CNY66B IC electrónico Chips Optocoupler con salida del fototransistor
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
CNY64/CNY65/CNY66
Acoplador óptico, salida del fototransistor, voltaje muy alto del aislamiento
Características
• Voltaje clasificado del aislamiento (el RMS incluye DC) VIOWM = 1000 VRMS (pico de 1450 V)
• Voltaje máximo que se repite clasificado VIORM (repetidor) = 1000 VRMS
• Grueso a través del ≥ del aislamiento 3 milímetros
• Resistencia actual del contorneamiento según índice de seguimiento de comparativo del VDE 0303/IEC 60112: ≥ 200 de CTI
• Componente sin plomo
• Componente del acuerdo a RoHS 2002/95/EC y WEEE 2002/96/EC
Aprobaciones de la agencia
• UL1577, código H, &K de J, protección doble de sistema de no. E76222 del fichero
• EN 60747-5-5 del estruendo del EN 60747-5-2 del estruendo (VDE0884) pendiente
• El VDE relacionó características:
• Voltaje de impulso clasificado (sobretensión transitoria) VIOTM de = pico 8 kilovoltios
• Voltaje de la prueba del aislamiento (voltaje parcial) de la prueba de la descarga Vpd de = pico 2,8 kilovoltios
Usos
Circuitos para la separación protectora segura contra choque eléctrico según clase de la seguridad II (aislamiento reforzado):
Para el appl. clase I - IV en el ≤ 300 V del voltaje de las tuberías
Para el appl. clase I - IV en el ≤ 600 V del voltaje de las tuberías
Para el appl. clase I - III en tubería voltaje ≤ 1000 V según estruendo EN 60747-5-2 (VDE0884 EN 60747 - 5-5 pendiente, cuadro 2)/estruendo, conveniente para:
fuentes de alimentación del Interruptor-modo, línea receptor, interfaz periférico de ordenador, interfaz de sistema del microprocesador.
Descripción
Los CNY64/CNY65/CNY66 consisten en un fototransistor ópticamente juntado a un diodo infraredemitting del arseniuro de galio en un paquete plástico de 4 pernos.
Los solos componentes se montan enfrente de uno otro, proporcionando una distancia entre la entrada y la salida para los requisitos de seguridad más altos de > 3 milímetros.
Grados máximos absolutos
Tamb = °C 25, salvo especificación de lo contrario
Las tensiones superior a los grados máximos absolutos pueden causar daño permanente al dispositivo. La operación funcional del dispositivo no se implica en éstos o ninguna otra condiciones superior a ésas dadas en las secciones operativas de este documento. La exposición al grado máximo absoluto por los períodos extendidos del tiempo puede afectar al contrario a confiabilidad.
| Parámetro | Condición de prueba | Símbolo | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Entrada | ||||
| Voltaje reverso | VR | 5 | V | |
| Corriente delantera | SI | 75 | mA | |
| Sobretensión delantera | µs del ≤ 10 del tp | IFSM | 1,5 | |
| Disipación de poder | Pdiss | 120 | mW | |
| Temperatura de empalme | Tj | 100 | °C | |
| Salida | ||||
| Voltaje del emisor del colector | VCEO | 32 | V | |
| Voltaje de colector del emisor | VECO | 7 | V | |
| Corriente de colector | IC | 50 | mA | |
| Corriente máxima del colector | tp/T = 0,5, ms del ≤ 10 del tp | ICM | 100 | mA |
| Disipación de poder | Pdiss | 130 | mW | |
| Temperatura de empalme | Tj | 100 | °C | |
| Acoplador | ||||
| Voltaje de la prueba del aislamiento de la CA (RMS) | t = 1 minuto | VISO | 8,2 | kilovoltio |
| Disipación de poder total | Ptot | 250 | mW | |
| Gama de temperaturas ambiente | Tamb | - 55 a + 85 | °C | |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | - 55 a + 100 | °C | |
| Temperatura que suelda | 2 milímetros del caso, ≤ 10 s de t | Tsld | 260 | °C |
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| IRFU220NPBF | 1820 | IR | 13+ | TO-251 |
| MCP73871-2CCI/ML | 1820 | MICROCHIP | 15+ | QFN |
| PC410L | 1821 | SOSTENIDO | 16+ | SOP5 |
| INMERSIÓN AT24C01 | 1822 | ATMEL | 16+ | INMERSIÓN |
| IRF530NPBF | 1822 | IR | 14+ | TO-220 |
| TNY280PN | 1822 | PODER | 14+ | DIP-7 |
| 74HC595 | 1841 | 14+ | COMPENSACIÓN | |
| 3296W-1-503IF | 1850 | BOURNS | 16+ | INMERSIÓN |
| LT1172CT | 1850 | LT | 16+ | TO220-5 |
| A4506 | 1875 | ANAGO | 13+ | SOP-8 |
| APM4546 | 1877 | ANPEC | 15+ | SOP-8 |
| HCS360/SN | 1879 | MICROC | 16+ | SOP8 |
| HEF4069UBT | 1887 | 16+ | SOP14 | |
| IRF1010EPBF | 1887 | IR | 14+ | TO-220 |
| 2N2907A | 1888 | ST | 14+ | CAN3 |
| MCP609-I/SL | 1888 | MICROCHIP | 14+ | SOP-14 |
| ST72F321BJ9T6 | 1888 | ST | 16+ | QFP |
| W25X40BVSSIG | 1888 | WINBOND | 16+ | SOP8 |
| CD4017BE | 1889 | TI | 13+ | INMERSIÓN |
| ADA4899-1YRDZ | 1895 | ANUNCIO | 15+ | SOP8 |
| PIC18F26K20-I/SO | 1900 | MICROCHIP | 16+ | SOP28 |
| MC34064P-5G | 1941 | EN | 16+ | TO92 |
| BQ27510DRZR | 1955 | TI | 14+ | SON-12 |
| AK4420ET | 1975 | AKM | 14+ | TSSOP16 |
| AD7541AJN | 1990 | ANUNCIO | 14+ | DIP-18 |
| PIC18F97J60-I/PT | 1990 | MICROCHIP | 16+ | QFP |
| XC3S400-4TQG144C | 1990 | XILINX | 16+ | TQFP-144 |
| FA5571N | 1991 | FUJI | 13+ | SOP8 |
| MBR1045G | 1991 | EN | 15+ | TO-220 |
| A2231 | 1997 | AVAGO | 16+ | DIP-8 |
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
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Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
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