El TRANSISTOR PARA DE POCO RUIDO, AMPLIFICACIÓN del RF del SILICIO de 2SC5508-T2B NPN de la ALTA GANANCIA llevó a la placa de circuito
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
TRANSISTOR PARA DE POCO RUIDO, AMPLIFICACIÓN DEL RF DEL SILICIO DE 2SC5508-T2B NPN DE LA ALTA GANANCIA
CARACTERÍSTICAS
• Ideal para de poco ruido, usos de la amplificación de la alta ganancia
• N-F = TIPO del DB 1,1., GA = TIPO del DB 16. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 gigahertz
• Aumento disponible máximo del poder: Mag = TIPO del DB 19. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 gigahertz
• pie = 25 gigahertz de la tecnología adoptada
• fino-tipo paquete estupendo del perno de la Plano-ventaja 4 del minimold (M04)
LISTA COMÚN
PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
MSM5219BGS-K-7 | 550 | OKI | 14+ | QFP |
PS11003-C | 500 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
MB87020PF-G-BND | 3531 | FUJITSU | 14+ | QFP |
MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | CREMALLERA |
7MBP150RTB060 | 210 | FUJI | 12+ | MÓDULO |
MBM200HS6B | 629 | HITACHI | 14+ | MÓDULO |
PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | MÓDULO |
PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | MÓDULO |
LA1185 | 3928 | SANYO | 14+ | SIP9 |
BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MÓDULO |
LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
NCN1188MUTAG | 8480 | EN | 16+ | UQFN |
NCN1154MUTAG | 8400 | EN | 16+ | UQFN |
LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
L78L05ABD | 10000 | ST | 15+ | SOP8 |
AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | INMERSIÓN |
LTC4441IMSE | 6207 | LINEAR | 14+ | MSOP |
PA0173NLT | 7386 | PULSO | 16+ | COMPENSACIÓN |
P0926NL | 8560 | PULSO | 16+ | COMPENSACIÓN |
PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
PH150S280-24 | 914 | Lambda | 16+ | IGBT |
LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | MÓDULO |
CXA3834M | 2531 | SONY | 15+ | COMPENSACIÓN |
NS8002 | 40000 | NSIWAY | 16+ | COMPENSACIÓN |
MP8707EN-LF-Z | 5854 | P.M. | 16+ | COMPENSACIÓN |
MAP3202 | 3234 | MAGNACHIP | 16+ | COMPENSACIÓN |
PS20660-MRZ | 200 | MITSUBISH | 05+ | MÓDULO |
PK55GB80 | 80 | SANREX | 12+ | MÓDULO |
BSM200GD60DLC | 368 | EUPEC | 14+ | MÓDULO |
LV8401V-TLM-E | 5128 | EN | 16+ | SSOP |
2DI150D-050C | 991 | FUJI | 14+ | MÓDULO |
QM50HA-H | 300 | MITSUBISH | 13+ | MÓDULO |
XC3S250E-4TQG144C | 1968 | XILINX | 15+ | QFP144 |
CY7C68014A-100AXC | 1156 | CYPRESS | 15+ | QFP |
LP2985A-10DBVR | 4710 | TI | 15+ | SOT-23-5 |
PB4350 | 10940 | 16+ | SOT-23 | |
M27C512-70XF1 | 4087 | ST | 16+ | INMERSIÓN |
QM200DY-H | 250 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
ATTINY85-20PU | 500 | ATMEL | 14+ | DIP-8 |
A50L-0001-0284 | 100 | FUJI | 10+ | MÓDULO |
PC357N1TJ00F | 10000 | SOSTENIDO | 16+ | COMPENSACIÓN |
2MBI150US-120-50 | 388 | FUJI | 14+ | MÓDULO |
2MBI75P-140 | 523 | FUJI | 12+ | MÓDULO |
LNK364PN | 4211 | PODER | 15+ | DIP-7 |
RA30H2127M | 200 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
CM110YE4-12F | 228 | MITSUBI | 15+ | MÓDULO |
MRF321 | 642 | MOT | 14+ | TO-55s |
A3972SB | 1000 | ALLEGRO | 13+ | DIP-24 |
MR4010 | 6253 | SHINDENGE | 16+ | TO220-7 |
PMD1000 | 5000 | ALLEGRO | 10+ | QFP-48 |
LTC2294IUP | 726 | LT | 15+ | QFN |
M30620FCAFP | 3750 | RENESAS | 16+ | QFP |
BT148W-600R | 10000 | 14+ | TO220 |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
