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IRF640NSTRLPBF avanzó los circuitos digitales del ic de los chips CI comunes de la tecnología de proceso

IRF640NSTRLPBF avanzó los circuitos digitales del ic de los chips CI comunes de la tecnología de proceso
IRF640NSTRLPBF avanzó los circuitos digitales del ic de los chips CI comunes de la tecnología de proceso
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte D2PAK de la superficie 150W (Tc) del canal N 200 V 18A (Tc)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Corriente continua del dren, VGS @ 10V:
13 A
Corriente pulsada del dren:
? 72 A
Disipación de poder:
150 W
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

digital integrated circuits

Introducción

Lista COMÚN

MRF184 6393 MOT 14+ SMD
MURS140 25000 EN 16+ DO-214
BGY68 3500 14+ MOKUAI
PESD5V2S2UT 25000 16+ BORRACHÍN
LM26CIM5-TPA 5000 NSC 14+ SOT-23-5
CM1200HB-66H 213 MITSUBI 14+ MÓDULO
LPC11C24FBD48 4833 15+ LQFP-48
CM30TF-24H 313 MITSUBI 15+ MÓDULO
7MBR50SB120 230 FUJI 12+ MÓDULO
MAX209EWG 7850 MÁXIMA 14+ COMPENSACIÓN
LXT970AQC 4907 LEVELONE 10+ QFP
MSP430FG4619IPZ 6834 TI 16+ LQFP
NCP1052ST136T3G 9280 EN 16+ SOT-223
MAX17121ETG 6550 MÁXIMA 16+ QFN
MAC97A6 25000 EN 16+ TO-92
MPC89E58AF 5910 MEGAWIN 16+ PQFP
CS4398-CZZR 2234 CIRRO 15+ TSSOP
LC4064V-75TN100-10I 3070 ENREJADO 15+ QFP
ME0550-02DA 595 IXYS 14+ IGBT
MDD26-14N1B 5902 IXYS 16+ IGBT
MT9V024IA7XTM 2499 EN 15+ BGA
MCC21-1408B 4756 IXYS 14+ IGBT
CM100DU-24NFH 378 MITSUBI 15+ MÓDULO
6RI100E-080 958 FUJI 15+ MÓDULO
PM150RSD060 250 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PK160F-160 120 SANREX 11+ MÓDULO
LC540 3081 TI 15+ TSSOP
OP20FZ 596 ANUNCIO 16+ CDIP
PCA9554PWR 12420 TI 16+ TSSOP
M1494NC180 479 WESTCODE 14+ MÓDULO
LM4890MM 30000 NSC 15+ MSOP-8
MHW6342T 6304 MOT 15+ CATV
CM450HA-5F 233 MITSUBI 14+ MÓDULO
PM200RSD060 230 MITSUBISH 05+ MOUDLE

MOSFET del poder de HEXFET®

¿? ►Proceso avanzado

►¿Tecnología? ¿Grado dinámico de dv/dt?

►¿temperatura de funcionamiento 175°C?

►¿Transferencia rápida?

►¿Completamente avalancha clasificada?

►¿Facilidad de ser paralelo a?

►Requisitos simples de la impulsión

►¿? Sin plomo

Descripción

Los MOSFETs del poder de la quinta generación HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.

El D2Pak es un paquete superficial del poder del soporte capaz de acomodar a morir los tamaños hasta HEX-4. Proporciona la capacidad del poder más alto y el onresistance posible más bajo de cualquier paquete superficial existente del soporte. El D2Pak es conveniente para los usos de gran intensidad debido a su resistencia interna baja de la conexión y puede disiparse hasta 2.0W en un uso superficial típico del soporte.

La versión del por-agujero (IRF640NL) está disponible para el uso lowprofile

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