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Amplificador electrónico de MSA-1105-TR1 IC Chips Cascadable Silicon Bipolar MMIC

Amplificador electrónico de MSA-1105-TR1 IC Chips Cascadable Silicon Bipolar MMIC
Amplificador electrónico de MSA-1105-TR1 IC Chips Cascadable Silicon Bipolar MMIC
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Amplificador de RF IC ISM, PCS, WLL, 802.16/WiMax 50MHz ~ 1.3GHz 05 Paquete de plástico
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Corriente del dispositivo:
80 mA
Disipación de poder:
550 mW
El RF entrada energía:
dBm +13
TEMPERATURA DE EMPALME:
150°C
Temperatura de almacenamiento:
– 65 a 150°C
Coeficiente de temperatura del voltaje del dispositivo:
-8,0 mV/°C
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introducción

Amplificador bipolar MMIC MSA-1105 del silicio Cascadable

Características

• Bloque Cascadable de 50 Ω de High Dynamic Range o del aumento de 75 Ω

• ancho de banda del DB 3: 50 megaciclos a 1,3 gigahertz

• DB típico 17,5 del dBm P1 en 0,5 gigahertz

• figura de ruido típica del DB 3,6 en 0,5 gigahertz

• Paquete plástico del soporte superficial

• Opción de empaquetado del Cinta-y-carrete disponible [1]

Nota: 1. refiera a la sección de EMPAQUETADO “Tapeand-carrete que empaqueta para los dispositivos de semiconductor.”

Descripción

El MSA-1105 es un circuito integrado monolítico bipolar de la microonda del silicio del alto rendimiento (MMIC) contenido en un bajo costo, paquete plástico del soporte superficial. Este MMIC es diseñado para el alto rango dinámico en cualquier 50 o los sistemas del Ω 75␣ combinando la figura de poco ruido con alto IP3. Losusostípicosincluyenlosamplificadoreslinearesestrechosyde banda anchaensistemascomercialeseindustriales.

La MSA-serie se fabrica usando los 10 gigahertz pie, el proceso bipolar MMIC del silicio de 25 gigahertz f max de HP que utiliza la uno mismo-alineación del nitruro, la implantación de ion, y la metalización del oro para alcanzar excelente rendimiento, uniformidad y confiabilidad. El uso de un resistor diagonal externo para la temperatura y la estabilidad actual también permite flexibilidad del prejuicio.

Configuración que perjudica típica

Paquete plástico 05

Grados máximos absolutos MSA-1105

Parámetro Máximo absoluto [1]
Corriente del dispositivo 80 mA
Disipación de poder [2,3] 550 mW
El RF entrada energía dBm +13
Temperatura de empalme 150°C
Temperatura de almacenamiento – 65 a 150°C

Resistencia termal [2,4]: θjc = 125°C/W

Notas:

1. El daño permanente puede ocurrir si se exceden ninguno de estos límites.

2. TCASE = 25°C.

3. Reduzca la capacidad normal en 8 mW/°C para TC > 124°C.

4. Vea la sección “resistencia termal” de las MEDIDAS para más información.

05 dimensiones plásticas del paquete

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
MIC4680YM 11361 MICREL 12+ SOP-8
MIC5205YM5 22705 MICREL 13+ SOT23-5
MIC5239-3.3YM 11432 MICREL 16+ SOP-8
MIC5255-3.3BM5 11503 MICREL 05+ SOT23-5
MIC8115TUY 11574 MICREL 06+ SOT-143
MIC811SUY 31000 MICREL 15+ SOT-143
MICRF211AYQS 6387 MICROCHIP 15+ TSSOP-16
MINISMDC050F-2 12000 TYCO 15+ SMD
MJ15025G/MJ15024G 2300 EN 16+ TO-3
MJ4502 3598 EN 15+ TO-3
MJ802G 3846 EN 15+ TO-3
MJD122T4G 61000 EN 16+ TO-252
MJD44H11T4G 5681 EN 16+ TO-252
MJD45H11T4G 18545 EN 16+ TO-252
MJE13003 69000 CJ 16+ TO-126
MJE13005A 52000 ST 16+ TO-220
MJE15032G+MJE15033G 5000 EN 15+ TO-220
MJE15034G+MJE15035G 5000 EN 16+ TO-220
MJE2955T 19000 FSC 16+ TO-220
MJE3055T 20000 FSC 13+ TO-220
MJF122G 17254 EN 13+ TO-220F
MJW21193G+MJW21194G 2000 EN 16+ TO-247
MK20DX256VLH7 1714 FREESCALE 16+ LQFP-64
MK64FN1M0VLQ12 2929 FREESCALE 16+ LQFP-144
MLF1608DR68KTA00 6000 TDK 16+ SMD
MLF2012DR82KT000 30000 TDK 16+ SMD
MLG1608SR56JT000 16000 TDK 16+ SMD
MLX90614ESF-BAA-000-TU 3574 MELEXIS 16+ TO-39-4
MM58167BN 5465 NSC 14+ DIP-24
MM74C911N 4979 NSC 14+ DIP-28

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