SFH6106-3 circuito integrado Chip Optocoupler, salida del fototransistor, alta confiabilidad, 5300 VRMS
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
SFH610A/SFH6106
Acoplador óptico, salida del fototransistor, alta confiabilidad, 5300 VRMS
Características
• Buenas linearidades del CTR dependiendo de la corriente delantera
• Voltaje de la prueba del aislamiento, 5300 VRMS
• Alto voltaje del Colector-emisor, VCEO = 70 V
• Voltaje de saturación bajo
• Épocas que cambian rápidas
• Degradación baja del CTR
• Establo de la temperatura
• Capacitancia de acoplamiento baja
• Fin-apilable, 0,100" espaciamiento (2,54 milímetros)
• Alta inmunidad de interferencia del Común-modo
• Ventaja (Pb) - componente libre
• Componente del acuerdo a RoHS 2002/95/EC y WEEE 2002/96/EC
Aprobaciones de la agencia
• UL1577, código H de sistema de no. E52744 del fichero o J, protección doble
• EN 60747-5-2 (VDE0884) DEL ESTRUENDO
EN 60747-5-5 del estruendo pendiente
Disponible con la opción 1
• CSA 93751
• BSI IEC60950 IEC60065
Descripción
La característica SFH610A (INMERSIÓN) y SFH6106 (SMD) un ratio de gran intensidad de la transferencia, una capacitancia de acoplamiento baja y un alto voltaje del aislamiento. Estos acopladores tienen un emisor infrarrojo del diodo del GaAs, que ópticamente se junta a un detector planar del fototransistor del silicio, y se incorporan en un paquete plástico de DIP-4 o de SMD. Los dispositivos de acoplamiento se diseñan para la transmisión de la señal entre dos circuitos eléctricamente separados. Los acopladores son fin-apilables con 2,54 milímetros de espaciamiento.
Las distancias del contorneamiento y de la liquidación de > 8,0 milímetros se alcanzan con la opción 6. Esta versión cumple con IEC 60950 (VDE 0805 del estruendo) para el aislamiento reforzado hasta un voltaje de la operación de 400 VRMS o de DC. Especificaciones conforme a cambio.
Grados máximos absolutos
Tamb = °C 25, salvo especificación de lo contrario
Las tensiones superior a los grados máximos absolutos pueden causar daño permanente al dispositivo. La operación funcional del dispositivo no se implica en éstos o ninguna otra condiciones superior a ésas dadas en las secciones operativas de este documento. La exposición al grado máximo absoluto por los períodos extendidos del tiempo puede afectar al contrario a confiabilidad.
Entrada
| Parámetro | Condición de prueba | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje reverso | VR | 6,0 | V | |
| DC adelante actual | SI | 60 | mA | |
| Afloje adelante actual | µs del ≤ 10 de t | IFSM | 2,5 | |
| Disipación de poder | Pdiss | 100 | mW |
Salida
| Parámetro | Condición de prueba | Símbolo | Valor | Unidad |
| voltaje del Colector-emisor | VCE | 70 | V | |
| voltaje del Emisor-colector | VEC | 7,0 | V | |
| Corriente de colector | IC | 50 | mA | |
| ms del ≤ 1,0 de t | IC | 100 | mA | |
| Disipación de poder | Pdiss | 150 | mW |
Acoplador
| Parámetro | Condición de prueba | Símbolo | Valor | Unidad |
| El voltaje de la prueba del aislamiento entre el emisor y el detector, refiere al estruendo 40046, parte 2 del clima, noviembre del 74 | VISO | 5300 | VRMS | |
| Contorneamiento | ≥ 7,0 | milímetro | ||
| Liquidación | ≥ 7,0 | milímetro | ||
| Grueso del aislamiento entre el emisor y el detector | ≥ 0,4 | milímetro | ||
| Índice de seguimiento comparativo por IEC 112/VDEO 303, parte 1 del estruendo | ≥ 175 | |||
| Resistencia del aislamiento | VIO = 500 V, Tamb = °C 25 | RÍO | ≥ 1012 | Ω |
| VIO = 500 V, Tamb = °C 100 | RÍO | ≥ 1011 | Ω | |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | - 55 a + 150 | °C | |
| Gama de temperaturas ambiente | Tamb | - 55 a + 100 | °C | |
| Temperatura de empalme | Tj | 100 | °C | |
| Temperatura que suelda | distancia que suelda de la inmersión del máximo 10 S. a asentar el ≥ plano 1,5 milímetros | Tsld | 260 | °C |
Dimensiones del paquete en las pulgadas (milímetros)
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC