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SMCJ5.0A-E3/57T IC electrónico Chips Integrated Circuit Components

fabricante:
Fabricante
Descripción:
DIODO 5VWM 9.2VC DO214AB DE LAS TV
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Disipación de poder máximo de pulso con una forma de onda de los µs de 10/1000:
1500W
Onda sinusoidal delantera máxima del ms de la sobretensión 8,3 sola media unidireccional solamente:
200 A
Disipación de poder en el disipador de calor infinito, TA = °C 50:
6,5 W
Temperatura de empalme de funcionamiento:
- 55 + al °C 150
Temperatura de almacenamiento:
- 55 + al °C 150
VWM:
5,0 V a 188 V
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
TEF6606T 4200 15+ SOP-32
TDA7293V 4500 ST 16+ ZIP-16
TS2431AILT 30000 ST 15+ SOT-23
TIP42C 10000 FSC 15+ TO-220
TDA2050V 4819 ST 14+ TO220-5
TDA7294V 8938 ST 15+ ZIP-15
TPS2552DBVR 8928 TI 16+ SOT23-6
TL494CN 10000 TI 15+ DIP-16
TIP42C 10000 FSC 15+ TO-220
TIP41C 10000 FSC 15+ TO-220
VB326SP 5399 ST 15+ SOP-10
TDA2030V 6911 ST 15+ TO-220
TDA2052V 2500 ST 15+ TO220-7
W78E365A40PL 4827 WINBOND 15+ PLCC44
TCLT1002 10000 VISHAY 15+ SOP-4
TL431CLPRE3 30000 TI 16+ TO-92
TS5A22362DGSR 5882 TI 15+ MSOP-10
TPA3111D1PWPR 7261 TI 13+ TSSOP-28
TS3A24159DGSR 3877 TI 15+ MSOP-10
VIPER100A 5382 ST 14+ TO-220-5
TIL119 4120 FSC 15+ DIP-6
ULN2823A 3727 ALLEGRO 15+ DIP-18
MCP6001T-I/OT 10000 MICROCHIP 16+ SOT23-5
LTC1286CS8 5342 LT 16+ COMPENSACIÓN
LTST-C170TGKT 25000 LITEON 14+ SMD
MR756 6288 EN 16+ INMERSIÓN
MAX31865ATP+T 9950 MÁXIMA 15+ QFN
NTF3055L108T1G 4680 EN 14+ SOT-223
ATMEGA8A-AU 3304 ATMEL 15+ QFP32
MC14046BDWR2G 15000 EN 13+ COMPENSACIÓN

SMCJ5.0 con SMCJ188CA

General semiconductor de Vishay

Supresores transitorios superficiales del voltaje del soporte TRANSZORB®

CARACTERÍSTICAS

• Paquete del perfil bajo

• Ideal para la colocación automatizada

• Empalme apaciguado de cristal del microprocesador

• Disponible en unidireccional y bidireccional

• Capacidad de fijación con abrazadera excelente

• Tiempo de respuesta muy rápido

• Resistencia ampliada baja de la oleada

• Nivel 1 de las reuniones MSL, por J-STD-020, SI pico máximo del °C 260

• °C de la inmersión 260 de la soldadura, 40 s

• Componente del acuerdo a RoHS 2002/95/EC y WEEE 2002/96/EC

USOS TÍPICOS

Uso en la protección sensible de la electrónica contra los transeúntes del voltaje inducidos la transferencia de la carga inductiva y encendiéndose en los ICs, el MOSFET, líneas de señales de las unidades del sensor para el consumidor, el ordenador, industrial, automotriz y telecomunicación.

DATOS MECÁNICOS

Caso: DO-214AB (SMCJ)

El compuesto que moldea resuelve el grado de la inflamabilidad V-0 de la UL 94

Base P/noreste 3 - RoHS obediente, calidad comercial

Base P/NHE3 - RoHS obediente, grado automotriz de la alta confiabilidad (el AEC Q101 calificó)

Terminales: Ventajas estañadas, solderable mates por J-STD-002 y JESD22-B102

El sufijo E3 resuelve la prueba de la barba de la clase 1A de JESD 201, sufijo HE3 resuelve la prueba de la barba de la clase 2 de JESD 201

Polaridad: Para los tipos unidireccionales la banda denota el extremo del cátodo, ninguna marca en tipos bidireccionales

GRADOS MÁXIMOS (TA = °C 25 a menos que se indicare en forma diferente)

PARÁMETRO SÍMBOLO VALOR UNIDAD
Disipación de poder máximo de pulso con una forma de onda de los µs de 10/1000 (1) (2) PPPM 1500 W

Sobretensión delantera máxima

sola media onda sinusoidal de 8,3 ms solamente (2) unidireccional

IFSM 200
Disipación de poder en el disipador de calor infinito, TA = °C 50 Paladio 6,5 W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento TJ, TSTG - 55 a + 150 °C

DIMENSIONES del ESQUEMA del PAQUETE en las pulgadas (milímetros)

DO-214AB (J-curva de SMC) Disposición del postizo de montaje

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