Memoria serial electrónica de los chips CI 256Kb 3V F-RAM de FM25V02-G

FM25V02

memoria serial de 256Kb 3V F-RAM

Características

256K mordió RAM permanente ferroeléctrico

• Organizado como 32.768 x 8 pedazos
• La alta resistencia 100 trillón (1014) leyó/escribe
• Retención de 10 datos del año
• NoDelay™ escribe
• Proceso ferroeléctrico de la Alto-confiabilidad avanzada

Interfaz periférico serial muy rápido - SPI

• Hasta 40 megaciclos de frecuencia
• Reemplazo directo del hardware para el flash serial
• Modo 0 y 3 de SPI (CPOL, CPHA=0,0 y 1,1)

Escriba el esquema de la protección

• Protección del hardware
• Protección de software

Identificación del dispositivo y número de serie

• La identificación del dispositivo lee la identificación del fabricante y la identificación de la parte
• Número de serie único (FM25VN02)

Baja tensión, energía baja

• Operación de baja tensión 2.0V – 3.6V
• corriente del recurso seguro de 90 μA (tipo.)
• corriente del modo de sueño de 5 μA (tipo.)

Configuraciones del estándar industrial

• Temperatura industrial -40℃ a +85℃
• paquete de /RoHS SOIC del “verde 8-pin”
• paquete de /RoHS TDFN del “verde 8-pin”

Descripción

El FM25V02 es una memoria permanente de 256 kilobites que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio o un F-RAM ferroeléctrica es permanente y se realiza lee y escribe como RAM. Proporciona la retención confiable de los datos durante 10 años mientras que elimina las complejidades, los gastos indirectos, y los problemas a nivel sistema de la confiabilidad causados por memorias de destello y otras permanentes seriales.

A diferencia de flash serial, el FM25V02 se realiza para escribir operaciones a la velocidad del autobús. Ningún escriba los retrasos se contraen. Los datos se escriben al arsenal de la memoria inmediatamente después que se han transferido al dispositivo. El ciclo siguiente del autobús puede comenzar sin la necesidad de la interrogación de los datos. El producto ofrece muy arriba escribir la resistencia, órdenes de magnitud más resistencia que flash serial. También, F-RAM exhibe el consumo de una energía más baja que flash serial.

Estas capacidades hacen el ideal FM25V02 para requerir de los usos de la memoria permanente frecuente o rápido escribe u operación de la energía baja. Los ejemplos se extienden de la recopilación de datos, de donde el número escribe ciclos puede ser crítico, a exigir los controles industriales donde el largos escriben época del flash serial pueden causar pérdida de datos.

El FM25V02 proporciona ventajas sustanciales a los usuarios del flash serial como reemplazo de la reunión informal del hardware. Los dispositivos utilizan el autobús de alta velocidad de SPI, que aumenta el de alta velocidad escribe la capacidad de la tecnología de F-RAM. El FM25VN02 se ofrece con un número de serie único que sea inalterable y se pueda utilizar para identificar un tablero o un sistema. Ambos dispositivos incorporan una identificación inalterable del dispositivo que permita que el anfitrión determine el fabricante, la densidad del producto, y la revisión del producto. Los dispositivos se garantizan sobre una gama de temperaturas industrial de -40°C a +85°C.

Grados máximos absolutos

Las tensiones sobre ésas enumeradas bajo grados máximos absolutos pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es un grado de la tensión solamente, y la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos enumerados en la sección operativa de esta especificación no se implica. La exposición a las condiciones de los grados de máximo absolutos por períodos extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

Pin Configuration

Oferta común (venta caliente)