Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Proveedor de oro de China IC del transistor del RF del silicio de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado BFP540

Proveedor de oro de China IC del transistor del RF del silicio de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado BFP540

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor del RF
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Gama de temperaturas:
-65°C a +150°C
Resistencia termal típica:
80mA
Voltaje:
4.5V
Sobretensión delantera:
40°C a +80°C
Paquete:
SOT343
Paquete de la fábrica:
3000PCS/Reel
Punto culminante:

digital integrated circuits

,

linear integrated circuits

Introducción

BFP540

Transistor del RF del silicio de NPN

• Para el amplificador de poco ruido del aumento más alto en 1,8 gigahertz

• Gms excepcional = figura de ruido del DB 21,5 F = 0,9 DB

• Metalización del oro para la alta confiabilidad

•  45 de SIEGET - línea

• (RoHS obediente) package1 Pb-libres)

• Calificado acordando AEC Q101

La negación legal la información dada en este documento nunca será mirada como garantía de condiciones o de características. En cuanto a cualesquiera ejemplos o indirecta dados adjunto, cualesquiera valores típicos indicaron adjunto y/o cualquier información con respecto al uso del dispositivo, tecnologías niega por la presente cualquiera y todas las garantías y responsabilidades de cualquier clase, incluyendo sin la limitación, las garantías de la no-infracción de los derechos de propiedad intelectual de cualquier tercero.


Una parte de la lista común

TRANSPORTE MJD122T4G EN 1638/J122G TO-252
NPO CL10C470JB8NNNC del CASQUILLO 47PF 50V SAMSUNG AC77OKE SMD0603
RES 0R el 5%
RC0603JR-070RL
YAGEO 1638 SMD0603
RES 1K el 5%
RC0603JR-071KL
YAGEO 1638 SMD0603
CASQUILLO CL21B105KOFNNNE SAMSUNG AC82OCC SMD
CASQUILLO 4,7UF 10V X5R el 10% CL21A475KPFNNNE SAMSUNG AC8JOSV SMD0805
6N137 EVERLIGHT 1632 DIP-8
CASQUILLO CER 330NF 50V X7R el 5% CL21B334JBFNNNC SAMSUNG AC8NOR4 SMD0805
DIODO BZV55B16 1517 SOD-80C
C.I AT89S52-24PU ATMEL 1602 DIP-40
C.I SN7407N TI 5CAGEEM DIP-14
CASQUILLO TANTALO 1UF 25V T491A105K025AT KEMET 1627 SMD1206
CASQUILLO 0805 100NF 50V Y5V CL21F104ZBANNNC SAMSUNG AAC2SBM SMD0805
CASQUILLO. MULT 15PF 25V C0G el 10% C0805C150K3GACTU KEMET 1626 SMD0805
DIODO US1A-13-F DIODOS 1630/US1A SMA
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF TDK 1630 SMD7045
Transporte. BC817-25LT1G EN 1630/6B SOT-23
RES 0805 560R el 5% RC0805JR-07560RL YAGEO 1547 SMD0805
RES 2K2 el 5%
RC0805JR-072K2L
YAGEO 1626 SMD0805
C.I MC7815CTG EN RDKF34G TO-220
C.I LM7805CT FSC G25AA TO-220
ACOPLADOR
HCPL-3120-300E
AVAGO 1550 SOP-8
TRANSPORTE FOD817CSD FSC V228YA SOP-4
DIODO P6KE180A VISHAY 16+ DO-15
RES 270R el 5%
RC0805JR-07270RL
YAGEO 1321 SMD0805
ACOPLADOR OTICO. MOC3063S-TA1 LITE-ON L1637 SOP-6
TRANSPORTE BTA24-800BW ST 603 TO-220
XC9572XL-10PCG44C XILINX 1541 PLCC-44
ISL55016IRTZ-T7 INTERSIL M9/V8 TDFN6
AA210-25 ALFA 0532 SOP-16
LQH32MN470K23L MURATA TA6510955 SMD1210
LQH32MN2R2K23L MURATA TA6425666 SMD1210
TMS320F2812PGFA TI 47AOSPW LQFP176
2SJ74 TOSHIBA 4N TO-92
BFG541 PH 1527 SOT-223
BFQ67W 1502 SOT-323
PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
3000pcs