MOSFET electrónico del poder del MOSFET HEXFET del canal N de IRF7311TRPBF IC Chips Dual
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
IRF7311
MOSFET del poder de HEXFET®
- Tecnología de la generación V
- En-resistencia ultrabaja
- MOSFET dual del canal N
- Soporte superficial
- Completamente avalancha clasificada
Descripción
La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El SO-8 se ha modificado a través de un leadframe modificado para requisitos particulares para las características aumentadas y la capacidad termales del múltiple-dado que lo hacía ideal en una variedad de usos del poder. Con estas mejoras, los dispositivos múltiples se pueden utilizar en un uso con el espacio dramáticamente reducido del tablero. El paquete se diseña para las técnicas que sueldan de la fase de vapor, infrarrojas, o de la onda.
Grados máximos absolutos (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Máximo | Unidades | ||
| Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 20 | V | |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ±12 | V | |
| actual 1 del dren continuo | TA = 25°C | Identificación | 6,6 | |
| TA = 70°C | 5,3 | |||
| Corriente pulsada del dren | IDM | 26 | ||
| Corriente de fuente continua (conducción del diodo) | ES | 2,5 | ||
| máximo 1 de la disipación de poder | TA = 25°C | Paladio | 2,0 | W |
| TA = 70°C | 1,3 | |||
| Solo 2 de la energía de la avalancha del pulso | EAS | 100 | mJ | |
| Corriente de la avalancha | IAR | 4,1 | ||
| Energía repetidor de la avalancha | OÍDO | 0,20 | mJ | |
| máximo 3 de la recuperación dv/dt del diodo | dv/dt | 5,0 | V/ ns | |
| Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a + 150 | °C | |
Notas:
1. La superficie montó en 1 en tablero cuadrado del Cu
2. Comenzando TJ = 25°C, L = 12mH RG = 25Ω, IAS = 4.1A.
≤ 4.1A, ≤ 92A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ 150°C de la DSI del 3. de di/dt de VDD de TJ
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| IRF3707PBF | 6217 | IR | 11+ | TO-220 |
| IRF5210PBF | 2546 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRF5800TRPBF | 54000 | IR | 16+ | TSOP-6 |
| IRF6218PBF | 8426 | IR | 06+ | TO-220AB |
| IRF640NPBF | 5610 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRF640NSTRLPBF | 4905 | IR | 16+ | TO-263 |
| IRF6638TRPBF | 4492 | IR | 13+ | SMD |
| IRF7303TRPBF | 15463 | IR | 14+ | SOP-8 |
| IRF7328TRPBF | 6288 | IR | 13+ | SOP-8 |
| IRF740B | 49000 | FSC | 16+ | TO-220 |
| IRF740PBF | 11487 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF7416TRPBF | 23190 | IR | 16+ | SOP-8 |
| IRF7494TRPBF | 9525 | IR | 14+ | SOP-8 |
| IRF7907TRPBF | 12836 | IR | 13+ | SOP-8 |
| IRF8010PBF | 17656 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF840PBF | 14327 | VISHAY | 16+ | TO-220 |
| IRF8788TRPBF | 21214 | IR | 12+ | SOP-8 |
| IRF9530NPBF | 5539 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF9620PBF | 3435 | VISHAY | 13+ | TO-220 |
| IRF9Z24N | 9496 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB3004PBF | 8497 | IR | 09+ | TO-220 |
| IRFB31N20D | 6973 | IR | 14+ | TO-220 |
| IRFB3207ZPBF | 16234 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRFB3306PBF | 7959 | IR | 13+ | TO-220 |
| IRFB4227PBF | 14319 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB4310PBF | 7645 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB4332PBF | 5199 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB4332PBF | 4735 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB52N15DPBF | 7716 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRFI4019HG-117P | 4847 | IR | 14+ | TO-220-5 |
| Imagen | parte # | Descripción | |
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Nivel del tubo 3 MSL del Pin PLCC del conductor DMOS 5V 44 del motor de pasos del poder de A3977SEDTR |
Bipolar Motor Driver DMOS Logic 44-PLCC (16.59x16.59)
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