Los chips CI electrónicos de SN74HC04N integraron componentes embrujan el inversor
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
74HC04; 74HCT04
Inversor del hex.
CARACTERÍSTICAS
• Cumple con no. estándar 8-1A de JEDEC
• Protección del ESD: HBM EIA/JESD22-A114-A excede 2000 V milímetro EIA/JESD22-A115-A excede de 200 V.
• De −40 a +85 °C especificado y −40 a +125 °C.
DESCRIPCIÓN
Los 74HC/HCT04 son dispositivos de alta velocidad de la Si-puerta Cmos y son perno compatible con la energía baja Schottky TTL (LSTTL). Se especifican de acuerdo con no. estándar 7A de JEDEC. Los 74HC/HCT04 proporcionan seis almacenadores intermediarios de inversión.
DATOS DE REFERENCIA RÁPIDA
TIERRA = 0 V; Tamb = °C 25; ≤ 6,0 ns del tr = del tf.
| SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | TÍPICO | UNIDAD | |
| HC04 | HCT04 | ||||
| tPHL/tPLH | nA del retraso de propagación al nY | CL = 15 PF; VCC = 5 V | 7 | 8 | ns |
| Ci | capacitancia de la entrada | 3,5 | 3,5 | PF | |
| CPD | capacitancia de la disipación de poder por la puerta | notas 1 y 2 | 21 | 24 | PF |
Notas
1. El CPD se utiliza para determinar la disipación de poder dinámica (paladio en µW).
× VCC del paladio = del CPD × del fi de 2 × N + Σ (× 2 FO del × VCC del CL) dónde:
frecuencia del fi = de la entrada en el megaciclo;
frecuencia de las FO = de la salida en el megaciclo;
Capacitancia de la carga del CL = de la salida en el PF;
VCC = voltaje de fuente en voltios;
N = salidas que cambian de la carga total;
Σ (× 2 FO del × VCC del CL) = suma de las salidas.
2. Para 74HC04: la condición es VI = tierra a VCC.
Para 74HCT04: la condición es VI = tierra VCC al − 1,5 V.
Tipo de conexión Fig.1 DIP14, SO14 y (T) SSOP14.
Tipo de conexión Fig.2 DHVQFN14. Símbolo de lógica Fig.3.
Símbolo de lógica del IEC Fig.4. Diagrama de lógica Fig.5 (un inversor).
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