Microprocesador 30dB, 4-Bit DC - 2,0 gigahertz AT-220 del circuito integrado del atenuador de Digitaces
chip in electronics
,small scale integrated circuits
Atenuador de Digitaces, 30 DB, gigahertz de 4-Bit DC-2.0 AT-220
Características Diagrama esquemático funcional
• Pasos de la atenuación 2-dB a DB 30
• Alta exactitud
• Producto bajo de la intermodulación: +50 dBm IP3
• Consumo bajo de la corriente continua: µW 50
• Paquete plástico SOIC-16
• Empaquetado de la cinta y del carrete disponible
• Estabilidad de temperatura +/--0,15 DB: -40°C a +85°C
Descripción
M/A-COM AT-220 es 4 un pedazo, atenuador digital del GaAs MMIC del paso 2-dB en un paquete plástico del soporte de la superficie de la ventaja del bajo costo SOIC 16. El AT-220 se adapta idealmente para el uso donde se requieren la alta exactitud, la transferencia rápida, el mismo bajo consumo de energía y los productos bajos de la intermodulación. Los usos típicos incluyen el equipo de radio y celular, LANs inalámbrico, el equipo de GPS y otros circuitos del aumento/de control llano.
El AT-220 se fabrica con un GaAs monolítico MMIC usando un proceso maduro de 1 micrón. El proceso ofrece
estabilización completa del microprocesador para el funcionamiento y la confiabilidad crecientes.
| Pin No. | Función | Pin No. | Función |
| 1 | VC1 | 9 | RF2 |
| 2 | VC1 | 10 | Tierra |
| 3 | VC2 | 11 | Tierra |
| 4 | VC2 | 12 | Tierra |
| 5 | VC3 | 13 | Tierra |
| 6 | VC3 | 14 | Tierra |
| 7 | VC4 | 15 | Tierra |
| 8 | VC4 | 16 | RF1 |
| Parámetro | Máximo absoluto |
|
Energía entrada: 50 megaciclos 500-2000 megaciclo |
dBm +27 dBm +34 |
| Voltaje del control | -8,5 ≤ 5V del ≤ VC de V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C a +85°C |
| Temperatura de almacenamiento | -65°C a +150°C |
1. Exceder cualquier o combinación de estos límites puede causar permanente
daño a este dispositivo.
| Parámetro | Condiciones de prueba | Frecuencia | Unidades | Minuto | Tipo | Máximo |
| Pérdida de inserción (estado de la referencia) |
DC - 0,5 gigahertz DC -1,0 gigahertz DC -2,0 gigahertz |
DB DB DB |
-- -- -- |
1,5 1,6 1,8 |
1,7 1,8 2,1 |
|
| Exactitud 2 de la atenuación |
DC -1,0 gigahertz DC -2,0 gigahertz |
DB del ± (0,15 DB el + 3% del ajuste de Atten en el DB) DB del ± (0,30 DB el + 4% del ajuste de Atten en el DB) |
||||
| VSWR | Ratio | -- | 1.2:1 | -- | ||
| Trise, Tfall | el 10% hasta el 90% RF, el 90% hasta el 10% RF | -- | nS | -- | 12 | -- |
| Tonelada, ricachón |
Control del 50% hasta el 90% RF, Control del 50% hasta el 10% RF |
-- | nS | -- | 18 | -- |
| Transeúntes | En-banda | -- | milivoltio | -- | 25 | -- |
| 1 compresión del DB |
Energía entrada Energía entrada |
0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz |
dBm del dBm |
-- -- |
20 28 |
-- -- |
| IP2 |
Medido en relación con energía entrada (Para el dBm bicolor hasta +5 de la energía de entrada) |
0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz |
dBm del dBm |
-- -- |
45 68 |
-- -- |
| IP3 |
Medido en relación con energía entrada (Para el dBm bicolor hasta +5 de la energía de entrada) |
0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz |
dBm del dBm |
-- -- |
40 50 |
-- -- |
| Control actual | |VC| = 5 V | µA | -- | 100 | ||
2. Las especificaciones de la exactitud de la atenuación se aplican con control diagonal negativo y poner a tierra de baja inductancia.
SOIC-16
Curvas de funcionamiento típicas
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485