Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > ETC1-1-13 solo circuito integrado electrónico 4,5 - de los chips CI/rf DB 1000

ETC1-1-13 solo circuito integrado electrónico 4,5 - de los chips CI/rf DB 1000

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Balún 4.5MHz ~ 3GHz 1:1 5-SMD del RF
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Corriente continua:
250mW
Corriente de DC:
30mA
Temperatura de funcionamiento:
-40°C a +85°C
Temperatura de almacenamiento:
-55°C a +125°C
Frecuencia del RF:
4.5 - 3000 megaciclos
Desequilibrio de la amplitud:
4.5 - DB 1000
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
HSMS-2855-TR1G 4702 AVAGO 07+ SOT-143
HSMS-2865-TR1 10012 AVAGO 16+ SOT-143
HSMS-8202-TR1G 52000 AVAGO 15+ SOT23-3
HSR312L 10051 FSC 11+ DIP-6
HSR312LSR2 13893 FAIRCHILD 11+ SMD-6
HST-1025DR 6152 GROUP-TEK 15+ DIP-10
HT1621B 7740 HOLTEK 16+ SSOP-48
HT1622 5453 HOLTEK 16+ QFP64
HT46R47 19936 HOLTEK 15+ SOP-18
HT6264-70LL 470 HOLTEK 05+ INMERSIÓN
HT66F004 9712 HOLTEK 15+ SSOP-20
HT66F04C 15392 HOLTEK 15+ SOP-8
HT7150A-1 68000 HOLTEK 14+ TO-92
HT7333-A 81000 HOLTEK 15+ SOT-89
HT7533-1 12000 HOLTEK 14+ SOT-89
HT7550-1 99000 HOLTEK 14+ TO-92
HV823LG-G 6045 SUPERTEX 16+ SOP-8
HV9910CLG-G 4151 MICROCHIP 16+ SOP-8
HY-SRF05 5779 OAHE 13+ DIP-5
HZ7B2 5000 RENESAS 16+ DO-35
ICE2A165 9612 11+ DIP-8
ICE2A265 4648 11+ DIP-8
ICE3AR0680JZ 8708 14+ DIP-7
ICE3AR2280JZ 4776 15+ DIP-7
ICE3B1565 5624 16+ DIP-8
ICL3232CBNZ-T 3890 INTERSIL 08+ SOP-16
ICL3232EIV-16Z-T 13964 INTERSIL 15+ TSSOP-16
ICL3243EIA-T 9583 INTERSIL 15+ SSOP
ICL7116CPL 1500 INTERSIL 00+ INMERSIÓN
ICL7673CBAZA-T 8679 INTERSIL 12+ SOP-8

ETC1-1-13 V5

Línea de transmisión del 1:1 del RF de las E-series transformador

4.5 - 3000 megaciclos

Rev. V5

Características

• Ratio de la impedancia del 1:1

• Soporte superficial

• Empaquetado de la cinta y del carrete disponible

Descripción

M/A-COM ETC1-1-13 es una línea de transmisión del RF del 1:1 transformador en un bajo costo, paquete superficial del soporte. Adaptado idealmente para el uso celular y inalámbrico en grandes cantidades. Las piezas se empaquetan en cinta y carrete

Grados máximos absolutos 1,2

Parámetro Máximo absoluto
Corriente continua 250mW
Corriente de DC 30mA
Temperatura de funcionamiento -40°C a +85°C
Temperatura de almacenamiento -55°C a +125°C

1. Exceder cualquier o combinación de estos límites puede causar daño permanente a este dispositivo.

2. M/A-COM no recomienda la operación continua cerca de estos límites de la supervivencia.

Imagen de producto

Paquete SM-22

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs