Amplificador operativo IC IC Chips Small Scale Dual Low del ruido electrónico de NE5532P
Chips CI electrónicos de NE5532P
,Chips CI electrónicos de NE5532P
,Amplificador operativo de poco ruido IC
Los componentes de la electrónica de NE5532P saltan la electrónica de IC
AMPLIFICADORES OPERATIVOS DE POCO RUIDO DUALES
Una parte de la lista común
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R el 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K el 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | SOSTENIDO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORTE LOS 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
| CASQUILLO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| CASQUILLO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CACEROLA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| CASQUILLO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L el 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L del RES 3K3 el 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
| CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
CARACTERÍSTICAS
¿Tipo entrado equivalente del voltaje 5 nV/√Hz del ruido en 1 kilociclo?
¿Ancho de banda de la ganancia unitaria… 10 megaciclos de tipo?
Tipo del DB 100 del ratio de rechazo del Común-modo…
¿? ¿Alto aumento del voltaje de C.C.… tipo de 100 V/mV?
El voltaje de salida de pico a pico balancea el tipo de 32 V
Con VCC± = ±18 V y RL = Ω 600
¿? ¿Alta tarifa de ciénaga… tipo de 9 V/µs?
Gama ancha… ±3 V del Fuente-voltaje a ±20 V
DESCRIPCIÓN GENERAL
SAMSUNG¢s fabrican a las familias de K6X8008C2B avanzaron tecnología de proceso completa del Cmos. Las familias apoyan la diversa gama de temperaturas de funcionamiento para la flexibilidad del usuario del diseño de sistemas. Las familias también apoyan el voltaje bajo de la retención de los datos para la operación de respaldo de batería con la retención baja de los datos actual.
Grados máximos absolutos
Voltaje de fuente (véase la nota 1): VCC+……………………… 22 V
Voltaje entrado, o entrada (véase las notas 1 y 2) VCC±…. -22V
Actual entrada (véase la nota 3)……………………. ±10 mA
Duración del cortocircuito de la salida (véase la impedancia termal…………… del paquete ilimitado de la nota 4),
θJA (véase las notas 5 y 6): Paquete 97 de D………………………. °C/W
Paquete 85 de P………………………. °C/W PICOSEGUNDO
paquete 95……………………… °C/W
Temperatura de empalme virtual de funcionamiento, TJ 150°C
Gama de temperaturas de almacenamiento, °C de Tstg −65 a 150°C