Transistores del Mosfet del poder más elevado del MOSFET de PowerTrench del canal N de FDP085N10A
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Transistores del Mosfet del poder más elevado del MOSFET de PowerTrench del canal N de FDP085N10A
Características
• RDS (encendido) = 7.35mΩ (tipo.) @ VGS = 10V, identificación = 96A
• Velocidad que cambia rápida
• Carga baja de la puerta
• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (encendido)
• Poder más elevado y capacidad de dirección actual
• RoHS obediente
Descripción general
Este MOSFET del canal N se produce usando el proceso anticipado de PowerTrench del semiconductor de Fairchild que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado pero mantener funcionamiento que cambia superior.
Uso
• DC a los convertidores de DC
• Rectificación síncrona para la fuente de alimentación de la telecomunicación
• Cargador de batería
• Impulsiones y sistemas de alimentación ininterrumpida del motor de CA
• UPS off-line
Características termales
Símbolo | Parámetro | Grados | Unidades |
RθJC | Resistencia termal, empalme a encajonar | 0,8 | °C/W |
RθJA | Resistencia termal, empalme a ambiente | 62,5 | °C/W |
Características de funcionamiento típicas
Una parte de la lista común
ZM4749A | 10000 | VISHAY | 15+ | DO-213AB |
ZM4746A | 5000 | VISHAY | 15+ | DO-213AB |
MURA160T3G | 25000 | EN | 16+ | DO-214 |
MRA4005T3G | 20000 | EN | 16+ | DO-214AC |
B240A-13-F | 5000 | DIODOS | 15+ | SMA |
B260A-13-F | 5000 | DIODOS | 16+ | SMA |
B1100-13-F | 10000 | DIODOS | 16+ | SMA |
MURA215T3G | 40000 | EN | 16+ | DO-214 |
0603ESDA-TR1 | 20500 | TONELERO | 15+ | SMD |
DL4007-13-F | 8100 | DIODOS | 15+ | LL41 |
BAT54WS | 15000 | PANJIN | 15+ | SOD323 |
DL4004 | 8160 | MCC | 15+ | LL41 |
BZX85C15 | 5000 | VISHAY | 14+ | DO-41 |
MCR100-6 | 20000 | EN | 16+ | SOT-23 |
MUR160RLG | 25000 | EN | 16+ | DO-41 |
BAT42 | 15000 | VISHAY | 14+ | DO-35 |
BZX55C12 | 10000 | ST | 16+ | DO-35 |
DB3 | 1275 | ST | 13+ | DO-35 |
1N4148 | 9000 | ST | 16+ | DO-35 |
1N4761A-TAP | 9000 | VISHAY | 15+ | DO-41 |
DL4001-13-F | 8190 | DIODOS | 15+ | LL41 |
PIC16F1823-I/SL | 5318 | MICROCHIP | 16+ | COMPENSACIÓN |
P89LPC935FDH | 3340 | 14+ | TSSOP | |
MSS6132-103MLC | 6904 | COILCRAFT | 10+ | SMD |
MSS1278-184KLD | 6897 | COILCRAFT | 16+ | SMD |
NLFC453232T-151K | 38000 | TDK | 16+ | SMD |
PCF8576CT/1 | 13160 | 16+ | SSOP | |
LM2940CSX-5.0 | 10000 | NSC | 15+ | TO-263 |
LQH43MN470K03L | 30000 | MURATA | 16+ | SMD |
LQH43CN330K03L | 38000 | MURATA | 16+ | SMD |
MSS1260-103MLD | 6883 | COILCRAFT | 10+ | SMD |
FODM121R1 | 2200 | FAIRCHILD | 15+ | SOP-4 |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
