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Transistor electrónico de la electrónica de IC del microprocesador de circuito de SF64 IC Chip Integrated

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Diodo 200 V 6A a través del agujero DO-201AD
Categoría:
Conductor ICs de la exhibición
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Gama de temperaturas:
-55 a +150°C
término del pago:
T/T, Paypal, Western Union
Voltaje:
50V--300V
Envío:
DHL, FEDEX, TNT, EL CCSME
Paquete:
INMERSIÓN
Paquete de la fábrica:
bolso
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introducción

RECTIFICADOR RÁPIDO ESTUPENDO DE LA RECUPERACIÓN

INVERSOR BUFFERS/DRIVERS DEL HEX. CON SALIDAS DE OPEN-DRAIN

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CARACTERÍSTICAS

· Construcción baja de la capa

· Transferencia rápida para el alto efficency.

· Salida reversa baja

· Alta capacidad delantera de la sobretensión

· El soldar de alta temperatura garantizó: 260℃/10 secods/.375” (9.5m m)

longitud de la ventaja en 5 libras (2.3kg) de tensión

DATOS MECÁNICOS

· Caso: Moldeo a presión plástico

· Epóxido: Tarifa de UL94V-O ignífuga

· Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo

· Ventaja: Conductor axial plateado, solderable por el método 208C de MIL-STD-202E

· Posición de montaje: Ningunos

· Peso: 0.042ounce, 1.19grams

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

· Grados en la temperatura ambiente 25OC salvo especificación de lo contrario

· Carga la monofásico, de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva

· Para la carga capacitiva reduzca la capacidad normal de actual por el 20%

UNIDADES DE LOS SÍMBOLOS SF 61 SF 62 SF 63 SF 64 SF 65

El voltaje reverso máximo repetidor máximo VRRM 50 100 150 200 300 voltios de voltaje máximo VRMS 35 del RMS 70 105 140 210 voltios de DC de voltaje de bloqueo máximo VDC 50 100 150 200 300 voltios de media máxima adelante rectificó 0,375" actual longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA= 55℃ I (sistema de pesos americano) 6,0 onda sinusoidal delantera de la mitad de la sobretensión del pico del amperio sola 8.3mS sobrepuesta en la carga clasificada (método) de JEDEC IFSM 150 amperios de voltaje delantero instantáneo máximo @ 6.0A VF 0,95 1,25 voltios de corriente reversa máxima de DC en clasificado TA = voltaje de bloqueo de 25℃ 5,0 DC TA = las condiciones de prueba máximas del tiempo de recuperación reversa del µA de 125℃ IR 50 IF=0.5A, IR=1.0A, termal típica Capavitance del ns del trr 35 de IRR=0.25A (Medido en 1.0MHz y el voltaje aplicado del rever de 4.0V) resistencia termal típica de CJ 60 40 PF (℃ de la gama de temperaturas TSTG de almacenamiento del ℃ de la gama de temperaturas TJ de empalme del funcionamiento de la NOTA 1) RθJA 30 ℃/W (- 55 a +150) (- 55 a +150)

Una parte de la lista común

TRANSPORTE BC848B, 215 1427/1KW SOT-23
DIODO FEP16DT FSC A1104/AB04 TO-220
Transporte. TIP31C FSC 2016/09/13/B08 TO-220
DIODO MUR860G EN 608 TO-220
DIODO MUR460RLG EN 1613 DO-201AD
UMK316AB7475KL 1206 4.7UF 50V X7R Taiyoyunden 1608 SMD1206
BZX84-C6V2 1610/Z4W SOT-23
RP164PJ331CS 330R SAMSUNG 20160922 SMD0603x4
RC1210JR-074R7L 1210 4R7 el 5% YAGEO 1638 SMD1210
LM833DR TI 0AMASD5 SOP-8
LMH6646MAX TI MUAB/MGAB SOP-8
LM8261M5 TI A45A SOT23-5
M24C04-WMN6TP STM K235Q SOP-8
RSX101VA-30TR ROHM R SOD-323
IRLML2502TRPBF IR G6109 SOT-23
CL21A106KOQNNNE SAMSUNG AC8NOK9 SMD0805
LM2936Z-5.0 NSC 81AX TO-92
HEF4538BT, 653 1610 SOP-16
DAC5571IDBVT TI D571 SOT23-6
DS36C279M/NOPB NSC 43RC SOP-8
1206 1R2 el 1% RC1206FR-071R2L YAGEO 1638 SMD1206
0603 120R el 1% RC0603FR-07120RL YAGEO 1635 SMD0603
0603 22K el 1% RC0603FR-0722KL YAGEO 1635 SMD0603
AT24C64CN-SH-T ATMEL 008/64C 1 SOP-8
TLC072CDGN TI TI8A/ADV MSOP-8
74HC238D 1625 SOP-16
S5M-E3/57T VISHAY el 1603/5M SMC
US1M-E3/61T VISHAY 1628/UM SMA
MC78M05CDTX FSC 1A42AD TO-252
HY-SRF05   16+  

GRADO Y CURVAS SF61 DE CHRACTERISTIC CON SF65

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Común:
MOQ:
10pcs