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Microprocesador nuevo y original 256K (32K x 8) RAM estático CY62256LL-70PXC del circuito integrado

fabricante:
Fabricante
Descripción:
SRAM - Memoria asincrónica IC 256Kbit 70 paralelos ns 28-PDIP
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Temperatura de almacenamiento:
– 65°C a +150°C
Voltaje de entrada CC:
– 0.5V a Vcc + 0.5V
Corriente de salida en las salidas (BAJAS):
20 mA
Voltaje de la descarga estática:
> 2001V
Corriente del cierre-para arriba:
> 200 mA
Velocidad:
55 ns
Gama del voltaje:
4.5V – 5.5V
Rangos de temperatura:
Industrial: – 40°C a 85°C
Punto culminante:

chip in electronics

,

small scale integrated circuits

Introducción

CY62256

256K (32K x 8) RAM estático

Características

• Velocidad

— 55 ns

• Gamas de temperaturas

— Anuncio publicitario: 0°C a 70°C

— Industrial: – 40°C a 85°C

— Automotriz: – 40°C a 125°C

• Gama del voltaje

— 4.5V – 5.5V

• Poder activo bajo y poder espera

• Extensión de memoria fácil con las características del CE y de OE

• entradas y salidas TTL-compatibles

• Poder-abajo automático cuando está no reelegido como candidato

• Cmos para la velocidad/el poder óptimos

• Disponible en 28 un perno estándar Pb-libre y no Pb-libre SOIC estrecho, 28 perno TSOP-1,

28-pin revés TSOP-1 y 28 paquetes de la INMERSIÓN del perno

Descripción funcional

El CY62256 es un Cmos de alto rendimiento RAM estático organizado como palabras 32K por 8 pedazos. La extensión de memoria fácil es proporcionada por un microprocesador BAJO activo permite (el CE) y la salida BAJA activa permite (OE) y los conductores de triple estado. Este dispositivo tiene una característica automática del poder-abajo, reduciendo el consumo de energía por 99,9% cuando está no reelegido como candidato.

Un PUNTO BAJO activo escribir permite la señal (NOSOTROS) controla la escritura/la operación de lectura de la memoria. Cuando el CE y NOSOTROS entra son ambos BAJOS, datos sobre los ocho pernos de la entrada-salida de los datos (I/O0 con I/O7) se escriben en la posición de memoria dirigida por el presente de la dirección en los pernos de la dirección (A0 con A14). La lectura del dispositivo es lograda seleccionando el dispositivo y permitiendo las salidas, el CE y el PUNTO BAJO activo de OE, mientras que seguimos siendo inactivos o ALTOS. Bajo estas condiciones, el contenido de la ubicación dirigida por la información sobre los pernos de la dirección está presente en los ocho pernos de la entrada-salida de los datos. Los pernos de la entrada-salida permanecen en un estado de alta impedancia a menos que se seleccione el microprocesador, las salidas se permiten, y escriben permiten (NOSOTROS) son ALTOS.

Bloque diagrama de la lógica

Pin Configurations

Grados máximos

(Arriba que la vida útil puede ser empeorada. Para las instrucciones del usuario, no probado.)

Temperatura de almacenamiento ................................. – 65°C a +150°C

Temperatura ambiente con

Poder ............................................. – 55°C aplicado a +125°C

Voltaje de fuente para moler potencial

(Pin 28 a Pin 14) .............................................. – 0.5V a +7V

Voltaje de DC aplicado a las salidas

en el alto-z estado .................................... – 0.5V a VCC + 0.5V

Voltaje de entrada CC ................................ – 0.5V a VCC + 0.5V

Corriente de salida en salidas (BAJO) ............................. 20 mA

Voltaje de la descarga estática .......................................... > 2001V

(por MIL-STD-883, método 3015)

Corriente del cierre-para arriba .................................................... > 200 mA

Rango de operación

Gama Temperatura ambiente (TA) VCC
Anuncio publicitario 0°C a +70°C 5V ± el 10%
Industrial – 40°C a +85°C 5V ± el 10%
Automotriz – 40°C a +125°C 5V ± el 10%

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