Los dispositivos electrónicos y los circuitos integrados de los componentes de la electrónica M74HCT14B1 EMBRUJAN EL INVERSOR de SCHMITT
chip in electronics
,integrated components
Los dispositivos electrónicos y los circuitos integrados de los componentes de la electrónica M74HCT14B1 EMBRUJAN EL INVERSOR de SCHMITT
M54HCT14
M74HCT14
INVERSOR DE SCHMITT DEL HEX.
• VELOCIDAD
tPD = 16 ns (TIPO.) EN VCC =5V
• DISIPACIÓN DE ENERGÍA BAJA
ICC = 1 µA (MÁXIMO) EN TA = °C 25
• ALTA INMUNIDAD DE RUIDO
VH = 0,7 V (TIPO.) EN VCC =5V
• CARGAS HECHAS SALIR DE LA CAPACIDAD DE IMPULSIÓN 10 LSTTL
• IMPEDANCIA DE SALIDA SIMÉTRICA
︱ Del ︱ IOH = IOL = 4 mA (de MÍNIMO)
• RETRASOS DE PROPAGACIÓN EQUILIBRADOS
tPLH = tPHL
• PIN Y FUNCIÓN COMPATIBLES CON 54/74LS14
DESCRIPCIÓN
El M54/74HCT14 es un INVERSOR de alta velocidad de SCHMITT del HEX. del Cmos fabricado en la puerta de silicio C2 MOS Technology. Tiene el mismo funcionamiento de alta velocidad de LSTTL combinó con el bajo consumo de energía verdadero del Cmos. El tipo de conexión y la función son lo mismo que los del HCT04 pero todas las entradas tienen 0,7 niveles de la histéresis de V. Esto así como su función del disparador del schmitt permite que sea utilizada en la línea receptores con las señales de entrada lentas de la subida/caída. Este circuito integrado tiene características de entrada y de salida que sean totalmente compatibles con las familias de 54/74 lógica de LSTTL. Los dispositivos de M54/74HCT se diseñan para interconectar directamente sistemasdel MOS de HSC2 con los componentes de TTL y del NMOS. Son también enchufan los reemplazos para los dispositivos de LSTTL que dan una reducción del consumo de energía. Todas las entradas se equipan de favorable
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCC | Voltaje de fuente | -0,5 a +7 | V |
| VI | Voltaje de entrada CC | -0,5 a VCC + 0,5 | V |
| Vo | Voltaje de salida de DC | -0,5 a VCC + 0,5 | V |
| IIK | Corriente de diodo de la entrada CC | ± 20 | mA |
| IOK | Corriente de diodo de la salida de DC | ± 20 | mA |
| IO | Corriente del fregadero de la fuente de la salida de DC por el Pin de la salida | ± 25 | mA |
| ICC o IGND | DC VCC o corriente de tierra | ± 50 | mA |
| Paladio | Disipación de poder | 500 (*) | mW |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -65 a +150 | ℃ |
| TL | Temperatura de la ventaja (sec 10) | 300 | ℃ |
MaximumRatings absoluto es esos valores más allá del whichdamage al dispositivo puede ocurrir. La operación funcional debajo de estos condición isnotimplied.
(*) 500 mW: el ℃ del ≅ 65 reduce la capacidad normal a 300 mW por 10mW/℃: ℃ 65 al ℃ 85
CIRCUITO EQUIVALENTE ENTRADO Y HECHO SALIR
CONEXIONES de PIN (visión superior)
LÓGICA DIAGRAM/WAVEFORM
LAS CARACTERÍSTICAS QUE CAMBIAN PRUEBAN EL CIRCUITO
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485