Componentes de R1LP0408CSP-7LC Electrnic IC Chips Integrated Circuit IC los 4M SRAM (】 512-kword de 8 bits
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
Componentes de R1LP0408CSP-7LC Electrnic IC Chips Integrated Circuit IC
los 4M SRAM (512-kword] de 8 bits
Una parte de la lista común
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R el 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K el 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | SOSTENIDO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORTE LOS 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
| CASQUILLO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| CASQUILLO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CACEROLA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| CASQUILLO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L el 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L del RES 3K3 el 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
| CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Descripción
El R1LP0408C-C es un 4-Mbit que RAM estático organizó el × de 512 kword de 8 bits. R1LP0408 C-C Series ha realizado un rendimiento más de alta densidad, más alto y el bajo consumo de energía empleando la tecnología de proceso del Cmos (célula de memoria 6-transistor). El R1LP0408 C-C Series ofrece a energía baja la disipación de poder espera; por lo tanto, es conveniente para los sistemas de copia de seguridad de batería. Ha empaquetado en la COMPENSACIÓN de 32 pernos, 32 perno TSOP II.
Características
• Sola fuente de 5 V: ± el 10% de 5 V
• Tiempo de acceso: 55/70 ns (máximo)
• Disipación de poder: activo: recurso seguro del de 10 mW/MHz (tipo): µW 4 (tipo)
• Memoria totalmente estática. ningún reloj o estroboscópico que mide el tiempo requerido
• Igualdad de acceso y duraciones de ciclo
• Entrada y salida comunes de datos. salida del estado del tres
• Directamente TTL compatible. todas las entradas y salidas
• Operación de reserva de batería.
• Temperatura de funcionamiento: −20 a +70°C
Pin Arrangement
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485