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BTS721L1 Electronic IC Chips Smart Cuatro canales Highside Power Switch

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 2.5A PG-DSO-20 del 1:1 del interruptor/del conductor
Categoría:
Gestión ICs del poder
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de fuente:
43 V
Voltaje de fuente para la protección completa del cortocircuito:
34 V
Temperatura de funcionamiento:
-40… °C +150
Temperatura de almacenamiento:
-55… °C +150
Capacidad de la descarga electrostática (ESD) (modelo del cuerpo humano):
1,0 kilovoltios
Protección de la descarga de la carga:
60 V
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introducción

 

Interruptor de alimentación inteligente de cuatro canales Highside

 

 

Características

• Protección de sobrecarga

• Limitación de corriente

• Protección contra cortocircuitos

• Apagado térmico

 

• Protección contra sobretensiones (incluido el volcado de carga)

• Desmagnetización rápida de cargas inductivas

• Protección de batería inversa1)

• Apagado por subtensión y sobretensión con reinicio automático e histéresis

 

• Salida de diagnóstico de drenaje abierto

• Detección de carga abierta en estado ON

• Entrada compatible con CMOS

• Pérdida de tierra y pérdida de protección Vbb

• Protección contra descargas electrostáticas (ESD)

                                                                                                                                               

1) Con límite de corriente externo (p. ej. resistencia RTIERRA=150 Ω) en conexión GND, resistencia en serie con conexión ST, corriente de carga inversa limitada por la carga conectada.

 

Solicitud

• Interruptor de alimentación compatible con µC con retroalimentación de diagnóstico para cargas con conexión a tierra de 12 V y 24 V CC

• Todo tipo de cargas resistivas, inductivas y capacitivas

• Reemplaza relés electromecánicos y circuitos discretos

 

Descripción general

FET de potencia vertical de canal N con bomba de carga, entrada compatible con CMOS con referencia a tierra y retroalimentación de diagnóstico, integrado monolíticamente en la tecnología Smart SIPMOS.Proporcionar funciones de protección integradas.

 

Máximos ratingsen Tj= 25°C a menos que se especifique lo contrario

Parámetro Símbolo Valores Unidad
Tensión de alimentación (protección contra sobretensiones, consulte la página 4) Vcama y desayuno 43 V
Tensión de alimentación para protección total contra cortocircuitos Tj, inicio=-40 ...+150°C Vcama y desayuno 34 V
Corriente de carga (Corriente de cortocircuito, ver página 5) IL autolimitado A
Protección de volcado de carga2) VVaciado de la carga= UA + Vs, UA= 13,5 VRI 3) = 2 Ω, td= 200ms;IN= bajo o alto, cada canal cargado con RL= 4,7 Ω, VVaciado de la carga4) 60 V

Rango de temperatura de funcionamiento

Rango de temperatura de almacenamiento

tj

Tstg

-40 ...+150

-55 ...+150

ºC

Disipación de potencia (CC)5Ta = 25°C:

(todos los canales activos) Ta = 85°C:

PAGnene

3.7

1.9

W

Disipación de energía de desconexión de carga inductiva, pulso único

Vcama y desayuno=12V, Tj, inicio=150°C5),

IL= 2,9 A, ZL= 58 mH, 0Ω un canal:

IL= 4,3 A, ZL= 58 mH, 0Ω dos canales paralelos:

IL= 6,3 A, ZL= 58 mH, 0Ω cuatro canales paralelos:

miCOMO

 

 

0.3

0,65

1.5

j
Capacidad de descarga electrostática (ESD) (modelo de cuerpo humano) VEDS 1.0 kV

Voltaje de entrada (CC)

Corriente a través del pin de entrada (DC)

Corriente a través del pin de estado (DC)

VEN

IEN

ICALLE

-10 ... +16

±2.0

±5.0

V

mamá

 

Resistencia termica

empalme - punto de soldadura5),6)cada canal:

empalme - ambiente5)un canal activo:

todos los canales activos:

 

Resto

Rgracias

 

 

15

41

34

kilovatios/vatios

2) Los voltajes de suministro superiores a Vbb(AZ) requieren un límite de corriente externo para los pines GND y de estado, por ejemplo, con una resistencia de 150 Ω en la conexión GND y una resistencia de 15 kΩ en serie con el pin de estado.Se integra una resistencia para protección de entrada.

3) RI = resistencia interna del generador de impulsos de prueba de descarga de carga

4) VVaciado de la cargase configura sin el DUT conectado al generador según ISO 7637-1 y DIN 40839

5) Dispositivo en PCB epoxi FR4 de 50 mm * 50 mm * 1,5 mm con área de cobre de 6 cm2 (una capa, 70 µm de espesor) para conexión Vbb.PCB es vertical sin aire soplado.Ver página 15

6) Punto de soldadura: lado superior del borde de soldadura del pin 15 del dispositivo. Ver página 15

 

 

 

 

 

Oferta de acciones (venta caliente)

número de pieza Cantidad Marca CORRIENTE CONTINUA Paquete
TOP261YN 2373 FUERZA 16+ TO-220
TOP264VG 8873 FUERZA 16+ EDIP-12
TOP266EG 16921 FUERZA 10+ ESIP-7C
TOP267EG 7031 FUERZA 16+ ESIP-8C
TOP271EG 3488 FUERZA 15+ ESIP-7C
TORX173 2713 TOSHIBA 16+ DIP-6
TP3071N-G 5344 NSC 15+ DIP-20
TP3404V 1876 NSC 16+ PLCC28
TPA1517DWPR 10982 TI 11+ SOP-20
TPA3113D2PWPR 6422 TI 15+ HTSSOP28
TPA3123D2PWR 6127 TI 16+ TSSOP-24
TPA6120A2DWPR 3730 TI 15+ SOP-20
TPC8109 18035 TOSHIBA 16+ SOP-8
TPC8115-H 24551 TOSHIBA 14+ SOP-8
TPD1E10B09DPYR 44000 TI 15+ X2SON2
TPD2E001DRLR 17000 TI 16+ SOT-553
TPD4123K 2950 TOSHIBA 11+ DIP-26
TPD4S012DRYR 18161 TI 16+ hijo-6
TPIC6595DWR 7838 TI 14+ SOP-20
TPIC6B273DWR 8162 TI 16+ SOP-20
TPIC6B596DWRG4 4856 TI 14+ SOP-20
TPL5010DDCR 7320 TI 16+ SOT23-6
TPS2041BDBVR 18106 TI 13+ SOT23-5
TPS2041CDBVR 24622 TI 16+ SOT23-5
TPS2042BDR 7385 TI 16+ SOP-8
TPS2046BDR 7505 TI 06+ SOP-8
TPS2052BDR 14753 TI 16+ SOP-8
TPS2054BDR 11053 TI 10+ SOP-16
TPS2111PWR 11124 TI 08+ TSSOP-8
TPS2543RTER 4305 TI 16+ QFN16

 

 

 

 

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MOQ:
20pcs