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Línea linear conductor de los circuitos integrados de los chips CI electrónicos 74HCT1G125GW

Línea linear conductor de los circuitos integrados de los chips CI electrónicos 74HCT1G125GW
Línea linear conductor de los circuitos integrados de los chips CI electrónicos 74HCT1G125GW
fabricante:
Fabricante
Descripción:
El almacenador intermediario, No-invirtiendo 1 elemento 1 mordido por el elemento 3-State hizo salir
Categoría:
Chips de circuito integrado
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de fuente:
−0.5 a +7,0 V
corriente de diodo de la entrada:
±20 mA
corriente de diodo de la salida:
±20 mA
fuente de la salida o corriente del fregadero:
±12.5 mA
Temperatura de almacenamiento:
−65 al °C +150
disipación de poder por el paquete:
200 mW
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
SN74HC541PW 39000 TI 07+ TSSOP-20
SN74HC541PWR 87000 TI 04+ TSSOP-20
SN74HC573AN 9373 TI 16+ DIP-20
SN74HC574N 9444 TI 16+ SOP-20
SN74HC590AN 10493 TI 15+ DIP-16
SN74HC595DWR 17609 TI 02+ SOP-16
SN74LS04N 11203 TI 15+ SOP-14
SN74LS05N 7457 TI 95+ SOP-14
SN74LS07DR 9255 TI 16+ SOP-14
SN74LS07N 14682 TI 16+ DIP-14
SN74LS132N 7428 TI 14+ DIP-14
SN74LS138DR 8860 TI 16+ SOP-16
SN74LS138N 4238 TI 15+ DIP-16
SN74LS145DR 11984 TI 13+ SOP-16
SN74LS148DR 16244 TI 93+ SOP-16
SN74LS153N 6801 TI 84+ DIP-16
SN74LS194N 5146 TI 15+ DIP-16
SN74LS240DWR 8481 TI 16+ SOP-20
SN74LS247N 10272 TI 12+ DIP-16
SN74LS279ADR 4087 TI 10+ SOP-16
SN74LS373N 11274 TI 15+ DIP-20
SN74LS374N 10564 TI 14+ DIP-20
SN74LS76AN 6267 TI 16+ DIP-16
SN74LS83N 10343 TI 13+ DIP-16
SN74LS86AN 16315 TI 14+ DIP-14
SN74LV244ADWR 100000 TI 13+ SOP-20
SN74LV245ADWR 23344 TI 12+ SOP-20
SN74LV4052ADR 35000 TI 16+ SOP-16
SN74LVC04ADR 9000 TI 16+ SOP-14
SN74LVC07ADR 64000 TI 16+ SOP-14

74HC1G125; 74HCT1G125

Almacenador intermediario del autobús/línea conductores; estado 3

CARACTERÍSTICAS

• Gama ancha de 2,0 a 6,0 V del voltaje de fuente

• Impedancia de salida simétrica

• Alta inmunidad de ruido

• Disipación de energía baja

• Retrasos de propagación equilibrados

• Paquete muy pequeño de 5 pernos

• Capacidad de la salida: conductor del autobús.

DESCRIPCIÓN

El 74HC1G/HCT1G125 es un dispositivo de alta velocidad de la Si-puerta Cmos.

El 74HC1G/HCT1G125 provee de una almacenador intermediario/línea conductor de no-inversión salida de 3 estados. La salida de 3 estados es controlada por la salida permite el perno de la entrada (OE). UN ALTO en el perno OE causa la salida como asume un Apagado-estado de alta impedancia.

Las corrientes de salida del conductor del autobús son iguales comparadas al 74HC/HCT125.

VALORES LÍMITES

De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 60134); los voltajes se refieren a la tierra (tierra = 0 V).

SÍMBOLO PARÁMETRO CONDICIONES MÍNIMO. MÁXIMO. UNIDAD
VCC voltaje de fuente −0.5 +7,0 V
IIK corriente de diodo de la entrada VI<> YO > VCC + 0,5 V; nota 1 − ±20 mA
IOK corriente de diodo de la salida VO<> O > VCC + 0,5 V; nota 1 − ±20 mA
IO fuente de la salida o corriente del fregadero −0.5 V < V="">O < V="">CC + 0,5 V; nota 1 − ±12.5 mA
ICC VCC o tierra actual nota 1 − ±25 mA
Tstg temperatura de almacenamiento −65 +150 °C
Paladio disipación de poder por el paquete para el °C de la gama de temperaturas de −40 a +125; nota 2 − 200 mW

Notas

1. Los grados de la entrada y del voltaje de salida pueden ser excedidos si se observan los grados de la corriente de entrada y de salida.

2. Sobre el °C 55 el valor del paladio reduce la capacidad normal linear con 2,5 mW/K.

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