CONDUCTOR electrónico del SEMIPUENTE de los chips CI SELF-OSCILLATING de IR21531S
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
IR21531D y (PbF)
CONDUCTOR DEL SEMIPUENTE DE SELF-OSCILLATING
Características
• Conductor integrado de la puerta del semipuente 600V
• abrazadera del zener 15.6V en Vcc
• La microfuerza verdadera empieza para arriba
• Un control inicial más apretado del deadtime
• Deadtime del coeficiente de la baja temperatura
• Característica del cierre (1/6o Vcc) en el perno del CT
• Histéresis creciente del cierre del undervoltage (1V)
• Circuito de nivel-desplazamiento de un poder más bajo
• LO constante, HO anchuras de pulso en el inicio
• Un conductor más bajo de la puerta de di/dt para una mejor inmunidad de ruido
• Salida lateral baja en fase con el RT
• (Tipo.) diodo interno del tirante 50nsec (IR21531D)
• Inmunidad excelente del cierre en todas las entradas y salidas
• Protección del ESD en todas las ventajas
• LEAD_FREE también disponible
Descripción
El IR21531 (D) son una versión mejorada del conductor ICs de la puerta popular IR2155 e IR2151, e incorporan un conductor de alto voltaje de la puerta del semipuente con un oscilador de la parte frontal similar al contador de tiempo del estándar industrial Cmos 555. El IR21531 proporciona más función y es más fácil de utilizar que los ICs anteriores. Una característica del cierre se ha diseñado en el perno del CT, de modo que ambas salidas del conductor de la puerta puedan ser discapacitadas usando una señal de control de la baja tensión.
Además, las anchuras de pulso de la salida del conductor de la puerta son lo mismo una vez que el umbral de levantamiento del cierre del undervoltage en VCC se ha alcanzado, dando por resultado un perfil más estable de la frecuencia contra tiempo en el inicio. La inmunidad de ruido ha sido mejorada perceptiblemente, bajando el pico di/dt de los conductores de la puerta, y aumentando la histéresis del cierre del undervoltage a 1V. Finalmente, la especial atención se ha prestado a maximizar la inmunidad del cierre del dispositivo, y a proporcionar la protección completa del ESD en todos los pernos.
Grados máximos absolutos
Los grados máximos absolutos indican límites continuos más allá de qué daño al dispositivo puede ocurrir. Todos los parámetros del voltaje son voltajes absolutos referidos a COM, todas las corrientes son positivos definido en cualquier ventaja. Los grados de la resistencia termal y de la disipación de poder se miden bajo el tablero montado y aún condiciones del aire.
| Símbolo | Definición | Mínimo. | Máximo. | Unidades | |
|---|---|---|---|---|---|
| VB | Voltaje de fuente flotante del alto lado | -0,3 | 625 | V | |
| CONTRA | Voltaje flotante de la compensación de la fuente del alto lado | VB - 25 | VB + 0,3 | V | |
| VHO | Voltaje de salida flotante del alto lado | CONTRA - 0,3 | VB + 0,3 | V | |
| VLO | Voltaje de salida lateral bajo | -0,3 | VCC + 0,3 | V | |
| VRT | Voltaje del perno del RT | -0,3 | VCC + 0,3 | V | |
| VCT | Voltaje del perno del CT | -0,3 | VCC + 0,3 | V | |
| ICC | Fuente actual (nota 1) | -- | 25 | mA | |
| IRT | Corriente del perno del RT | -5 | 5 | mA | |
| dVs/dt | Tarifa de ciénaga compensada permisible del voltaje | -50 | 50 | V/ns | |
| Paladio | ≤ máximo +25°C de la disipación de poder @ TA | (INMERSIÓN de 8 ventajas) | -- | 1,0 | W |
| (8 ventaja SOIC) | -- | 0,625 | W | ||
| RthJA | Resistencia termal, empalme a ambiente | (INMERSIÓN de 8 ventajas) | -- | 125 | °C/W |
| (8 ventaja SOIC) | -- | 200 | °C/W | ||
| TJ | Temperatura de empalme | -55 | 150 | °C | |
| TS | Temperatura de almacenamiento | -55 | 150 | °C | |
| TL | Segundos (que sueldan, 10) de la temperatura de la ventaja | -- | 300 | °C | |
Nota 1: Este IC contiene una estructura de la abrazadera del zener entre el microprocesador VCC y COM que tenga un voltaje de avería nominal de 15.6V. Observe por favor que este perno de la fuente no se debe conducir por DC, fuente de energía de baja impedancia mayor que el VCLAMP especificó en la sección eléctrica de las características.
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| BZX84-C16 | 3582 | 14+ | SOT-23 | |
| IRF7492TRPBF | 3600 | IR | 14+ | SOP-8 |
| SGW25N120 | 3600 | 14+ | TO-3P | |
| FDS8958B | 3700 | FAIRCHILD | 16+ | SOP-8 |
| L7809 | 3700 | ST | 16+ | TO-220 |
| SP202ECT | 3700 | SIPEX | 13+ | SOP-16 |
| ZTX614 | 3700 | ZETEX | 15+ | TO-92 |
| 1N4744A | 3710 | ST | 16+ | DO-41 |
| SN74HC273N | 3710 | TI | 16+ | DIP-20 |
| FQA19N60 | 3711 | FAIRCHILD | 14+ | TO-247 |
| TDA7056B | 3711 | PHILIPS | 14+ | CREMALLERA |
| XR2206 | 3720 | EXAR | 14+ | DIP16 |
| CC2530F256RHAR | 3750 | TI | 16+ | QFN40 |
| DTDG14GP | 3750 | ROHM | 16+ | SOT89 |
| RT9214PS | 3750 | RICHTEK | 13+ | SOP-8 |
| SMAJ58A | 3750 | VISHAY | 15+ | SMA |
| NCP1653ADR2G | 3754 | EN | 16+ | SOP-8 |
| DPA6111 | 3771 | IR | 16+ | DIP4 |
| TLP281-1 | 3771 | TOSHIBA | 14+ | SOP4 |
| B1100-13-F | 3772 | DIODOS | 14+ | SMA |
| SN74LVC1G97DCKR | 3772 | TI | 14+ | SC70-6 |
| FQP19N20 | 3777 | FAIRCHILD | 16+ | TO220 |
| LTC4412 | 3778 | LINEAR | 16+ | SOT23-6 |
| MAX4172EUA+T | 3778 | MAXIN | 13+ | MSOP8 |
| TLP621-2GB | 3778 | TOSHIBA | 15+ | DIP8 |
| MIC841LBC5 | 3780 | MICREL | 16+ | SC70-5 |
| HCF4538BEY | 3785 | ST | 16+ | INMERSIÓN |
| MBR1645G | 3788 | EN | 14+ | TO-220 |
| HD01 | 3798 | DIODOS | 14+ | SOP-4 |
| AP70T03GH | 3800 | APEC | 14+ | TO-252 |
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE AUIR3200STR
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2011STRPBF
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2085STRPBF
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2010STRPBF
IRS2113PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original
IRS2110PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original
IRS2103STRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original
BTS724GXUMA1 Smart High-Side Power Switch Cuatro canales de circuito integrado programado con LED
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2113STRPBF
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR21844STRPBF
| Imagen | parte # | Descripción | |
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE AUIR3200STR |
High-Side Gate Driver IC Non-Inverting PG-DSO-8-904
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2011STRPBF |
High-Side or Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2085STRPBF |
Half-Bridge Gate Driver IC RC Input Circuit 8-SOIC
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2010STRPBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC
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IRS2113PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IRS2110PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IRS2103STRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
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BTS724GXUMA1 Smart High-Side Power Switch Cuatro canales de circuito integrado programado con LED |
Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 3A PG-DSO-20
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2113STRPBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR21844STRPBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-SOIC
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