Transistor electrónico de la electrónica de IC del microprocesador de circuito de SI4835DDY-T1-GE3 Ic Chip Integrated
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
Transistor electrónico de la electrónica de IC del microprocesador de circuito de SI4835DDY-T1-GE3 Ic Chip Integrated
INVERSOR BUFFERS/DRIVERS DEL HEX. CON SALIDAS DE OPEN-DRAIN
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CARACTERÍSTICAS
• Halógeno-libre según IEC 61249-2-21 disponible
• MOSFET del poder de TrenchFET®
• El 100% Rg probado
• El 100% UIS probado
USOS
• Interruptores de la carga
- PC del cuaderno
- PC de escritorio
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
· Grados en la temperatura ambiente 25OC salvo especificación de lo contrario
· Carga la monofásico, de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva
· Para la carga capacitiva reduzca la capacidad normal de actual por el 20%
UNIDADES DE LOS SÍMBOLOS SF 61 SF 62 SF 63 SF 64 SF 65
El voltaje reverso máximo repetidor máximo VRRM 50 100 150 200 300 voltios de voltaje máximo VRMS 35 del RMS 70 105 140 210 voltios de DC de voltaje de bloqueo máximo VDC 50 100 150 200 300 voltios de media máxima adelante rectificó 0,375" actual longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA= 55℃ I (sistema de pesos americano) 6,0 onda sinusoidal delantera de la mitad de la sobretensión del pico del amperio sola 8.3mS sobrepuesta en la carga clasificada (método) de JEDEC IFSM 150 amperios de voltaje delantero instantáneo máximo @ 6.0A VF 0,95 1,25 voltios de corriente reversa máxima de DC en clasificado TA = voltaje de bloqueo de 25℃ 5,0 DC TA = las condiciones de prueba máximas del tiempo de recuperación reversa del µA de 125℃ IR 50 IF=0.5A, IR=1.0A, termal típica Capavitance del ns del trr 35 de IRR=0.25A (Medido en 1.0MHz y el voltaje aplicado del rever de 4.0V) resistencia termal típica de CJ 60 40 PF (℃ de la gama de temperaturas TSTG de almacenamiento del ℃ de la gama de temperaturas TJ de empalme del funcionamiento de la NOTA 1) RθJA 30 ℃/W (- 55 a +150) (- 55 a +150)
Una parte de la lista común
| TRANSPORTE BC848B, 215 | 1427/1KW | SOT-23 | |
| DIODO FEP16DT | FSC | A1104/AB04 | TO-220 |
| Transporte. TIP31C | FSC | 2016/09/13/B08 | TO-220 |
| DIODO MUR860G | EN | 608 | TO-220 |
| DIODO MUR460RLG | EN | 1613 | DO-201AD |
| UMK316AB7475KL 1206 4.7UF 50V X7R | Taiyoyunden | 1608 | SMD1206 |
| BZX84-C6V2 | 1610/Z4W | SOT-23 | |
| RP164PJ331CS 330R | SAMSUNG | 20160922 | SMD0603x4 |
| RC1210JR-074R7L 1210 4R7 el 5% | YAGEO | 1638 | SMD1210 |
| LM833DR | TI | 0AMASD5 | SOP-8 |
| LMH6646MAX | TI | MUAB/MGAB | SOP-8 |
| LM8261M5 | TI | A45A | SOT23-5 |
| M24C04-WMN6TP | STM | K235Q | SOP-8 |
| RSX101VA-30TR | ROHM | R | SOD-323 |
| IRLML2502TRPBF | IR | G6109 | SOT-23 |
| CL21A106KOQNNNE | SAMSUNG | AC8NOK9 | SMD0805 |
| LM2936Z-5.0 | NSC | 81AX | TO-92 |
| HEF4538BT, 653 | 1610 | SOP-16 | |
| DAC5571IDBVT | TI | D571 | SOT23-6 |
| DS36C279M/NOPB | NSC | 43RC | SOP-8 |
| 1206 1R2 el 1% RC1206FR-071R2L | YAGEO | 1638 | SMD1206 |
| 0603 120R el 1% RC0603FR-07120RL | YAGEO | 1635 | SMD0603 |
| 0603 22K el 1% RC0603FR-0722KL | YAGEO | 1635 | SMD0603 |
| AT24C64CN-SH-T | ATMEL | 008/64C 1 | SOP-8 |
| TLC072CDGN | TI | TI8A/ADV | MSOP-8 |
| 74HC238D | 1625 | SOP-16 | |
| S5M-E3/57T | VISHAY | el 1603/5M | SMC |
| US1M-E3/61T | VISHAY | 1628/UM | SMA |
| MC78M05CDTX | FSC | 1A42AD | TO-252 |
| HY-SRF05 | 16+ |
| Imagen | parte # | Descripción | |
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Nivel del tubo 3 MSL del Pin PLCC del conductor DMOS 5V 44 del motor de pasos del poder de A3977SEDTR |
Bipolar Motor Driver DMOS Logic 44-PLCC (16.59x16.59)
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