Línea diferenciada electrónica receptor de DS90LT012AQMF/NOPB IC Chip Automotive LVDS

DS90LT012AQ

Línea diferenciada automotriz receptor de LVDS

Descripción general

El DS90LT012AQ es una sola línea diferenciada receptor del Cmos diseñado para los usos que requieren tarifas ultrabajas de la disipación de poder, de poco ruido, y altas de datos. Los dispositivos se diseñan para apoyar tarifas de datos superior a 400 Mbps (200 megaciclos) que utiliza tecnología diferenciada del oscilación de la baja tensión (LVDS).

El DS90LT012AQ acepta bajas señales de entrada diferenciadas de la tensión (350 milivoltio típicos) y las traduce a los niveles de producción de 3V Cmos. El DS90LT012AQ incluye una linea de entrada resistor de la terminación para los usos de punto a punto.

La línea conductor DS90LV011AQ de DS90LT012AQ y del compañero LVDS proporciona una nueva alternativa a los dispositivos del poder más elevado PECL/ECL para los usos del interfaz de alta velocidad.

Características

■AECQ-100 grado 1

■-40 a la operación de la gama de temperaturas de +125°C

■Compatible con estándar del ANSI TIA/EIA-644-A

■Tarifas que cambian de >400 Mbps (200 megaciclos)

■posición oblicua diferenciada de 100 picosegundos (típica)

■retraso de propagación máximo de 3,5 ns

■Línea integrada resistor de la terminación (100Ω típicos)

■Solo diseño de la fuente de alimentación 3.3V

■Del poder alta impedancia abajo en entradas de LVDS

■Las entradas de LVDS aceptan señales de LVDS/CML/LVPECL

■Pinout simplifica la disposición del PWB

■Disipación de energía baja (10mW typical@ 3.3V estático)

■Paquete de la ventaja SOT-23 5

Diagrama de conexión Tabla de verdad

Diagrama funcional

Grados máximos absolutos (nota 4)

Si se requieren los dispositivos especificados militares/aeroespaciales, entre en contacto con por favor los distribuidores nacionales de la oficina de ventas del semiconductor para la disponibilidad y las especificaciones.

Voltaje de fuente (VDD) −0.3V a +4V

Voltaje entrado (IN+, IN−) −0.3V a +3.9V

Voltaje de salida (SALIDA de TTL) −0.3V a (VDD + 0.3V)

Corriente del cortocircuito de la salida −100mA

Disipación de poder máxima del paquete @ +25°C

Paquete de la frecuencia intermedia 794mW

Reduzca la capacidad normal del paquete de la frecuencia intermedia 7,22 mW/°C sobre +25°C

Resistencia termal del paquete (4-Layer, 2 onzas. Cu, JEDEC)

θJA 138.5°C/W

θJC 107.0°C/W

El soldar de la temperatura de la ventaja (sec 4.) +260°C

Temperatura de empalme máxima +135°C

ESD que valora HBM (nota 1) >8 kilovoltio

Milímetro (nota 2) >250V

CDM (nota 3) >1250V

Nota 1: Modelo del cuerpo humano, estándar aplicable JESD22-A114C

Nota 2: Modelo de máquina, estándar aplicable JESD22-A115-A

Nota 3: El campo indujo el modelo del dispositivo de la carga, estándar aplicable JESD22-C101-C

Oferta común (venta caliente)