Entradas de disparador de los microchipes y de los circuitos integrados SN74HC132N Schmitt
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Entradas de disparador de los microchipes y de los circuitos integrados SN74HC132N Schmitt
Características
¿Gama ancha del voltaje de funcionamiento de 2 V a 6 V?
¿Las salidas pueden conducir para arriba a 10 cargas de LSTTL?
¿Bajo consumo de energía, 20-µA ICC máximo?
¿Tpd típico = 14 ns? ±4-mA hizo salir la impulsión en 5 V
¿? ¿Corriente entrada baja de 1 µA máximo? Operación de transiciones entradas lentas mismas
¿? ¿Límites de alarma Temperatura-compensados?
¿Alta inmunidad de ruido?
El mismo Pinouts que ‘HC00
descripción/información el ordenar
Las funciones de cada circuito como una puerta de NAND, pero debido a la acción de Schmitt, tiene diversos límites de alarma de la entrada para las señales positivas y negativo-que van. ‘Los dispositivos HC132 realizan la función boleana Y = A • B o Y = A + B en lógica positiva. Estos circuitos son temperatura compensada y pueden ser accionados del más lento de las rampas de la entrada y todavía dar señales de salida sin fluctuación de tensión limpias.
| TA | † del PAQUETE |
ORDENABLE NÚMERO DE PARTE |
MARCA DE LA SUPERESTRUCTURA | |
| −40°C a 85°C | − N DE PDIP | Tubo de 25 | SN74HC132N | SN74HC132N |
| − D DE SOIC | Tubo de 50 | SN74HC132D | HC132 | |
| Carrete de 2500 | SN74HC132DR | |||
| Carrete de 250 | SN74HC132DT | |||
| − NS DE LA COMPENSACIÓN | Carrete de 2000 | SN74HC132NSR | HC132 | |
| DB DEL − DE SSOP | Carrete de 2000 | SN74HC132DBR | HC132 | |
| − PICOVATIO DE TSSOP | Tubo de 90 | SN74HC132PW | HC132 | |
| Carrete de 2000 | SN74HC132PWR | |||
| Carrete de 250 | SN74HC132PWT | |||
| −55°C a 125 C a 125°C | − J DE CDIP | Tubo de 25 | SNJ54HC132J | SNJ54HC132J |
| − W DEL CFP | Tubo de 150 | SNJ54HC132W | SNJ54HC132W | |
| − FK DE LCCC | Tubo de 55 | SNJ54HC132FK | SNJ54HC132FK | |
grados máximos absolutos sobre gama de temperaturas de funcionamiento del libre-aire (a menos que se indicare en forma diferente) †
Gama del voltaje de fuente, VCC V de −0.5 V a 7
Corriente entrada de la abrazadera, IIK (VI < 0="" or="" VI=""> VCC) (véase la nota 1) ±20 mA
Corriente de la abrazadera de la salida, IOK (Vo < 0="" or="" VO=""> VCC) (véase la nota 1) ±20 mA
Corriente de salida continua, IO (Vo = 0 a VCC). ±25 mA
Corriente continua a través de VCC o de la tierra. ±50 mA
Impedancia termal del paquete, θJA (véase la nota 2):
Paquete 86 de D……………………………. °C/W
Paquete 96…………………………… °C/W del DB
Paquete 80 de N……………………………. °C/W
Paquete 76…………………………… °C/W del NS
Paquete 113 del picovatio…………………………. °C/W
El † subraya más allá de ésos enumerados bajo “grados máximos absolutos” puede causar daño permanente al dispositivo. Éstos son grados de la tensión solamente, y la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones más allá de ésos indicados bajo “condiciones de funcionamiento recomendadas” no se implica. La exposición a las condiciones absoluto-máximo-clasificadas por períodos extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo. NOTAS: 1. Los grados de la entrada y del voltaje de salida pueden ser excedidos si se observan los grados de la corriente de entrada y de salida. 2. La impedancia termal del paquete se calcula de acuerdo con JESD 51-7.
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