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Chip CI original de los diodos de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado de FDS8858CZ

Chip CI original de los diodos de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado de FDS8858CZ
Chip CI original de los diodos de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado de FDS8858CZ
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Arsenal 30V 8.6A, soporte superficial 8-SOIC del Mosfet de 7.3A 900mW
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Gama de temperaturas:
– 55°C al °C +150
Resistencia termal típica:
-7.3A
Voltaje:
-30V
Sobretensión delantera:
40-78 °C/w
Paquete:
SOP-8
Paquete de la fábrica:
Carrete
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

digital integrated circuits

Introducción

FDS8858CZ

Canal N dual del MOSFET de PowerTrench® de N y del P-canal: 30V, 8.6A, 17.0mΩ

P-canal: -30V, -7.3A, 20.5mΩ

Características

Q1: „ rDS máximo del canal N (encendido) = 17mΩ en VGS = 10V, „ identificación = 8.6A

RDS máximo (encendido) = 20mΩ en VGS = 4.5V, identificación = 7.3A Q2: „ del P-canal

RDS máximo (encendido) = 20.5mΩ en VGS = -10V, identificación = „ de -7.3A

RDS máximo (encendido) = 34.5mΩ en VGS = -4.5V, identificación = „ de -5.6A

Poder más elevado y capacidad el dar en un paquete superficial ampliamente utilizado del soporte

Speedt que cambia rápido

Descripción general

Este los MOSFETs del poder del modo del aumento dual de N y del P-canal se producen usando el proceso avanzado de PowerTrench del semiconductor de Fairchild que se ha adaptado especialmente para minimizar resistencia del en-estado pero mantener funcionamiento que cambia superior. Estos dispositivos están bien adaptados para la baja tensión y los usos con pilas donde se requieren el apagón en línea bajo y la transferencia rápida.

„ del uso

Dólar síncrono del „ del inversor

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Q1 Q2 Unidad
VDS Drene al voltaje de la fuente 30 -30 V
VGS Puerta al voltaje de la fuente ±20 ±25 V
Identificación Drene actual - continuo TA = 25°C 8,6 -7,3
- Pulsado 20 -20
Paladio Disipación de poder para la operación dual 2,0 w
Disipación de poder para la sola operación TA = 25°C 1,6
TA = 25°C 0,9
TJ, TSTG Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento -55 a +150 °C


Una parte de la lista común

MAX232EIDR TI 62AY3FM/1608 SOP-16
BCV29 E6327 1237/EF SOT-89
REDE 330R RP164PJ331CS SAMSUNG 20160822 smd0603*4
REDE 1K RP164PJ102CS SAMSUNG 20160816 smd0603*4
RES 1210 4R7 el 5% RC1210JR-074R7L YAGEO 1627 SMD1210
C.I SN74LS244N TI 64ACSOK DIP-20
C.I P80C31SBPN 0935+ DIP-40
C.I AT89C51-24PI ATMEL 1602 DIP-40
C.I LM2575T-5.0/NOPB TI 61AY9TOE3 TO-220
C.I M27C512-10F1 ST 9G003 CDIP-28
C.I 74HC245DB, 118 1618/1619 SSOP-20
MCP130T-315I/TT MICROCHIP PLEP SOT23-3
DIODO TPD4E001DBVR TI NFYF SOT23-6
C.I SN74LS374N TI 1523+5/56C0DZK/56C0E3K DIP-20
C.I MIC 2937A-3.3BU MICREL 9834 TO-263
C.I SN74LS138N TI 67CGG1K DIP-16
DIODO DF10 SEPT 1613 DIP-4
DIODO SS14-E3/61T VISHAY 1520/S4 SMA
RES 33K el 1%
RC0603FR-0733KL		 YAGEO 1545 SMD0603
CASQUILLO 10UF 16V X5R el 10%
GRM21BR61C106KE15L		 MURATA IA6817YW3 SMD0805
CASQUILLO 0603 100NF 50V X7R 06035C104KAT2A AVX 1630 SMD0603
RES 2512 3R6 el 5% RC2512JK-073R6L YAGEO 1631 SMD2512
RES 1210 4R7 el 5% RC1210JR-074R7L YAGEO 1627 SMD1210
RES 1210 3R3 el 5% RC1210JR-073R3L YAGEO 1627 SMD1210
DIODO BZX84-C5V1 1601/Z2W SOT-23
DIODO BZX84-C6V2 1517/Z4W SOT-23
RES 10K el 5%
RC0805JR-0710KL		 YAGEO 1632 SMD0805
SENSOR KTY11-6
Q62705-K246		 T6/S76 TO-92
C.I AD767JN ANUNCIO 0604+ DIP-24
TRIAC BT151-500R 603 TO-220
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