300000 15+ SOT23-3
C.I L7805CD2T-TR 2500 ST 14+ D2PAK
FDS6990A 1500 FSC 15+ SOP-8
NDS9952A 1500 FSC 15+ SOP-8
SN65HVD485EDR 1500 TI 16+ SOP-8
SMBJ8.5CA 7500 VISHAY 16+ SMB
PIC24FJ16GA004-I/PT 1500 MICROCHIP 13+ TQFP-44
C.I TLC072CDGNR 5000 TI 05+ MSOP-8
C.I SN74LS374N 2000 TI 15+ DIP-20
Transporte. BC817-16LT1G 300000 EN 12+ SOT-23
C.I TL074CN 1000 TI 12+ DIP-14
OPTOACOPLADOR MOC3063SM 20000 FSC 14+ SOP-6
TRIAC BT151-500R 300000 16+ TO-220
C.I MM74HC164MX 25000 FSC 05+ SOP-14
C.I WS79L05 100000 WS 16+ TO-92
RES RL1206FR-070R75L 100000 YAGEO 16+ SMD1206
RES RC1206FR-071R5L 500000 YAGEO 16+ SMD1206
RES RC1206FR-071R2L 500000 YAGEO 16+ SMD1206
RES RL1206FR-070R68L 1000000 YAGEO 16+ SMD1206
RES RC0402FR-0722KL 3000000 YAGEO 16+ SMD0402
RES RC0402FR-0756RL 2000000 YAGEO 16+ SMD0402
RES RC0402FR-0724RL 2000000 YAGEO 16+ SMD0402
RES RC1206JR-072ML 500000 YAGEO 16+ SMD1206
CASQUILLO 1206 22PF 1KV NP0 CL31C220JIFNFNE 600000 SAMSUNG 16+ SMD1206

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