Componente de IC Chips Integrated Circuits IC de la electrónica de SN74LVC2G241DCUR
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
Características
Disponible en Texas Instruments Nanostar y el NonaFree Pakages
Apoya la operación de 5-V Vcc
Las entradas aceptan Volagets a 5.5V
Tpd máximo de 4.1ns en 3.3V
Bajo consumo de energía, 10-uA ICC máximo
+-24-mA hizo salir la impulsión en 3.3V
Volp típico (despedida de tierra de la salida) <0>
Vohv típico (aterrizaje corto) de Voh de la salida >2V en Vcc=3.3V Ta= 25°C
Ioff apoya la operación del modo del Parcial-poder-Abajo
El funcionamiento del cierre-para arriba excede 100mA por clase de JESD 78 II
La protección del ESD excede JESD 22
modelo del Humano-cuerpo del − 2000-V (A114-A)
modelo de máquina del − 200-V (A115-A)
modelo del Cargar-dispositivo del − 1000-V (C101)
grados máximos absolutos sobre gama de temperaturas de funcionamiento del libre-aire
(a menos que se indicare en forma diferente) †
Gama del voltaje de fuente, VCC V de −0.5 V a 6,5
Gama de voltaje entrado, VI (véase la nota 1) −0.5 V a 6,5
La gama del voltaje se aplicó a cualquier salida en el estado de alta impedancia o del poder-apagado,
Vo (véase la nota 1)…………………………………. V de −0.5 V a 6,5
La gama del voltaje se aplicó a cualquier salida en el estado alto o bajo,
Vo (véase las notas 1 y 2) −0.5 V al V.……………………. CC + 0,5 V
Corriente entrada de la abrazadera, IIK (VI < 0="">
Corriente de la abrazadera de la salida, IOK (Vo < 0="">
Corriente de salida continua, IO………………………… ±50 mA
Corriente continua a través de VCC o de la tierra………. ±100 mA
Impedancia termal del paquete, θJA (véase la nota 3): Paquete 220 °C/W de DCT
Paquete 227 °C/W de la DCU
Paquete 140 °C/W de YEAH/YZA
Paquete 102 °C/W de YEP/YZP
Gama de temperaturas de almacenamiento, °C de Tstg −65 a 150°C
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC